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前沿技术与解决方案。目前，公司已完成SiC、LTOI、LNOI等多种键合衬底材料以及高端晶圆键合设备的研发与量产。 封面图片来源：拍信网......
系统是战略合作伙伴关系的开始 2024年6月13日，奥地利圣弗洛里安和德国莫里茨堡——微机电系统（MEMS）、纳米技术和半导体市场晶圆键合与光刻设备领先供应商EV集团（EVG），与全......
材料公司揭晓了在异构集成先进封装三大关键领域的多项创新成果，即芯片对晶圆混合键合、晶圆对晶圆键合、以及先进衬底。 加速芯片对晶圆混合键合 芯片对晶圆混合键合使用铜到铜直接互连来提升I/O密度，缩短小芯片间的连线长度，从而......
精科成立于2012年5月，主营业务为集成电路制造装备及关键零部件的研发和产业化。目前产品包括光刻机双工件台及其衍生产品超精密运动平台、激光退火设备、晶圆键合设备、晶圆传输系统、主被动隔振器、静电......
降低新型红外激光释放技术成本 2024年5月28日，奥地利圣弗洛里安——微机电系统（MEMS）、纳米技术和半导体市场晶圆键合与光刻设备领先供应商EV集团（EVG）今日推出EVG®880 LayerRelease™......
EV集团为EVG®850 NANOCLEAVE™系统采用革命性的层转移技术，实现批量生产; 2023年12月13日，奥地利圣弗洛里安——为微机电系统（MEMS）、纳米技术和半导体市场提供晶圆键合和光刻设备......
术与传统的2D制造技术相较，不但可节省50%成本，还可用于未来及平台整合设计，如CPU和GPU甚至是存储器整合，实现新一代3D芯片堆叠发展。 IME 新一代半导体堆叠法，透过面对面和背对背晶圆键合......
%比例进行分成。 双方将合作开展包括但不限于以下先进半导体设备的技术创新及研发迭代：全球领先的涂胶显影设备、先进高端型湿法电镀设备、创新自主研发的半导体自动化设备、高技术壁垒的晶圆键合设备、尖端的湿法清洗设备......
继续提升产品性能，2021年思特威开始进行本土BSI背照式先进工艺平台的研发，在多项关键技术工艺上取得突破性成果，创新推出了国产高端BSI工艺平台。此次思特威携手晶合集成推出的国产自研高端BSI平台通过晶圆键合......
出了用于2.5D/3D封装12寸临时键合解键合设备。 芯睿科技董事长周玮表示，目前高端晶圆级键合设备几乎由国外厂商垄断，本轮融资资金将主要用于开发大尺寸高精度混合键合设备，力求实现国产化替代，并希望在芯片3D......
进行处理等。 晶圆键合 晶圆键合大致分为“直接键合”、“通过中间层键合”2类。 直接键合不使用粘合剂等，是利用热处理产生的分子间力使晶圆相互粘合的键合，用于制作SOI晶圆等。 通过中间层键合是借助粘合剂等使晶圆互相粘合的键合......
铠侠和西部数据宣布推出 218 层 3D NAND 闪存;IT之家 3 月 31 日消息，和公司近日宣布了他们最新的 3D 闪存技术，该技术具有超高的容量、性能和可靠性，同时价格合理。该技术采用了先进的缩放和晶圆键合......
SK 海力士很可能会共同设计这种集成芯片，并借助台积电进行代工，然后通过台积电的晶圆键合技术将 SK 海力士的 HBM4 芯片堆叠到逻辑芯片上。而为了实现内存芯片和逻辑芯片的一体协同，联合设......
西部数据携手铠侠推出第八代3D闪存技术;采用突破性缩放和晶圆键合技术的架构创新，在性能、密度和成本效益方面实现了重大飞跃西部数据公司（NASDAQ：WDC）日前宣布，与合......
封装技术可以让很多新的芯片很好地进行互连。   晶圆键合（Wafer Bonding）是近十几年快速发展起来的新兴半导体加工技术，在MEMS，CIS和存储芯片等领域有着重要的应用，通过界面材料，它分为带中间层的胶键合、共晶键合、金属......
先进传感器中试线成功通线。 该中试线以国产设备为主，具备晶圆键合、晶圆减薄、干湿法刻蚀、物理和化学气相沉积、原子层沉积、化学机械研磨、湿法清洗、自动化量测等先进传感器和晶圆级3D集成技术的核心工艺能力，同时......
传三星大量订购2.5D键合设备，或用于HBM3内存;据韩媒《TheElec》报道，三星已向日本新川公司（Shinkawa）订购了16台2.5D键合设备。消息人士称，目前三星已收到7台设备，可能在需要时申请剩余的设备......
