3月31日消息，昨日中微公司发布其2020年年报，报告期内，中微公司实现营业收入22.73亿元，较上年增长16.76%。归属于上市公司股东的净利润4.92亿元，同比增长161.02%。扣非净利润2331.94万元，同比减少84.19%。

中微公司在年报中表示，2020年归母净利润实现翻倍增长主要源于：（1）中芯国际科创板股票投资公允价值变动收益约2.62亿元；（2）公司2020年计入非经常性损益的政府补助较2019 年增加约2.26亿元。而该年扣非净利润较上年同期减少84.19%，则是由于实施股权激励产生的股份支付费用约1.24亿元（属于经常性损益）。

图片来源：中微公司年报截图

从营收构成来看，中微公司来自半导体设备产品销售的收入达到17.99亿元，来源于设备相关配件的营收为4.42亿元，而设备支持服务的收入则为0.33亿元。产品销售中源于刻蚀设备的收入为12.89亿元，同比增长约58.49%；源于MOCVD设备的收入为4.96亿元，同比下降约34.47%。

图片来源：中微公司年报截图

在年报中，中微公司就刻蚀技术的未来发展作出了分析。分析指出随着芯片制程向5纳米及更先进制程发展，当前浸没式光刻机受光波长的限制，需要结合刻蚀和薄膜设备，采用多重模板工艺，利用刻蚀工艺实现更小的尺寸。刻蚀技术及相关设备的重要性因此进一步提升。而在2D存储器件的线宽接近物理极限后，NAND闪存已进入3D时代，在其制造工艺中，增加集成度的主要方法不再是缩小单层上线宽而是增加堆叠层数。3D NAND层数增加要求刻蚀技术实现更高的深宽比。

中微公司指出，为应对上述趋势，自身在刻蚀设备技术上的研发进展包括：

（1）在逻辑集成电路制造环节，其开发的12英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户65 纳米到5纳米的芯片生产线上；同时，其根据厂商的需求，已开发出小于5纳米刻蚀设备，用于若干关键步骤的加工，并已获得批量订单。目前正在配合客户需求，开发新一代刻蚀设备和包括更先进大马士革在内的刻蚀工艺，能够涵盖5纳米以下更多刻蚀需求和更多不同关键应用的设备。

（2）在3D NAND芯片制造环节，其电容性等离子体刻蚀设备可应用于64层和128层的量产，同时根据存储器厂商的需求正在开发新一代能够涵盖128层及以上刻蚀应用及相对应的极高深宽比的刻蚀设备和工艺。此外，电感性等离子刻蚀设备已经在多个逻辑芯片和存储芯片厂商的生产线上量产，正在进行新技术研发，以满足5纳米以下的逻辑芯片、1X纳米的DRAM芯片和128层以上的3D NAND芯片等产品的ICP刻蚀需求，并进行高产出的ICP刻蚀设备研发。

在用于制造LED外延片的MOCVD设备技术上，中微公司表示，其用于Mini LED生产的MOCVD设备的研发工作进展顺利，已有设备在领先客户端开始进行生产验证；此外，制造Micro LED等应用的新型MOCVD设备也正在开发中。

中微公司在年报中称，去年全年其研发投入总额为6.40亿元，其中包含股份支付费用0.49亿元。若剔除股份支付费用则全年研发投入为5.91亿元，较2019年增长39.16%，主要由于新工艺的研发，包括存储器刻蚀的CCP和ICP刻蚀设备、Mini-LED大规模生产的高输出量MOCVD设备、Micro-LED应用的新型MOCVD设备等。

封面图片来源：拍信网