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60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化，N沟道增强型功率MOS场效......
世微宽电压 9-100V 2.6A 降压恒流驱动IC LED车灯方案(2024-05-11)
需要紧挨着端口布局。
◆MOS 管选择
MOS 管耐压选择要高于 输入电压的 1.2 倍以 上； MOS 管电流 IDS 选择一般要求是电感最大峰值 电流的 2 倍以上。MOS 管的导通电阻 RDSON 越 小，损耗......
浪涌电流是什么意思？如何抑制浪涌电流？4种浪涌电流抑制电路(2024-06-24)
Vgs电压的升高而变小。
-Vgs>-Vgs(th) 和 -Vgd<-Vgs(th)MOS管 处于饱和模式。Id是固定值，不随Vds变化。而且MOSFET的导通电阻很低，适合......
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施(2023-02-14)
流比较大，强的积分很容易引起振荡，这个振荡叫米勒振荡。
如下图中蓝色线
图六
因为MOS管的反馈引入了电容，当这个电容足够大，并且前段信号变化快，后端供电电压高，三者结合起来，就会......
电源防反接电路笔记(2024-11-11 14:18:47)
简化等效电路
如下图所示为等效的N-MOS管内部构造。
当Vgs大于阈值电压时MOS管打开，此时DS之间等效的电阻为R1（图中为10毫欧）。但是注意GS之间的电压也有范围，一般是正负20伏，超过......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
衬底的电场。
由于氧化物层是绝缘的，栅极所加电压VGS无法形成电流，氧化物层的两边就形成了一个电容，VGS等效是对这个电容充电，并形成一个电场。
随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在这个电容......
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性(2024-01-18)
管结构。
图1.具有寄生电容的MOSFET结构。
电容值会随着工作区域的变化而变化，我们将在接下来的部分中讨论。
栅源和栅漏电容
虽然图1中没有显示，但在晶体管制造过程中，源极和漏极在栅极下方略微延伸。在栅......
MOS管驱动电流估算(2024-04-02)
升到最大电流时，Id不再变化，Cgs也不再变化。
这时输入电压不给Cgs充电，而是给Cgd米勒电容充电，然后MOS管完全导通。
MOS管完全导通之后，输入电压不再经过米勒电容，又继续给Cgs充电......
两步走 解决开关电源输入过压的烦恼！(2023-02-06)
，在用电高峰期，电压通常较低，而在设备关闭时，电压则较高。
电网电压幅值的实际变化范围随着电网容量、输配电设备质量、用电量以及其他因素的变化而变化很大。在拥有完善电源系统的城市和工业区里，变化......
这40个模拟电路基础知识太有用了！(2024-06-06)
较大的漏极电流流向源极(如果加负的Vgs，那么可能出现夹断，此时的电压成为夹断电压Vp***重要特性***：可以在正负的栅源电压下工作)
22、N沟道的MOS管需要正的Vds(相当于三极管加在集电极的Vcc......
90%的工程师会忽略的 40 个实用模拟电路小常识，你是其中之一吗？(2024-10-20 23:26:13)
因为带损耗的传输线反射同频率相关，这种情况下，尽量缩短PCB走线就显得异常重要。
2、稳压二极管就是一种稳定电路工作电压的二极管，由于特殊的内部结构特点，适用反向击穿的工作状态，只要限制电流的大小，这种......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。
此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压......
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项，您知道吗？(2024-06-14)
NTH4L022N120M3S的阈值电压具有 NTC，因此在最高结温TJ(MAX) = 175°C时具有最低值。即使数据表中的典型VGS(TH)为2.72V，但在考虑样品25%的工艺变化和温度系数的最坏情况下，它可......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
数是指设计中，实际通过mos管的电流与漏源两端的电压差值乘积，不应大于该值。 所以该值的很大程度取决于mos管中实际流过的电流值。
c. **Vgs（栅源电压范围）**：该值表示在mos管的实际开启关闭中，GS间所能承受的最大电压......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管，SVG032R4NL5采用......
