据全球半导体观察在《全球有多少座8英寸碳化硅芯片厂?》中统计,全球将新建14座碳化硅厂房(在建12座),短期内仅有Wolfspeed莫霍克谷工厂能够提供8英寸碳化硅晶圆,最早则从明年开始陆续有厂家可以供应上8英寸碳化硅晶圆。
近日,多家碳化硅大厂再公布了多条8英寸碳化硅推进的消息。Coherent方面出售英国晶圆厂,推出8英寸碳化硅外延晶圆;碳化硅大厂罗姆出售部分股份,日本电装推出了多个8英寸碳化硅新品;另外包括Resonac在内的多家日本企业进军8英寸键合碳化硅衬底市场。
Coherent出售英国晶圆厂,推出8英寸碳化硅外延晶圆
近日,Coherent宣布了两个重大消息,分别为推出其8英寸碳化硅外延晶圆(SiC epi-wafers)和以2000万英镑(约1.85亿人民币)出售英国晶圆厂。
Coherent官微消息显示,将其位于英国北部达勒姆郡Newton Aycliffe的晶圆厂以2000万英镑的价格出售给英国政府,该晶圆厂主要生产面向通信和航空航天与国防领域制造的砷化镓(GaAs)等半导体射频微电子和光电子器件。
据悉,该晶圆厂自1991年由伊丽莎白女王揭幕以来,至今已有超30年的历史,其占地面积约为31万平方英尺,号称是“英国最大的微芯片工厂之一”。此次Coherent出售该厂,与其与苹果公司供应关系出现重大变动相关。据悉,苹果在2023财年底终止了与Coherent的相关重要产品供货协议,Coherent指出,用于苹果iPhone智能手机3D传感的VCSEL产品销量大幅下滑,对其整体销售额产生明显的影响。
值得注意的是,英国政府不仅完成了收购,还计划对该晶圆厂进行投资,并更名为Octric Semiconductors UK,以新的姿态继续其在半导体制造领域的征程。目前,该工厂是否会生产光电子器件尚未可知,不过,这一战略投资会保证该设施在未来具备生产GaAs半导体以及更强大半导体(包括最新技术)的能力。
另外,Coherent宣布推出其8英寸碳化硅外延晶圆(SiC epi-wafers),其350微米和500微米厚度的衬底和外延晶圆目前正在出货中。Coherent表示,新的8英寸碳化硅外延晶圆采用尖端的厚度和掺杂均匀性设计,树立了新的行业标准,并支持优质碳化硅功率半导体的生产。
今年4月,Coherent曾宣布,其基于CHIPS法案Coherent获得1500万美元的资金,用于加速下一代宽带隙和超宽带隙半导体(分别为碳化硅和单晶金刚石)的商业化。Coherent表示,由于人工智能和计算密集型工作负载的爆炸性需求,这些数据中心的功耗正在快速增长,而碳化硅电力电子器件也因其能大幅提高人工智能(AI)数据中心和传统超大规模数据中心能效方面的潜力而日益得到认可。
碳化硅大厂罗姆出售部分股份,日本电装入局碳化硅
近日,据电装公司(DENSO)官网披露,他们与罗姆开始考虑在半导体领域展开合作,合作将重点围绕汽车应用的半导体的开发和供应;为了进一步巩固合作关系,电装还将收购罗姆的部分股份。
两家公司认为,随着电动汽车的发展和普及,车辆电气化所需的电子元件和半导体的需求正在迅速增加;他们将通过股权整合等进一步深化合作伙伴关系,以实现高度可靠产品的稳定供应,并开发有助于可持续社会的高质量和高效率半导体。
罗姆方面,近期其宣布三大重要消息:一是其第4代SiC MOSFET成功应用于极氪汽车的极氪X、极氪009和极氪001等3款车型的主机逆变器上;二是计划于2025年推出第5代SiC?MOSFET,同时也提前了第6代及第7代产品的市场投入计划;三是今年日本工厂开始生产8英寸SiC,计划于2025年供货。
电装作为Tier1厂商,近年来正在积极布局SiC领域。此前,该公司还曾收购了Coherent(原贰陆)的部分股权。去年10月,电装和三菱电机宣布,他们将各投资5亿美元(约36.5亿人民币),获得Coherent碳化硅业务12.5%的非控股所有权,Coherent拥有剩余75%的所有权,三方将共同成立一家新的SiC子公司。此外,三方还签订了长期供应协议,Coherent将支持2家日本企业6英寸/8英寸碳化硅衬底和外延片需求。
多家日本企业进军8英寸键合碳化硅衬底市场
近日,Resonac(原昭和电工)官网宣布,他们与Soitec签订了联合开发协议,双方将共同开发8英寸SiC。
据悉,Soitec对高品质的SiC单晶基板进行加工,将加工后的表面粘贴到作为支撑基板的多晶?SiC晶片上,并将单晶基板分割成薄膜,从而制作出单个SiC单晶基板。可生产多种高质量 SiC 晶圆的独特技术(SmartSiCTM技术)。通过将Resonac的高质量SiC单晶基板与Soitec的基板接合技术相结合,目标是提高8英寸SiC晶圆的生产率,并使SiC外延片业务的供应链多样化。
在SiC供应方面,Resonac在9月13日宣布新建SiC晶圆厂。其子公司Resonac Corporation已开始在山形县东根市的山形工厂建造SiC晶圆(衬底及外延层)新生产大楼,奠基仪式于9月12日举行。该新工厂建筑面积为5,832平方米,预计将于2025年第三季度完工。
据日媒8月报道,Resonac的8英寸SiC外延片品质已经达到了6英寸产品的同等水平。预计一旦成本优势超过6英寸产品,Resonac就会开始转型生产8英寸产品。
另外,9月27日,住友金属矿山株式会社及其全资子公司Sicoxs Coparation宣布,将在Sicoxs的Ohkuchi工厂建设一条新的8英寸(200mm)SiCkrest大规模生产线,SiCkrest为直接键合的碳化硅(SiC)衬底。住友金属预计,随着8英寸衬底生产线的建成,到2025财年下半年,键合SiC衬底的月产能将超过10,000片(6英寸等效)。同时,Sicoxs还计划开始向其被许可方供应多晶SiC支撑基板。
8月,碳和石墨产品综合制造商东海碳素(Tokai Carbon)拟投资54亿日元在日本神奈川县茅崎市建立一条多晶SiC晶圆专线,并预计将于2024年12月完成建设。东海炭素开发的用于功率半导体的SiC晶圆,被称为“层压SiC晶圆”。层压SiC晶圆是通过将带有预刻槽的单晶SiC晶圆与多晶SiC晶圆键合,然后加热剥离刻槽部分,在作为衬底的多晶SiC晶圆上形成单晶SiC薄膜而制成的。由于单晶SiC层是薄膜,单晶SiC晶圆可重复使用10次以上,一张单晶SiC晶圆可生产10张以上的键合晶圆。
此前报道,今年5月,东海炭素与法国半导体材料制造商Soitec就多晶SiC晶圆达成合作,公司将在中长期内为Soitec供应6英寸和8英寸多晶SiC晶圆。除了在日本茅崎市基地设立多晶SiC专线外,东海炭素还计划在其位于韩国京畿道安城市的现有工厂生产多晶SiC。
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