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研发客服英特尔（intel）近日宣布，已经接收市场首套具有0.55数值孔径（High-NA）的ASML极紫外（EUV）光刻机，预计在未来两到三年内用于 intel 18A 工艺技术之后的制程节点。
相较之下，台积电则采取更加谨慎的策略，业界预计台积电可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才会采用High-NA EUV光刻机。
业界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，这也是台积电暂时观望的原因，台积电更倾向于采用成本更低的成熟技术，以确保产品竞争力。High-NA EUV 需要更高的光源功率才能驱动更精细的曝光尺寸，这会加速投影光学器件和光罩的磨损，抵消了更高产能的优势。
而台积电早在 2019 年就开始在芯片量产中使用 EUV 光刻机，虽然比三星晚了几个月，但是比英特尔早了几年的时间。当前，英特尔希望在 High-NA EUV 领域抢先三星和台积电，以获得一定的技术和战略优势，增加客户的青睐程度。
未来，随着台积电采用 High-NA EUV 光刻机，晶圆代工厂商先进制程技术之争又将如何发展，则需要后续持续观察。
封面图片来源：拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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