资讯

晶圆代工厂“头疼”?阿斯麦Hyper-NA EUV售价或超7.24亿美元;近日,据朝鲜日报报道,阿斯麦(ASML)将针对1纳米以下制程,计划在2030年推出更先进Hyper-NA EUV光刻机......
在世界上首次实现了1米以下的曝光,此项技术作为“重要科学技术历史资料(未来技术遗产)”,于2010年被日本国立科学博物馆产业技术历史资料信息中心收录。 目前佳能的光刻机阵容包括i线光刻机和KrF光刻机产品线,并根......
在2024年对2纳米制程开始风险性试产,2025年开始量产。 2纳米不是芯片生产的终点,2022年5月,IMEC(微电子研究中心)对外公布了1纳米以下至2埃米(A2)的半......
导指出,采用High-NA EUV光刻机对于台积电开发2纳米以下制程至关重要。因为High-NA EUV光刻机将数值孔径从0.33增加到0.55,可以进一步在晶圆上达到更高分辨率。而根......
许标志着这家三星电子在先进半导体制造领域取得重大进步。 ASML独家提供的极紫外光刻机对于2nm以下更先进制程的工艺至关重要,三星此前曾设定了到2027年实现1.4nm工艺商业化的目标,行业人士表示,三星将加快其1nm芯片商业化的开发工作。 据悉......
提高,具更高解析度图像化能力,以完成更小电晶体,对2纳米以下制程是必要设备。 客户方面,虽然价格高昂,但今年年初ASML依然收到了来自英特尔的最新款High-NA EUV“EXE:5200”首张......
装置基础上进行了优化,进而达到匀光的目的。 EUV光刻机的中文名字就叫极紫外光刻,它以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术,可使曝光波长一下子降到14纳米以下的特征尺寸。 但问题是EUV光刻机......
是趋势。 而且,当EUV延伸至7纳米以下时,作为一种提高光刻机放大倍率的方法,需要大数值孔径的镜头(NA),为此ASML已经开发了一种变形镜头。它的两轴EUV镜头在扫描模式下能支持8倍放......
计划”,计划于2030年在晶圆代工领域赶超台积电。这是三星高层亲自出访ASML的主要原因。 事实上,半导体逻辑制程技术进入到7纳米以下后,由于线宽过细,需要使用EUV作为曝光媒介。全球......
工程院院士吴汉明:本土可控的55nm芯片制造,比纯进口的7nm更有意义;4月26日消息,日前,在中国工程院主办的“中国工程院信息与电子工程前沿论坛”上,中国工程院院士吴汉明对光刻机、产业......
也是全球唯一销售极紫外光 (EUV) 光刻机的公司,对 7 纳米以下先进制程以来,EUV 的存在是不可或缺的。 根据此前公布财报,ASML 第 3 季度销售额为 67 亿欧元,同比增长 16%;利润......
年的高数值孔径EUV(High-NA EUV)设备订单,此前英特尔已完成ASML首台High NA EUV光刻机设备组装,价值高达3.5亿欧元,英特尔计划用该款设备生产1.8nm以下......
资料显示,蔡司集团是全球唯一的极紫外(EUV)光系统供应商ASML Holding NV的光学系统唯一供应商。 据悉,三星电子的目标是引领3纳米以下的微制造工艺技术,今年计划采用EUV光刻......
电永续报告书中提到,其2022年的用电量为210.8亿度,上马新制程工艺后,2023年的用电量只会高不会低。举例来说,7纳米以下先进制程的芯片生产环节都需用到高端光刻机1台机器运转24小时用电3万度,3纳米......
,2纳米的精细可想而知。 未来,只有他的EUV光刻机能够帮助芯片接续微缩,因此这些设备纵使卖到上亿欧元,都能被客户所接受。 今天是《半导体行业观察》为您......
1041.34美元。今年以来,ASML的股价累计上涨约35%。 ASML的最新光刻机能在上刻画宽度仅为8纳米的线条,为上一代设备的1.7分之一,这将被用于生产支持人工智能应用和先进消费电子的芯片。 这款......
才会正式转进EUV,现在三星、台积电在7 纳米将一前一后用上EUV,先进制程也正式宣告进入新一阶段技术竞赛。 随着先进制程来到10 纳米以下,制程微缩瓶颈一一浮现,尤其是制程中难度最高的微影技术,目前......
日本佳能:我们能造2nm芯片!不需要ASML光刻机;日本光刻机大厂(Canon)在今年10月13日宣布推出可以制造尖端芯片的纳米压印(Nanoprinted lithography,NIL)设备......
俄罗斯首台光刻机,真的制造成功了;2022年,俄罗斯科学院下诺夫哥罗德应用物理研究所 (IPF RAS)  宣布,正在开发俄罗斯首套半导体光刻设备,并对外夸下海口:这套光刻机能够使用7nm生产......
可绕过EUV量产5nm!佳能CEO:纳米压印设备无法卖到中国; 11月6日消息,据彭博社报道,佳能公司正计划将其新的基于“纳米压印”技术的芯片制造设备的价格定为ASML的EUV光刻机1/10......
