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佳能光刻机现在是什么水平？探访进博会上的光学大厂(2022-11-16)
晶表示，“同时我们还在想办法，实现部品零部件供应商的多样化，以前只有一两家供货的，现在去找第三家、第四家。”
4.作为FPD曝光机和OLED蒸镀机供应商，佳能如何看待显示行业寒冬？
相较于半导体光刻机......
国产刻蚀设备凭什么后发赶超？（附厂商盘点）(2020-08-18)
照被刻蚀材料划分，可以分为硅刻蚀、介质刻蚀以及金属刻蚀（表2）。由于下游的需求场景较多，介质刻蚀机与硅刻蚀机的市场占比较高，成为市场主流。
2.刻蚀与光刻的区别
有些对工艺不熟悉的业者，很容易将刻蚀机与光刻机......
日本尼康宣布全新ArF浸没式光刻机：精度小于2.1纳米(2023-12-11)
可在需要高重叠精度的半导体制造中提供更高的性能，尤其是先进逻辑和內存、CMOS图像传感器、3D闪存等3D半导体制造，堪称最佳解决方案。
另据了解，新光刻机的光源技术是20世纪90年代就已经成熟的“i-line”，再加......
科普 | 芯片制造的6个关键步骤(2022-08-08)
胶也分为两种——“正性光刻胶”和“负性光刻胶”。
正性和负性光刻胶的主要区别在于材料的化学结构和光刻胶对光的反应方式。对于正性光刻胶，暴露在紫外线下的区域会改变结构，变得......
佳能产日本首台半导体光刻机PPC-1发售50周年(2020-01-16)
在世界上首次实现了1微米以下的曝光，此项技术作为“重要科学技术历史资料（未来技术遗产）”，于2010年被日本国立科学博物馆产业技术历史资料信息中心收录。
目前佳能的光刻机阵容包括i线光刻机和KrF光刻机产品线，并根......
EUV光刻机缺货问题要持续3年，瓶颈居然是...(2022-05-05)
这并非本文要谈的重点，未来或许我们可以单独撰文探讨；而更迫在眉睫的乃是光刻机的短缺。
前不仅Intel才宣布了原本位于俄勒冈州波特兰（Portland）的一台EUV（极紫外光）光刻机，已经......
全球光刻机市场竞争加剧，ASML财报引发关注...(2024-10-26)
系统销售额和装机管理销售额的增加。但同时，ASML新增订单金额达26亿欧元，比市场预期的54亿欧元减少近一半。
市场对High NA EUV光刻机的走向保持高度关注。据路透社近日披露消息，三星......
容大感光：已购买i线投影步进式曝光机，用于i线光刻胶的研发与生产检测(2023-04-12)
容大感光：已购买i线投影步进式曝光机，用于i线光刻胶的研发与生产检测;4月11日，容大感光在投资者互动平台表示，公司的光刻胶产品主要包括PCB用光刻胶、显示用光刻胶、半导体用光刻胶，其中半导体用光刻......
NVIDIA宣布推出cuLitho软件加速库(2023-03-22)
胶层上。光刻加工过程开始后，通过控制光刻机的曝光和开关操作，可以将光束根据掩膜上的图案进行分割和定位，使得光束只照射到需要曝光的区域，从而将芯片上的图案转移到光刻胶层上，实施芯片光刻......
高端市场要变天?佳能宣布发售新一代i线步进式光刻机(2022-12-08)
”。
据了解，在半导体芯片的制造工艺中，光刻机负责“曝光”电路图案。在曝光的一系列工艺中，在硅晶圆上制造出半导体芯片的工艺称为前道工艺。
保护精密的半导体芯片不受外部环境的影响，并在......
EUV光刻机争夺战打响，国产光刻技术难题有何解？(2021-01-29)
涂胶显影设备用于将特殊的化学液体涂在硅片上作为半导体材料进行显影。
作为光刻机的输入（曝光前光刻胶涂覆）和输出（曝光后图形的显影），涂胶/显影机的性能直接影响到细微曝光图案的形成，其显......
ASML今年发货第一台高NA EUV光刻机：成本逼近30亿元(2023-09-08)
/3800E，叠加双重曝光来实现18A工艺，同时使用应用材料的Endura Sculpta的曝光成形系统来尽可能减少双重曝光的使用。
尽管如此，Intel依然会是高NA EUV光刻机的第一家客户，可能......
另一家中国光刻机厂商浮出水面！(2024-07-04)
/S线距比), 考验光刻机的适配性与综合性能, 包含曝光面积、图形拼接、对位标记、分辨率、产能、工艺窗口等综合性价比, 这些指标决定先进封装的终端成本及竞争优势。台积电在10年前推出（28nm）先进......
中国光刻设备将打破国外垄断？(2016-11-03)
芯碁微电子装备有限公司相关负责人介绍说，即将投产的激光直写光刻机、双台面激光曝光机，均为进口替代产品。
其中，该公司的MLL及LDW系列光刻设备是国内目前唯一可以替代进口的半导体光刻设备，已有38所、771所、中科......