思特威自研先进BSI工艺平台首批落地量产的产品，通过该平台晶圆键合技术、晶圆减薄技术以及硅表面钝化技术三大关键工艺技术，可为当下智能手机前摄、后置主摄以及后置辅摄应用提供优异的成像性能。 创新影像技术与12英寸晶圆......
2024年，这一部分预计将增加。最后，晶圆键合WFE部分在2023年同比增长了13.8%，预计在2024年将进一步增长26%，由于供应商数量有限。 事实上，晶圆键合......
闪存采用先进的微缩和晶圆键合技术，不仅成本上极具吸引力，同时还提供卓越的容量、性能和可靠性，因而成为满足众多市场中指数级数据增长需求的理想选择。“新的3D闪存展示了我们与铠侠强大的合作关系以及我们在3D......
以集成计量起家，因此平面化和抛光起着关键作用。当您将晶圆键合在一起时，它们需要非常均匀。因此，我们看到越来越多的原位 CMP 计量要求，并且我们针对这些键合层提供了集成的计量解决方案。 之所以称为混合键合......
ERS electronic推出具备光子解键合和晶圆清洗功能的全自动Lumine;半导体制造业提供温度管理解决方案的领导者宣布推出两款全新系列全自动设备：LUM300A1和 LUM300A2，这两台设备......
您要管理芯片四个角的位置，而不是两个晶圆的整体位置。” 晶圆对晶圆键合最常用于将像素阵列键合到相机图像传感器中的底层芯片。“混合键合在 2010 年改变了图像传感器的游戏规则。长江存储是第一家做混合键合的NAND......
横向收缩技术，可将位密度提高约50%。同时，其NAND I/O速度超过3.2Gb/s，比上一代产品提高了约60%，此外，其写入性能和读取延迟则改善了20%。 铠侠和西数表示，该产品采用先进的缩放和晶圆键合......
现激光器和硅的这种更紧密的集成，方法有很多。目前正在研究4种基本策略：倒装芯片处理、微转印、晶圆键合和单片集成。 倒装芯片集成 有一种简单方法可以在硅晶圆......
硅等复合衬底材料及加工服务方向，采用晶圆键合技术实现异种晶圆间的异质集成，有效实现质量、性能和成本的最优组合。而北京青禾晶元作为国际领先的半导体材料企业，是国内唯一一家掌握全套半导体衬底室温复合技术的半导体公司，可有......
机和耗材买卖服务。 2022年12月，芯睿科技曾在苏州工业园区新建千级超净车间及办公室，拟用于大尺寸键合设备、激光键合设备的研发生产。 芯睿科技产品应用覆盖半导体各领域，工艺能力覆盖2-12英寸，是临时键合......
思特威自研先进BSI工艺平台首批落地量产的产品，通过该平台晶圆键合技术、晶圆减薄技术以及硅表面钝化技术三大关键工艺技术，可为当下智能手机前摄、后置主摄以及后置辅摄应用提供优异的成像性能。 智能......
山实验室硅光工艺团队与合作伙伴协同攻关，在8寸硅光晶圆上异质键合III-V族激光器材料外延晶粒，再进行CMOS兼容性的片上器件制成工艺，成功解决了III-V材料结构设计与生长、材料与晶圆键合良率低，及异质集成晶圆......
安装和投产打下良好基础，实现了当年签约、当年落地、当年开工、当年封顶。 据报道，富士康半导体高端封测项目由富士康科技集团和融合控股集团有限公司共同投资，将运用世界领先的扇出型封装和晶圆键合堆叠封装技术，封装......
芯睿科技新项目开工 累计出货近50台;据苏州纳米城消息，12月14日，苏州纳米城企业苏州芯睿科技有限公司在苏州工业园区举行新建千级超净车间及办公室开工仪式。该项目占地面积约4000m²，将用于大尺寸键合设备......
成电路材料研发生产项目、绿菱气体有限公司电子研发产业化基地项目、三井高科技（天津）有限公司扩大集成电路引线框架产能、升级电镀设备技术投资项目、晶圆键合机项目、金凤科技智能芯片以及智能仪器仪表项目。 封面......
铠侠推出第八代BiCS FLASHTM QLC闪存，为业界带来领先的2Tb最大容量;采用突破性的缩放和晶圆键合技术，闪存架构迎来创新升级。铠侠株式会社今日宣布，其采用第八代BiCS FLASHTM......
还小，移转 Micro LED 时还可借晶圆键合（Wafer bonding）进一步将制程简化，降低技术门槛。 在 Micro LED 导入大尺寸应用部分，其优势是 PPI（像素密度）低，Micro LED......
中科院微电子研究所在氮化镓—金刚石异质集成方面取得新进展;近日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与日本东京大学盐见淳一郎团队合作，在氮化镓（GaN）—金刚石晶圆键合技术领域取得了新进展。该项研究创新地使用了表面活化键合......
