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再努力出货,供应客户是长江存储(复购)、合肥长鑫、燕东微及青島芯恩,每台约9000万人民币。上海微SWEE目前每年的出货能力是6-7台。 现阶段90纳米光刻机的另部件国产化率已达70-80%,基本......
再努力出货,供应客户是长江存储(复购)、合肥长鑫、燕东微及青島芯恩,每台约9000万人民币。上海微SWEE目前每年的出货能力是6-7台。 现阶段90纳米光刻机的另部件国产化率已达70-80%,基本......
俄罗斯:2024年将制造350nm光刻机;根据俄罗斯媒体报道指出,俄罗斯本身正在研发生产芯片的光刻机。其工业和贸易部副部长Vasily Shpak在接受媒体访问时指出,2024年将开始生产350纳米光刻机......
成本几十万,俄罗斯也要自研“光刻机”?;据俄罗斯cnews报道,圣彼得堡创建了一个国内光刻综合体,在其中包括了一个在基板上进行无掩模图像采集和硅等离子化学蚀刻的设备。开发人员声称,第一台用于无掩模纳米光刻......
3.5 版本,甚至在许多情况下提供了优于 ChatGPT 4.0 的回答。 据俄罗斯cnews报道,圣彼得堡创建了一个光刻综合体,该综合体包括用于无掩模纳米光刻......
国产光刻机工厂落地雄安?中国电子院澄清;近期,一则“7纳米光刻机实现国产化”消息在业界刷屏,消息指出清华大学EUV项目实现了光刻机国产化,并表示该项目已在雄安新区落地。 对此,9月18日中国......
于蚀刻生产无掩模芯片,这将有助于俄罗斯在微电子领域技术领域获得主动权。 该设备综合体包括用于无掩模纳米光刻和等离子体化学蚀刻的设备,其中一种工具的成本为500万卢布(约36.7万元人民币),另一......
有助于在微电子领域技术领域获得主动权。本文引用地址:该设备综合体包括用于无掩模纳米光刻和等离子体化学蚀刻的设备,其中一种工具的成本为500万卢布(约36.7万元人民币),另一种工具的成本未知。 开发人员介绍,传统光刻......
专家组都说了:‘该光刻机在365纳米光源波长下,单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。项目在原理上突破分辨力衍射极限,建立了一条高分辨、大面积的纳米光刻装备研发新路线,绕过国外相关知识产权壁垒。’这里......
.https://www.researching.cn/ ArticlePdf / m00018/2020/49/9/20201035.pdf [12] 中国光学:Nanophotonics | 纳米光刻......
线宽,双线间距低至约50纳米的超分辨光刻。未来将这一技术工程化应用到光刻机上,能够突破光学衍射极限对投射电路尺寸的限制从而实现超分辨光刻,有望使国产集成电路光刻机......
装置,另一个是硅的等离子体化学刻蚀设备。 具体来说,无光罩纳米光刻设备成本在500万卢布(约合36.6万人民币)以内,相当于中国一辆质量良好的车,而外国类似平台成本则高出十倍,要花......
大UBC大学等高校科研机构合作建设了光刻材料研发实验室,成功研发出世界最先进的193纳米光刻胶单体并实现规模化生产,成为中国唯一的高端光刻胶单体材料研发和规模化生产企业。 此外,为助......
称如果该项目继续推进,中芯国际、华虹等中国半导体企业可以继续使用荷兰的设备生产 28 纳米及更成熟工艺的芯片。 消息称该特别版 DUV 光刻机基于 Twinscan NXT: 1980Di 光刻系统改造,而......
危言耸听。但是也不必担心,因为只有工艺制程达到7纳米及以下时才会使用EUV光刻机。   对于这样的现状,首先心态要放正确。西方继续压制中国半导体业的进步,这个政策在相当长时间内还会持续下去。然而......
俄罗斯媒体:中国在微芯片竞争中逐渐赶上;俄罗斯《消息报》8月7日文章,原题:重大成就:中国在微芯片竞争中逐渐赶上 据中国媒体报道,上海微电子有望年底前推出28纳米浸没式光刻机。尽管中国的新光刻机......
功率远比EUV光刻机低,一台EUV光刻机一年要用1000万度电,但这种NIL技术能耗减少90%,且制造成本比EUV光刻机低40%。 缺点是目前精度不够,远远达不到7nm、5nm的级别,大约还处于28......
联动”,先进工艺产能、核心芯片能级、关键设备和基础材料配套支撑能力不断提升,14纳米先进工艺规模实现量产,90纳米光刻机、5纳米刻蚀机、12英寸大硅片、国产CPU、5G芯片等实现突破。 吴金......
