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研发客服综合CNews、Tom′s Hardware报道，俄罗斯科学院微结构物理研究所（IPM RAS）宣布了一项名为“高性能X射线光刻发展新概念”的计划，旨在开发工作波长为11.2纳米的新型光刻设备。这一创新技术与荷兰ASML公司的标准13.5纳米波长设备相比，预计将设备的分辨率提高20%，同时降低研发成本并简化制造流程。
俄罗斯还计划使用氙作为激光等离子光源，替代传统的锡，以减少光学元件的污染，并延长关键零部件的使用寿命。
此外，新设备可能采用含硅光刻胶，以提升11.2纳米波长下的加工效率，为小规模芯片生产提供实用解决方案。
研发计划分为三个阶段：第一阶段聚焦于基础研究和关键技术辨识；第二阶段制造每小时处理60片200毫米晶圆的原型机，并整合至国内芯片生产线；第三阶段的目标是开发每小时处理60片300毫米晶圆的工业应用设备。尽管俄罗斯光刻机的产量预计为ASML设备的37%，光源功率为3.6千瓦，但这一性能已足够满足小规模生产需求。俄罗斯计划自主7nm芯片光刻机设备在2028年实现全面投产，效率预计比ASML光刻机高1.5-2倍。
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2024-11-21
2024-11-21
2024-12-18
受制于制裁和地缘政治因素，俄罗斯目前只能在有限的条件下独立发展相关技术。俄罗斯决心通过创新路线图来突破目前的困局，但设计这些EUV光刻系统可能需要十年甚至更长时间。若研发进展一切顺利，未来俄罗斯可能会成为中小型芯片制造商的重要设备供应商，为全球芯片生产提供新选择，也为整个行业格局带来新的变化。
文章来源于:国际电子商情 原文链接
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