据韩媒最新报道，三星电子正准备在2025年初引入其首款High NA EUV（极紫外）光刻机设备，这或许标志着这家三星电子在先进半导体制造领域取得重大进步。

ASML独家提供的极紫外光刻机对于2nm以下更先进制程的工艺至关重要，三星此前曾设定了到2027年实现1.4nm工艺商业化的目标，行业人士表示，三星将加快其1nm芯片商业化的开发工作。

据悉，每台High NA EUV光刻机售价约3.5亿美元（约合人民币25亿元），远高于ASML标准EUV系列的1.8亿~2亿美元。High NA系统具有8mm分辨率，晶体管密度是Low NA系统的三倍。具体而言，High NA EUV技术超越了现有的EUV系统，能够创建更精细的电路设计，使其适用于运行在5nm以下的芯片，如CPU和GPU等系统半导体。

虽然标准EUV对5nm及以下工艺有效，但High NA EUV可以进一步实现2nm以下的电路尺寸，从而提高性能并减少曝光次数，从而降低生产成本。比利时微电子研究中心IMEC与ASML合作的最新研究表明，一次High NA EUV曝光可以产生完整的逻辑和存储电路。

据报道，三星首款High NA EUV设备——ASML的EXE:5000型号预计将于2025年初上市。鉴于半导体设备安装的复杂性（通常涉及漫长的测试阶段），EXE:5000预计将于2025年第二季度投入运营。

据悉，在全球范围内，3纳米以下制程的竞争者目前仅有台积电、英特尔和三星三家晶圆代工厂。他们之间的竞争正在升温，加速竞相获得2nm以下工艺的High NA EUV设备。英特尔于2023年12月率先获得该设备，台积电于2024年第三季度紧随其后。

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