欧洲IMEC 也参与，日本 Rapidus 宣布推进2nm半导体生产(2023-01-11)
的最新款EUV曝光机，以用于研发工作。Rapidus应该可以利用与imec的合作关系，获得ASML的最新一代光刻机的相关技术，并填补上述差距。
但是，另一个问题是Rapidus能否获得光刻机......
最近申请的一项光刻装置专利到底是什么呢？公开图纸，我们也造不出来？(2022-11-28)
装置基础上进行了优化，进而达到匀光的目的。
EUV光刻机的中文名字就叫极紫外光刻，它以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术，可使曝光波长一下子降到14纳米以下的特征尺寸。
但问题是EUV光刻机......
EUV到来之前的顶梁柱，你真的了解浸入式光刻吗？(2017-02-06)
水以后的接班者？
将液体置于主镜头和硅片之间，入射光线自然而然地就会穿透比空气折射率更高的液体，这种方式本身并没有提高特定投影图像的分辨率，但是它却能够赋予光刻机的镜头更高的数值孔径。
NA=n sinα，其中n......
三星拟新设至少10台EUV光刻机：展露要当世界第一的野心(2022-12-27)
DRAM厂商目前基本上都是通过不断缩小电路面积提高继承度来进行竞争的。
芯片制造商们不断挖掘DUV光刻机的潜力，克服DUV光刻机的性能和EUV存在差距，把存在于理论的多重曝光用在了现实。
而在......
佳能发售面向后道工艺的3D技术i线半导体光刻机新产品(2022-12-07)
品特征〉
1.通过新投射光学系统和照明光学系统的提升，实现0.8μm的高解像力和拼接曝光超大视场
为了减少投射光学系统的像差，新产品首次将应用于前道工艺光刻机的校正非球面玻璃搭载在后道工艺的光刻机......
英特尔拿下首套High-NA EUV，台积电如何应对？(2024-01-08)
尺寸，这会加速投影光学器件和光罩的磨损，抵消了更高产能的优势。
而台积电早在 2019 年就开始在芯片量产中使用 EUV 光刻机，虽然比三星晚了几个月，但是......
佳能发售面向后道工艺的3D技术i线半导体光刻机新产品(2022-12-07)
脂固定成晶圆形状的基板。
〈新产品特征〉
1.通过新投射光学系统和照明光学系统的提升，实现0.8μm的高解像力和拼接曝光超大视场
l 为了减少投射光学系统的像差，新产品首次将应用于前道工艺光刻机的校正非球面玻璃搭载在后道工艺的光刻机......
尼康半导体曝光设备死于自我封闭？(2016-11-15)
率逐渐下滑。
特别重要的是2000年代初期，ASML因应市场需求，率先推出12吋晶圆曝光机，尼康与佳能(Canon)在此时的落后，导致市占率持续下滑。1993年尼康在曝光机市场的市占率曾接近50%，日厂......
中科院中紫外光刻设备研制成功，国产光刻机有望突破(2017-04-14)
在国内尚未见有此类产品成功研发的报道。
光刻设备是用于微细结构加工的核心设备，在微电子、生物、医学和光学等领域得到全面应用。由于光刻工艺的限制，原有光刻设备大多是针对光刻胶曝光进行技术研发。而针......
ASML第2代EUV光刻机开发传瓶颈，神队友救援力拼原时程问世(2021-06-10)
全球唯一量产EUV光刻机的厂商，包括台积电、三星、英特尔的先进制程都要依赖EUV光刻机来生产。现阶段，每台光刻机的单价将近1.5亿美元。不过，ASML的EUV光刻机目前出货的是使用光源波长在13.5nm......
国产光刻机获重大突破，ASML如何应对？(2023-10-19)
国产光刻机获重大突破，ASML如何应对？; 中国科学院院士、中国科学院党组书记白春礼于4月13日访问长春光机所，调研EUV光源等技术，高度肯定光电关键核心技术攻关成果。国产光刻机......
单台成本3亿-3.5亿欧元，ASML新High-NA EUV有望2024年出货(2022-11-16)
在韩国投资2400亿韩元建设光刻设备再制造工厂及培训中心，主要用途是为韩国当地运行的EUV光刻机的维护和升级提供助力。
对于半导体设备的扩产规划，Peter Wennink于11月15日表示，新High-NA......
一台3亿欧元！ASML CEO：High-NA EUV将于2024年出货(2022-11-28)
也是唯一的EUV光刻机的供应商。
由于EUV光刻系统中使用的极紫外光波长(13.5nm)相比DUV 浸入式光刻系统(193 nm)有着显着降低，多图案 DUV 步骤可以用单次曝光 EUV
步骤......
