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研发客服业界周知 ，集成电路制造中，光刻覆盖了微纳图形的转移、加工和形成环节，决定着集成电路晶圆上电路的特征尺寸和芯片内晶体管的数量，是集成电路制造的关键技术之一。随着半导体工艺向7nm及以下节点的推进，极紫外(extreme ultraviolet，EUV)光刻成为首选的光刻技术。
相关技术的EUV光刻机中采用强相干光源在进行光刻时，相干光经照明系统分割成的多个子光束具有固定的相位关系，当这些子光束投射在掩膜版上叠加时会形成固定的干涉图样，出现有明暗变化、光强不均匀的问题，因此，必须先进行去相干处理(或者采用避免相干影响)，达到匀光效果，以保证光刻工艺的正常进行。
据披露，该专利申请提供一种反射镜、光刻装置及其控制方法，涉及光学领域，能够解决相干光因形成固定的干涉图样而无法匀光的问题，在极紫外光的光刻装置基础上进行了优化，进而达到匀光的目的。
该光刻装置包括相干光源1、反射镜2(也可以称为去相干镜)、照明系统3。其中，反射镜2可以进行旋转；例如，可以在光刻装置中设置旋转装置，反射镜2能够在旋转装置的带动下发生旋转，如下图所示。
在该光刻装置中，相干光源1发出的光线经旋转的反射镜2的反射后，通过照明系统3分割为多个子光束并投射至掩膜版4上，以进行光刻。另外，在光刻装置中，上述照明系统3作为重要组成部分，其主要作用是提供高均匀性照明(匀光)、控制曝光剂量和实现离轴照明等，以提高光刻分辨率和增大焦深。述照明系统3的匀光功能可以是通过科勒照明结构实现。
该照明系统3包括视场复眼镜31(field flyeye mirror，FFM)、光阑复眼镜 32(diaphragm flyeye mirror，PFM)、中继镜组33；其中，中继镜组33通常可以包括两个或者两个以上的中继镜。照明系统3通过视场复眼镜31将来自相干光源 1 的光束分割成多个子光束，每个子光束再经光阑复眼镜32进行照射方向和视场形状的调整，并通过中继镜组33进行视场大小和 / 或形状调整后，投射到掩膜版4的照明区域。
通过在相干光源1与照明系统3之间的光路上设置反射镜2，在此情况下，相干光源1发出的光线经旋转的反射镜2反射后相位不断发生变化，这样一来，在经反射镜2反射后的光线通过照明系统3分割为多个子光束并投射至掩膜版4上时，形成在掩膜版4的照明区域的干涉图样不断变化，从而使得照明视场在曝光时间内的累积光强均匀化，从而达到匀光的目的，进而也就解决了相关技术中因相干光形成固定的干涉图样而无法匀光的问题。
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