变频器的辅助电源设计(2023-08-25)
，IRCD为MOS管导通时RCD吸收电路产生的电流，可由下面吸收电路计算得到。
考虑到启动瞬间MOS管电压比正常工作时要高，所以选择1500V的MOS管，其损耗为
式中，
Co.Q——MOS管输出电容......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
控制电流器件，由VGS控制ID，普通的晶体三极管是电流控制电流器件，由IB控制IC。MOS管道放大系数是（跨导gm）当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培。晶体......
SiC MOSFET的短沟道效应(2023-03-29)
）与SiC MOSFET输出特性曲线（右）
由于SiC-MOS器件的VGS(th)随着漏极电压的增加而减少，饱和电流ID,sat上升得更明显，原因可参见以下公式，可以看到，饱和电流与过驱动电压（VGS......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚，图二所示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。
2、场效应管是电压控制电流器件，由VGS控制ID......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
比起三极管，MOS管有挺多优势，后面将会详细讲起。下图是MOS管实物3D图和电路图。简单的讲，要让他当做开关，只要让Vgs（导通电压）达到一定值，引脚D、S就会导通，Vgs没有达到这个值就截止。
那么......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。（因为MOS管有Rds，如果Ids比较大，就会导致Vds很大）
综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变......
升降压原理浅析(2023-03-20)
中的能量会通过二极管给负载放电，见红色放电路径，与此同时，Vin也会通过二极管给负载放电，两个电压叠加到Vout实现升压，放电时间：
是放电时电感电流的变化量
是电感放电时长
3.一个开关周期内，充电和放电的电流变化......
MOS管在汽车LED 中的应用方案(2024-07-09)
适合的MOSFET可降低开关损耗，提高电源效率。选型时考虑功率、电压、电流承受、开关速度、热特性和封装类型。微碧半导体的MOSFET产品具有卓越性能和可靠性，为汽车LED驱动提供解决方案。
MOS管在......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
压控型，导通由G和S极之间压差决定。
对NMOS来说，Vg-Vs>Vgs(th)，即G极和S极的压差大于一定值，MOS管会导通，但是也不能大太多，否则烧坏MOS管，开启电压......
电机控制器中的MOS驱动(2024-10-18 15:10:10)
充电，栅源电压（VGS）达到一定阈值后，MOS才能完全开通。在MOS开通后，还需要维持合适的栅源电压（VGS），才可以保持开通状态。相关
文章：
MOS......
米勒电容、米勒效应和器件与系统设计对策(2023-03-06)
电流从下管流过，CE间电压从母线电压降至饱和电压Vcesat。而此时，上管IGBT必须关断，CE间电压从饱和电压跳变到母线电压。上管电压的从低到高跳变，产生很大的电压变化率dv/dt。dv/dt作用在上管米勒电容......
在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路(2023-09-18)
上（24V），所以MOS管G极电压应该比源极高12V时才能够导通（Vgs=36V）,这里利用电容两端电压不能突变的特性，半桥驱动芯片内部电路将MOS管栅极抬升至36V，此时MOS栅源电压......
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法(2024-06-10)
管D2导通，这样所有的电荷都给电容C1以时间常数R1×C1充电，栅源电压Vgs以相同的速度上升，直到MOS管Q1导通产生冲击电流。
其中Vth为MOS管Q1的最小门槛电压，VD2为二极管D2的正......
H桥电机驱动解析(2024-03-04)
于高端和低端的位置不同，而MOS的开启条件为Vgs>Vth，这便会导致想要高端MOS导通，则其栅极对地所需的电压较大。
补充说明：因为低端MOS源极接地，想要导通只需要令其栅极电压大于开启电压......
电源设计--DC/DC工作原理及芯片详解(2024-11-08 11:12:29)
的基本方程为：
V(t)=L*dI(t)/dt
,即电感两端的电压等于电感感值乘以通过电感的电流随时间的变化率。
根据上述方程，可得
dI(t)=1/L∫V......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
效模型。
图5 NMOS等效模型
MOS其实可以看成是一个由电压控制的电阻。这个电压指的是g、s两端的电压差，电阻指的是d、s之间的电阻。这个电阻的大小呢，它会随着g、s电压的变化而产生变化......
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用(2022-11-28)
电流最大值为90A，开启延迟典型值为6.5nS，关断延迟时间典型值为30nS，上升时间17nS，下降时间17nS，反向传输电容350pF，反向恢复时间35nS，正向电压的最大值1.2V，导通......
