晶圆代工布局2nm芯片,瞄准High-NA EUV光刻机

发布时间:2023-12-20  

韩国三星日前与荷兰半导体设备商ASML签署了价值1万亿韩元(约7.55亿美元)的协议,两家公司将在韩国投资建造半导体芯片研究工厂,并将在该研究工厂开发新一代EUV半导体制造技术。三星电子副董事长兼设备解决方案部门负责人Kyung Kye-hyun强调,两家公司的最新协议将帮助其获得下一代High-NA EUV光刻机。

根据外媒sammobile的报道,Kyung表示三星已经获得High-NA EUV技术的优先权。而且,这次的协议为三星创造了一个机会,可以长期优化 High-NA 半导体曝光技术在 DRAM 和逻辑芯片在生产中的使用。

报道强调,三星与ASML的协议,是在韩国京畿道即将建成的芯片研究工厂中,两家公司的工程师将共同努力改进EUV制程技术的半导体生产。另外,三星与ASML的交易重点不是将2纳米芯片的制造设备引进韩国,重点是与这家荷兰公司建立合作伙伴关系,以便它可以更好的利用下一代光刻机设备。

ASML将在未来几个月内推出能制造2纳米节点芯片的设备。其最新的High-NA EUV光刻机的孔径将从0.33,提高到0.55,这将使芯片制造商能够使用超精细图案化技术来制造2纳米节点芯片。因此,ASML计划2024年生产10台High-NA EUV,据悉英特尔已采购了其中6台。未来几年,ASML计划将此类半导体芯片设备的产能提高到每年20套。

另外,从ASML High-NA EUV光刻机后,三星计划在2025年底开始生产2纳米节点制程芯片。然而,与任何技术和计划一样,此类芯片的推出也可能会延迟,具体状况将取决于市场状况和良率。

封面图片来源:拍信网

文章来源于:全球半导体观察    原文链接
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