成电路芯片制造中最复杂和关键的工艺步骤。光刻机的曝光分辨率与波长直接相关,半个多世纪以来,光刻机光源的波长不断缩小,芯片工业界公认的新一代主流光刻技术是采用波长为13.5纳米光源的EUV(极紫外光源)光刻......
可绕过EUV量产5nm!佳能CEO:纳米压印设备无法卖到中国; 11月6日消息,据彭博社报道,佳能公司正计划将其新的基于“纳米压印”技术的芯片制造设备的价格定为ASML的EUV光刻机的1/10......
俄罗斯绕过制裁 为35年前的光刻机续命; 9月9日消息,据国外媒体报道称,俄罗斯近日绕过了制裁,为本国存在了35年的续命。 报道中提到,尽管......
提高精准度。但相对研发困难度也会增加。台积电表示,光源还可以继续用193纳米,但换个介质试试,不再以空气当介质。于是ASML尝试以水为介质,光源通过水会产生折射,使193纳米光源实际效果可能比157......
真正达到极限难以向前时,纳米压印技术或将是一条值得期待的路线,而那时,芯片制造或许也会迎来全新的范式,一切都会被颠覆。 关键是,佳能的5nm纳米压印光刻机优势还很明显,不仅价格是ASML传统EUV的......
的技术难度和成本高筑进入壁垒。 中国在不断的研究新技术,以期在光刻机上有突破,从而实现先进光刻机的独立自主,最终摆脱对ASML的依赖。 如今上海微电子已经成功研发出第一台国产28纳米DUV光刻机,且已......
,2纳米的精细可想而知。 未来,只有他的EUV光刻机能够帮助芯片接续微缩,因此这些设备纵使卖到上亿欧元,都能被客户所接受。 今天是《半导体行业观察》为您......
康指出,高性能光刻技术对中国企业来说成本高昂,但是其战略意义不容忽视。中国要推进完整的光刻工业体系的发展,只能采取从低到高的策略,比如193nm深紫外ArF干式光刻机、浸没式光刻机,以及周边设备材料等,EUV......
是用于支付长交期设备提前下单的预付款。 在全球半导体产业景气下滑的当口逆流而上,中芯国际此举显得格外抢眼。 而在中芯国际发展强劲的同时,拥有DUV光刻机成熟技术的ASML正在成为中国半导体产业发展的新助攻。 ASML是一......
丽国厂商把持的工艺设备。据方正证券的电子首席分析师陈杭表示,目前光刻机大致分为两类:一是DUV深紫外线光刻机,其可以制造0.13微米到7纳米的芯片;二是EUV极紫外线光刻机,适合7nm到3nm以下芯片。目前DUV光刻机并不限制中国......
光刻机。 如果目标是阻止中国扩大其14纳米工艺技术大规模量产,那么必须阻止所有可以实现节点上最小金属间距64纳米的工具,理论上,连KrF光刻机......
佳能交付首台新型纳米压印光刻机;近日,佳能宣布成功交付首台新型纳米压印(NIL)光刻机,设备将被送往美国得克萨斯电子研究所(TIE)。 资料显示,TIE设立于2021年、是由......
,压在晶圆上面就是多少纳米”;同时,“纳米压印的图案每一层都一次压印成形,不像传统光刻会用到SADP/SAQP(多重曝光)等复杂工艺”。 其特点在于制造成本更低,而且耗电量也远低于EUV光刻机......
大陆厂商当前的主要的任务仍然是提升自身实力。 另一方面,半导体竞争力的提升要立足于全产业链实力的提升。目前,中国大陆半导体制造的短板集中在设备与材料领域,包括光刻机和光刻胶等。28纳米作为成熟节点,绝大......
据时代的需求在不断扩大应用范围。今后,佳能将继续扩充半导体光刻机的产品阵容和可选功能,以支持各种尺寸和材料的晶圆以及下一代封装工艺。此外,在尖端领域为满足电路图案进一步微细化的需求,佳能也在致力于推进纳米......
技术装备推广应用指导目录(2024 年版)》(以下简称“《目录》”)。 该《目录》列表中提到和氟化氪光刻机氟化氩(ArF)光刻机。其中氟化氪光刻机光源248纳米,分辨率≤110nm,套刻≤25nm......
出售产品并将收益进行再投资来保持领先地位。 但在这些事件发生了以后,谈践表示,中国别无选择,只能尝试制造类似的机器。 身为欧洲最大半导体生产设备制造商,ASML自2019年以来一直被限制向中国出售其最先进,对制造某些先进芯片至关重要的极紫外光刻机......