元。除此之外，地缘政治局势给美国、欧洲以及日本设备供应商带来了额外的阻力，让他们失去了获利颇丰的区域出货量。工艺技术，包括蚀刻和清洁、沉积、离子注入、量测，也有相当大的收入季度下降，唯一的例外是晶圆键合......
营收表现下滑；营业利润方面由于受到价格下跌、库存减记、产能调整以及年度税收影响进一步恶化。 今年3月31日，铠侠和西部数据联合发布了最新的218层BiCS 8闪存产品，采用最新横向微缩和晶圆键合......
动包括人工智能在内的多个应用领域的增长。 采用突破性的缩放和晶圆键合技术，闪存架构迎来创新升级。铠侠株式会社今日宣布，其采用第八代BiCS FLASHTM 3D闪存技术的2Tb四级单元 (QLC) 存储器已开始送样（1）。这款2Tb QLC存储......
全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆下线;据湖北九峰山实验室消息，2024年2月20日，全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在九峰山实验室下线。此项成果使用8寸SOI硅光晶圆键合8寸铌酸锂晶圆......
Bonding)，将集成密度和性能再提升10倍。为此，主流存储制造商都在使用混合键合设备进行研发。根据Yole指出，铠侠和三星等厂商正在将晶圆到晶圆键合引入到NAND路线图中。 　　据泛林集团(Lam......
的制备及片上微纳加工工艺上。 九峰山实验室工艺中心基于8寸SOI硅光晶圆键合8寸铌酸锂晶圆，单片集成光电收发功能，成功破解了这一难题。 九峰山实验室表示，近年来，由于5G通信、大数据、人工......
极高的应用价值。 此次，科研团队采用基于“万能离子刀”的异质集成技术，通过离子注入结合晶圆键合的方法，制备了高质量硅基钽酸锂单晶薄膜异质晶圆；同时，与合作团队联合开发了超低损耗钽酸锂光子器件微纳加工方法，成功......
Sensor，3D堆叠传感芯片需要将上下两片晶圆键合在一起。通过将背照式（BSI）的SPAD传感芯片晶圆（上方）和数字逻辑电路晶圆（下方）以Cu-Cu混合金属键合技术进行堆叠，ADS6401实现......
Ultra C Tahoe取得重要性能突破；半导体设备公司芯慧联新发布的混合键合设备打破我国该设备市场的长期空白状态；晶盛机电逐步实现8-12英寸半导体大硅片设备的国产化突破，并在功率半导体设备和先进制程设备......
钽酸锂薄膜可实现低成本和规模化制造，具有极高的应用价值。 采用基于“万能离子刀”的异质集成技术，通过氢离子注入结合晶圆键合的方法，制备了高质量硅基钽酸锂单晶薄膜异质晶圆。同时，与合......
科技下属基金）领投，资金将用于加大碳化硅预烧结键合设备批量交付和先进封装HBM设备的商业化。 公开资料显示，硅酷科技成立于2018年12月，聚焦多场景的芯片互联技术，其中碳化硅的预烧结贴合设备......
衬底被氧化，在其表面形成掩埋氧化物。然后，氢被注入到供体衬底的同一表面，氢原子停留在氧化物下方的浅距离处，相当于器件层的厚度。然后清洁并翻转供体晶片，使其氧化和氢注入的表面可以与基础衬底接触。室温亲水晶圆键合工艺暂时融合两个晶圆......
炭素开发的用于功率半导体的SiC晶圆，被称为“层压SiC晶圆”。层压SiC晶圆是通过将带有预刻槽的单晶SiC晶圆与多晶SiC晶圆键合，然后加热剥离刻槽部分，在作为衬底的多晶SiC晶圆上形成单晶SiC薄膜......
传ASMPT与美光联合开发下一代HBM4键合设备;据韩媒报道，韩国后端设备制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高带宽内存 (HBM) 生产的演示热压 (TC) 键合机。双方已开始联合开发下一代键合......
技术依赖于优化逻辑电路面积和位置的特定策略，如CMOS-Under-Array(CUA)和晶圆到晶圆键合(wafer-to-wafer bonding)解决方案。如今，所有存储器制造商都在进行混合键合的研发，包括Kioxia和......

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及菲律宾等地区。 　　主要产品包括有：晶圆键合设备、纳米压印设备、紫外光刻机、涂胶显影机、硅片清洗机、超薄晶圆处理设备、压力计、流量计、等离子电源、非接触式光学三坐标测量仪、薄膜厚度检测仪、电容式位移传感器、振动
玉环天翔汽车零部件有限公司
;玉环天翔汽车零部件有限公司;;企业是生产半圆键系列、气动元件系列、汽车底盘配件等产品的生产厂家。按 标准（GB1099.1-2003）及非标准生产精制半圆键，用合金钢制成的半园键系列，被广 泛使
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刘旺生
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