作业。这项技术对于2纳米以下节点制程的开发至关重要,台积电计划从A14节点制程开始采用High-NA EUV光刻机,并规划在2027年开始量产。  三星3纳米......
公司年报截图 在年报中,中微公司就刻蚀技术的未来发展作出了分析。分析指出随着芯片制程向5纳米及更先进制程发展,当前浸没式光刻机受光波长的限制,需要结合刻蚀和薄膜设备,采用多重模板工艺,利用......
技术装备推广应用指导目录(2024 年版)》(以下简称“《目录》”)。 该《目录》列表中提到和氟化氪光刻机氟化氩(ArF)光刻机。其中氟化氪光刻机光源248纳米,分辨率≤110nm,套刻≤25nm......
keV。根据能量高低可以分为硬X射线和软X射线:能量为1~10 keV,波长为0.2~0.1 nm以下的称之为硬X射线,波长大于0.1 nm则称之为软X射线。 这意味着,X射线光刻机中使用的X射线......
相对保守,不过也于今年将在1γ(1-gamma)制程进行EUV技术试产,三大原厂集结,存储市场EUV光刻机时代开启。 美光1γ DRAM开启EUV试产 与其他半导体大厂相比,美光并不急于为DRAM芯片......
场竞争中,ASML的设备和技术占绝对领先地位,占据全球市场82.1%:90nm以下节点高端光刻机(如ArF、ArFi、EUV光刻3种高端机型)95%以上属ASML设备。 但是当前,宏观经济形势不稳定,如高......
危言耸听。但是也不必担心,因为只有工艺制程达到7纳米及以下时才会使用EUV光刻机。   对于这样的现状,首先心态要放正确。西方继续压制中国半导体业的进步,这个政策在相当长时间内还会持续下去。然而......
突破瓶颈!中国团队研制出高性能单晶硅沟道3DNOR储存器;NOR闪存以速度快、可靠性高和使用寿命长等优势,在人工智能、汽车电子和工业领域中发挥着不可替代的作用。目前普遍使用的平面NOR闪存在50纳米以下......
开发的12英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户最先进的生产线上并用于5纳米、5纳米以下器件中若干关键步骤的加工;同时,公司根据先进集成电路厂商的需求持续进行设备开发和工艺优化。 在3D NAND芯片......
以速度快、可靠性高和使用寿命长等优势,在人工智能、汽车电子和工业领域中发挥着不可替代的作用。目前普遍使用的平面NOR闪存在50纳米以下技术代的尺寸微缩遇到瓶颈,难以进一步提升集成密度、优化......
足对人工智能相关的高带宽内存(HBM)和第五代双倍数据速率随机存取存储器(DDR5)的需求。 佳能交付首台新型纳米压印光刻机光刻机市场竞争中,佳能的策略是专注于KrF和i-line,而不涉及EUV......
前不久英特尔宣布完成了ASML High-NA EUV光刻机设备组装。这是ASML生产的首台High NA EUV光刻机,价值高达3.5亿欧元,英特尔计划用该款设备生产1.8nm以下的先进制程芯片。据了解,ASML......
华虹宏力中紫外步进式光刻机项目中标结果公示;7月18日,中国招标投标公共服务平台官网公示,上海华虹宏力半导体制造有限公司(以下简称“华虹宏力”)中紫外步进式光刻机项目中标结果。标的物为中紫外步进式光刻机......
,价值高达3.5亿欧元,英特尔计划用该款设备生产1.8nm以下的先进制程芯片。据了解,ASML还对外交付了第二台High NA EUV光刻机,但未透露买家信息。 值得一提的是,ASML的订......
国脖子的设备有很多,但光刻机是国产化率一直成长最慢的一个。 对芯片来说,5nm以后就必须使用EUV光刻机。这是因为,当金属间距缩小到30nm以下(对应工艺节点超越5nm),光刻机的分辨率就不够用了。 从公式“光刻机......
代替。可以帮助芯片制造商继续向7nm及以下更先进制程工艺推进的同时,进一步提升效率和降低曝光成本。 目前,EUV光刻机可以支持芯片制造商将芯片制程推进到3nm制程左右,但是......
。Rapidus的目标是在2027年在日本国内量产2nm制程芯片,目前正寻求产业链的合作。 2nm关键设备EUV,厂商“抢疯了” 随着EUV光刻机在7nm以下制程的重要性日益增强,半导......
投资100亿美元,补贴8.25亿美元,美国发力EUV光刻技术; 近日,美国商务部和国家半导体技术中心(NSTC)的运营商Natcast宣布在纽约州立大学奥尔巴尼纳米......
、Denso、NAND Flash大厂铠侠、三菱UFJ等8家日企共同出资设立。其位于北海道千岁市的第一座工厂“IIM-1”已于2023年9月动工,预计2025年4月开始运行试生产线,并引进EUV光刻机......
ASML与三星签署备忘录,预计共同在韩国建立研究中心;光刻机大厂ASML宣布,与韩国三星电子签署备忘录,将共同投资1万亿韩元在韩国建立研究中心,并将利用下一代极紫外(EUV)光刻机......