牛人剖析功率MOS，从入门到精通(2024-11-18 19:30:30)
：
实际的功率MOSFET 可用三个结电容，三个沟道电阻，和一个内部二极管及一个理想MOSFET 来等效。三个结电容均与结电压的大小有关，而门极的沟道电阻一般很小，漏极......
NMOS 、 PMOS管 原理、选型、应用（非常实用值得参考）(2024-11-04 21:17:04)
意如果刚学完三极再来看这个会觉得很别扭，记不住，下面与NMOS原理做介绍，PMOS就刚好是相反的。
上图NMOS管是压控型器件，VGS电压大于开启电压时，内部沟道在场强的作用下导通，Vgs电压小于开启电压......
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管(2024-10-21 20:54:06)
时间；
比较器的迟滞；
第1、2和第5 个参数在DC 环境有最大的影响，会延长转变时间。考虑到不同MOS 管的参数差异以及不同负载下的变化，导通......
STM32F0单片机 PWM + ADC 控制有刷电机(2023-03-14)
，则正向旋转，如果加反向电压，则旋转方向也反过来。电机的转速可以通过控制加在电极上的电压来调节。
在电机控制电路中最常用的器件就是 MOS 管了。可以分为两个大的类型：P 沟道 MOS 和 N 沟道......
开关电源电路设计的10个经验(2024-06-03)
就是2*(5+0.4)=10.8V，绕组空载的时候，输出电压为10.4V，随着第二个绕组带载电流增大，电阻R2及L2上压降增加，二极管V2压降也增加，那么C2上电压逐渐开始降低，这个电压的变化......
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？(2023-03-17)
VGS对ID的控制作用，其表征了器件的放大能力。对于恒定的VDS，VGS越大，则沟道中可移动的电子越多，沟道电阻越小，相应的ID就越大。当然这个VGS达到一定值的时候，电压再大，ID也不会再有太大的变化......
用于模拟IC设计的小信号MOSFET模型(2024-01-26)
定义为晶体管的漏极-源极电压相对于漏极电流的变化。我们可以通过绘制漏极电流与VDS的关系图来找到输出电阻。所得直线的斜率等于ro的倒数。
让我们看一下图2中的图。我们首先在之前的一篇关于MOSFET结构......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
这个过程与MOS管的过程略有不同，同时栅极电压也达到了米勒平台电压。
第3阶段：栅极电流对Cge和Cgc电容充电，这个时候VGE是完全不变的，值得我们注意的是Vce的变化非常快。
第4阶段：栅极......
一文详解电池充电器的反向电压保护(2024-04-26)
MOSFET
在三极管区域中是电对称的，因此它们在两个方向上都能很好地传导电流。采用此方法时，晶体管必须具有高于电池电压的最大 VGS 和 VDS 额定值。
遗憾的是，这种......
MOSFET每个参数都讲透了！(2024-10-08 15:24:00)
:3S时，VGs变化1V，那么漏极电流会增加3A。
在作为负载开关用时，若是电容性负载，则进入ON状态时，因为给电容......
碳化硅器件动态特性测试技术剖析(2023-01-10)
通串扰和反向恢复。
开关波形包括栅源极电压VGS、漏源极电压VDS、漏源极电流IDS。基于得到的开通和关断波形，可以获得很多开关特性的参数，包括：开关延时、开关时间、开关能量、开关速度、开通......
碳化硅器件动态特性测试技术剖析(2023-01-10)
来看一下寄生参数对开关特性的影响。实线为芯片上真实值，虚线为测量结果，可以看到实线和虚线具有明显差异。
在开关过程之初，VGS虚线测量结果在一开始呈现几乎垂直变化，而不是CR充放电过程；在开通过程，当VGS虚线测量结果超过阈值电压......
单片机端口输入输出阻抗(2023-03-28)
电阻阻抗的方式可以通过以下三种方式来进行：
通过V-A方法检测，也就是通过测量IO口输入、输出电流一项相对应的IO口电压的变化，来获得端口的等效串联点租。
使用万用表直接测量；
使用手持LCR表来测。
2.测量过程
通过......