日本佳能:我们能造2nm芯片!不需要ASML光刻机;日本光刻机大厂(Canon)在今年10月13日宣布推出可以制造尖端芯片的纳米压印(Nanoprinted lithography,NIL)设备......
EUV光刻机设备,用于7nm、5nm、4nm等先进制程,且9月台积电还将开始量产最新的3纳米制程,这些都需要EUV光刻机设备协助。有市场消息表示,因首代3纳米制程客户可能仅剩苹果,使台......
机器,包括最先进的极紫外光刻机(EUV)。 ASML不装了 为了让中国不能获取先进光刻机和芯片,美国绞尽了脑汁。而这一次,他们又把目光锁定在台积电厂房内的光刻机和产线。 据外......
生产导入EUV(极紫外光)设备,其DRAM芯片产品皆采用DUV(深紫外光)光刻机制造。 近期,媒体报道美光计划于2024年开始在其10纳米级的1γ制程技术上进行EUV光刻技术的试生产,预计......
细,显然量子芯片才是未来的方向。 其次,量子芯片的生产原理和硅基芯片不同,完全可以避开光刻机的限制。最近美国唆使荷兰对我国禁售光刻机,就是因为目前的纳米芯片技术对光刻机有依赖,而靠我们一己之力去攻克光刻机......
一台3亿欧元!ASML CEO:High-NA EUV将于2024年出货; 综合韩联社、koreatimes报道显示,全球光刻机龙头大厂首席执行官温宁克(Peter Wennink)于今......
近500亿元!EUV光刻机巨头挣翻了;7月17日,全球最大的光刻设备厂商阿斯麦(ASML)公布2024年第二季度业绩。根据数据,ASML Q2总净销售额 62.43亿欧元(约491亿元人民币),净利......
融化的锡液,一对激光束照射每一滴液体产生等离子体,释放出更短的波长,超高精度的反射镜引导光线......7纳米极紫外线光刻机,分为13个系统,3万个分件,作动......
始单方面限制制造尖端半导体必需的EUV光刻机出口中国。 报道称,随着全球半导体市场进入复苏,SK海力士认为高性能芯片产能扩张已经刻不容缓,需要10纳米级第四代DRAM......
出了全球首个采用全栅极(GAA)技术的3纳米半导体芯片制程技术后,三星一直在努力确保能采购更多EUV光刻机,目标是使该公司能在2024年上半年进入第二代3纳米制程技术,2025年进入2纳米制程技术,并在2027年进入1.4......
以低成本制成尖端微细电路的新一代设备。 目前,佳能公司与大日本印刷、铠侠正共同开发纳米压印设备,在学术界,日本研究者也已经演示了10纳米分辨率的纳米压印技术,据估计如使用纳米压印制造先进制程芯片,成本将比现有EUV光刻机......
ASML加快拓展中国业务:支持7nm高端DUV光刻机可出口; 4月28日消息,对于中国市场而言,正在全力以赴,预计2023年在中国的销售额将保持在22亿欧元左右(约合人民币超162亿元),其正在加快拓展在中国......
佳能押注“纳米压印”技术,价格比 ASML EUV 光刻机“少一位数”;11 月 6 日消息,日本佳能一直在投资纳米压印(Nano-imprint Lithography,NIL)这种......
要摆脱对外国技术的依赖生产高端芯片,还有很长的路要走。一位熟悉内情的人士说,中芯国际现在已经能够生产28纳米芯片,如同台积电前高管、曾担任中芯国际独立董事的杨光磊说,封锁中国的半导体设备与技术,「将迫......
足对人工智能相关的高带宽内存(HBM)和第五代双倍数据速率随机存取存储器(DDR5)的需求。 佳能交付首台新型纳米压印光刻机光刻机市场竞争中,佳能的策略是专注于KrF和i-line,而不涉及EUV......

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中型体视显微镜、SX系列学生显微镜、NK系列连续变倍生物显微镜、光学元器件、塑料非球面镜片及各种激光镜头,产品均通过美国和欧洲的安全认证,远销美国、巴西、荷兰、德国和日本等二十多个国家和地区。2002年与上海交大联合开发各种系列纳米光
表面刻字|机械刻字|标码机,金属打字机|气动标记打印机|标刻设备|标刻机,金属电印打标机,电腐蚀打标机,电化学打标机,电蚀刻打标机,金属印字机,金属打字机,高速激光打标机,激光标记机,激光标刻机,激光刻