佳能发售面向后道工艺的3D技术i线半导体光刻机新产品;佳能发售面向后道工艺的3D技术i线半导体光刻机新产品 通过100X100mm超大视场曝光 实现大型高密度布线封装的量产 佳能将于2023年1......
日本尼康宣布全新ArF浸没式光刻机:精度小于2.1纳米; 12月10日消息,宣布,将于2024年1月正式推出ArF 193纳米浸没式“NSR-S636E”,生产效率、套刻......
实现最小线宽为10nm的电路图案,相当于2nm节点。   半导体制造领域,光刻机是昂贵且关键的设备,而纳米压印设备被多家日本半导体设备厂商视作替代光刻机的“下一代设备”,担负......
影响到半导体各个分支领域的技术发展方向。7纳米制造工艺引入EUV(极紫外光设备)设备,必须要为EUV制造工艺匹配相应的光刻胶。“光刻最重要的就是三光,即光刻机、光源和光刻胶,这三光都做好,光刻就没有什么特别的地方,”Brewer......
佳能交付首台新型纳米压印光刻机;近日,佳能宣布成功交付首台新型纳米压印(NIL)光刻机,设备将被送往美国得克萨斯电子研究所(TIE)。 资料显示,TIE设立于2021年、是由......
向半导体芯片制造的前道工艺和后道工艺中,在不断扩充搭载先进封装技术的半导体光刻机产品阵营,持续为半导体设备的技术创新做出贡献。   ※1. 使用了i线(水银灯波长 365nm)光源的半导体光刻设备。1nm(纳米)是10亿分......
技术的发展局限于在光学衍射极限范围内不断缩短所用光源的波长,其代价非常昂贵。今天光刻机被称为“人类最精密复杂的机器”,荷兰ASML公司EUV光刻机售价高达1亿美元,而且只有ASML能够生产。 国内目前还没有安装ASML EUV机台......
晶圆代工布局2nm芯片,瞄准High-NA EUV光刻机;韩国三星日前与荷兰半导体设备商ASML签署了价值1万亿韩元(约7.55亿美元)的协议,两家公司将在韩国投资建造半导体芯片研究工厂,并将......
ASML堵了EUV光刻机的路,但国产光刻机有3大新方向;众所周知,当前全球只有一家能够生产,甚至可以说很长一段时间内,全球也只有能够生产,不会有第二家。本文引用地址:原因在于把的路堵住了,这条......
ASML发布2020年财报:净利润达36亿欧元;1月20日,光刻机龙头ASML公布2020年全年财报。2020年,ASML共售出258台光刻系统,包括236台新系统和22台二手系统。总营收达140......

相关企业

纳米以下的产品在水相中容易获得,要想得到很分散的纳米级粉体比较困难,此设备是当前最好的纳米粉体干燥设备。
;srlaser;;加工对象:   1) 对不锈钢板、碳钢板进行各种几何形状落料。 2) 小批量、多品种的不易开模具加工的金属板材。   3) 切割表面粗糙度要求在Ra12.5以下,尺寸精度0.05
;苏州汶颢芯片科技有限公司;;苏州汶颢芯片科技有限公司主营微流控芯片、光刻胶、光刻机、注射泵、烘 箱、干燥箱、培养箱、烧结箱、消毒箱、试验箱、水槽、油槽、马弗炉、振(震)筛机、破碎机等。公司
;怡合瑞丰科技发展有限公司;;注册于香港,代理美国ABM公司的光刻机及其他半导体设备。可以为客户提供先进的凸点制造等封装工艺与设备
表面刻字|机械刻字|标码机,金属打字机|气动标记打印机|标刻设备|标刻机,金属电印打标机,电腐蚀打标机,电化学打标机,电蚀刻打标机,金属印字机,金属打字机,高速激光打标机,激光标记机,激光标刻机,激光刻
;北京中煤矿山工程有限公司;;主营产品或服务:可承担类型的地基与基础工程施工;可承担各类中、小型矿山工程地面建筑安装工程及矿区配套施工;可承担断面20平方米以下的城市隧道及断面80平方米以下
刻字机等。激光雕刻机主要有激光雕刻机、激光切割机、激光裁床、激光打标机、激光刀模切割机、激光雕版机、激光刻章机等。每一种机器我们都有不同尺寸的机型可供选择。 公司产品涵盖了木工、石材、广告、工艺礼品、建筑
打标机,流水号,日期,编号,,电脑雕刻机, 金属标牌参数刻字机,标牌打标机,标牌压印机,铭牌雕刻机,铝合金标牌雕刻机, 电动雕刻笔|电动刻字笔|金属刻字|刻字机|金属雕刻机|激光刻字|激光打
粉化学成分不变,粒径均匀,晶形不变。我公司目前已生产出的超细粉体有以下29种: 1. (Cr2O3 ) 2.(SiO2 )3.(W) 4.(NiSO4) 5.(HfO2 ) 6.(C)7
;宁波市海曙区威力三星贸易有限公司;;欧、日、美、德等二手进口工控拆机配件、半导体行业设备及配件、机械行业设备等,如尼康光刻机NSR1505-G4备品备件,莱宝真空泵、真空阀、UV紫外线光源机、日本