【干货】带你解锁AC／DC、DC／DC转换器(2022-11-30)
整流是更具高效率的整流方法。此外，平滑后的纹波电压根据电容器容量和负载（LOAD）而变化。
全波整流和半波整流在相同的电容器容量和负载条件下，全波整流的纹波电压更小。纹波电压越小，稳定性越高、性能越优。
AC/DC转换......
功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识(2023-02-08)
、功率MOSFET零电压的开通
功率MOSFET要想实现零电压的开通，也就是其在开通前，D、S的电压VDS必须为0，然后，栅极加上VGS驱动信号，这样就可以实现其零电压的开通。在实际的应用中，通常......
一种高增益低噪声的图像探测器读出电路设计(2024-08-12)
结构
当Reset信号为高时，MOS开关开通，由运算放大器的虚短特性可知，输入端的电压与Vref相等，此时积分电容两端电压相等，都为Vref。当reset信号变为低电平时，MOS开关关断，由于输入端的电压......
升压转换器中的输出电压和二极管电流(2024-03-29)
升压转换器中的输出电压和二极管电流;了解输出电压和二极管电流如何影响升压开关调节器的性能。本文引用地址：在前面的文章中，我们使用图1中的示意图来探讨基本升压的设计决策和操作细节。现在......
几种常用的防反接电路(2024-06-05)
流开始流过的瞬间，电容充电，G极的电压逐步建立起来，如下图：
实际应用
对于PMOS，相比NMOS导通需要Vgs大于阈值电压，由于其开启电压可以为0，DS之间的压差不大，比NMOS更具有优势。
4、USB与电......
相关企业
压和时间的变化相对敏感。 Y5V材质的贴片电容属于II类低频电容器，其电容量受环境、温度、电压和时间的影响 变化大。 特点： NPO（COG）材质具有高的电容量稳定性，在-55℃～＋125℃工作
）： 此类介质材料的电容器为Ⅰ类电容器，包括通用型高频COG电容器和温度补偿型高频HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器。其中COG电容器电性能最稳定，几乎不随温度、电压和时间的变化而变化
;深圳市中冀联合科技股份有限公司;;代理强茂（肖特基）、DIODES、深爱（国内自己做晶圆的厂家，主要做低压mos管）、新功率（国内第一家拥有COOL mos技术的厂家，低压到高压的mos管都
;深圳市立泰电子科技有限公司;;深圳市立泰电子科技有限公司主要生产瓷片电容、压敏电阻、陶瓷电容、安规Y1电容、Y2安规电容。可根据客户特殊要求定做，编带产品，短脚产品。压敏电阻值随电压而变"，或者
或电流。但是，电力变压器转换电压和电流的目的，在于传递电能，互感器转换电压或电流的目的，在于测量和监视线路的电压或电流。一般说来，电力变压器的容量大，电压或电流的变化误差也大，互感
电力变压器相似,也是用来转换线路的电压或电流。但是，电力变压器转换电压和电流的目的，在于传递电能，互感器转换电压或电流的目的，在于测量和监视线路的电压或电流。一般说来，电力变压器的容量大，电压或电流的变化
用此思想也会一直贯通我们的服务。 一：针对旧货来源的电子市场以及不正当的竞争对手耐压测试仪可以辨认出电容的本来面目，为此本司所用电容的耐压测试仪测量值（铝箔腐蚀电压=腐蚀电压）皆为电容外皮所标电压的1.3倍以
;南平市延平区富俊电子配件厂;;南平富俊电子配件厂(原南平博伟电子有限公司)成立于1991年,是一家专业生产瓷管电容的综合配套企业,拥有先进水平的瓷管电容生产线及检测设备。现主要产品有瓷管电容,穿心电容
;河南华信电子有限公司（国营七九四厂）;;南平富俊电子配件厂（原南平博伟电子有限公司）成立于1991年,是一家专业生产瓷管电容的综合配套企业,拥有先进水平的瓷管电容生产线及检测设备。 现主要产品有瓷管电容
全系列陶瓷贴片电容器 4.电源管理IC：稳压IC;DC-DC升压IC;DC-DC降压IC;低电压检测IC;LDO稳压IC;带使能端LDO;OLED升压IC;双路输出LDO;音频放大IC;MOS管;锂电