中国正在研发一款芯片，其尺寸相当于整个硅晶圆，以规避美国对超级计算机和人工智能的(2024-01-17)
中国正在研发一款芯片，其尺寸相当于整个硅晶圆，以规避美国对超级计算机和人工智能的;中国科学家一直在研发一款整个硅晶圆大小的计算机处理器，以规避美国的制裁
该团队研发的Big Chip利用硅晶圆尺寸的集成来规避光刻机的区......
下代EUV光刻机要来了 炬光科技：是ASML核心供应商的重要供应商(2022-01-26)
核心供应商A公司的重要供应商。
炬光科技表示，公司为半导体光刻应用领域提供光刻机曝光系统中的核心激光光学元器件光场匀化器，是荷兰ASML光学设备核心供应商A公司的重要供应商。相关......
佳能 3D 技术 i 线光刻机将实现大型高密度布线封装的量产(2022-12-16)
半导体芯片层叠而实现高性能的 3D 技术，满足客户多样化、高性能需求的同时，助力客户降本增效。
为了减少投射光学系统的像差，新产品首次将应用于前道工艺光刻机的校正非球面玻璃搭载在后道工艺的光刻机上。与以......
佳能 3D 技术 i 线光刻机将实现大型高密度布线封装的量产(2022-12-16 14:34)
半导体芯片层叠而实现高性能的 3D 技术，满足客户多样化、高性能需求的同时，助力客户降本增效。
为了减少投射光学系统的像差，新产品首次将应用于前道工艺光刻机的校正非球面玻璃搭载在后道工艺的光刻机上。与以......
ASML：High NA EUV组装速度加快，英特尔已完成2套组装(2024-10-10)
户之间的时间和成本，有助于加快High NA EUV光刻机的发货和交货。
另外，英特尔院士兼曝光技术总监Mark Phillips也表示，英特尔已经在波特兰工厂完成了两套High NA EUV光刻系统的安装。同时......
ASML今年下定了几个决心(2022-11-29)
客户交流会上，ASML对外宣布，计划把EUV光刻机的年产能扩大到90台，把DUV光刻机的年产能扩大到600台，预计在2025年或者2026年之前实现这一目标。
ASML这项光刻机数据刚一出炉，瞬间......
可量产0.2nm工艺！ASML公布Hyper NA EUV光刻机(2024-06-17)
未来的4000F、4200G、4X00。
该系列预计到2025年可以量产2nm，再往后就得加入多重曝光，预计到2027年能实现1.4nm的量产。
High NA光刻机升级到了0.55，对应产品EXE系列......
每小时曝光160片晶圆！ASML新款EUV光刻机创记录(2021-10-21)
每小时曝光160片晶圆！ASML新款EUV光刻机创记录;今日晚间，ASML发布2021年第三季度财报，EUV光刻机的出货量和营收都刷新纪录。
财报显示，ASML2021年第三季度净销售额为52......
ASML公布Hyper NA EUV光刻机：死胡同不远了(2024-06-17)
，预计到2029年左右能过量产1nm，配合多重曝光可以在2033年前后做到0.5nm的量产，至少也能支持到0.7nm。
接下来的Hyper NA光刻机预计将达到0.75甚至更高，2030年前......
可量产0.2nm工艺！ASML公布Hyper NA EUV光刻机(2024-06-18)
1.4nm，预计到2029年左右能过量产1nm，配合多重曝光可以在2033年前后做到0.5nm的量产，至少也能支持到0.7nm。
接下来的Hyper NA光刻机预计将达到0.75甚至......
ASML摊牌了：可远程瘫痪台积电光刻机(2024-05-22)
机器，包括最先进的极紫外光刻机（EUV）。
ASML不装了
为了让中国不能获取先进光刻机和芯片，美国绞尽了脑汁。而这一次，他们又把目光锁定在台积电厂房内的光刻机和产线。
据外......
三星与韩国厂商东进半导体合作开发成功EUV光刻胶(2021-12-21)
胶大部分是从日本进口的。
据悉，2019年日本出台出口限制措施后，东进半导体开始利用自己的基础设施，如现有的氟化氩曝光机和比利时半导体研究所（IMEC）的EUV设备，将EUV光刻胶本土化。同时......
光刻机大厂即将发布新型ArF浸没式扫描仪，整体生产率提高10-15%(2023-12-09)
光刻机大厂即将发布新型ArF浸没式扫描仪，整体生产率提高10-15%;据尼康官方消息显示，尼康宣布将于2024年1月起发布ArF浸没式扫描仪NSR-S636E，作为关键层的曝光系统，该系......
可量产0.2nm工艺！ASML公布Hyper NA EUV光刻机：死胡同不远了(2024-06-17)
未来的4000F、4200G、4X00。
该系列预计到2025年可以量产2nm，再往后就得加入多重曝光，预计到2027年能实现1.4nm的量产。
High NA光刻机升级到了0.55，对应产品EXE系列......
推广应用这些重大技术装备！工信部发布(2024-09-19)
技术装备推广应用指导目录（2024 年版）》（以下简称“《目录》”）。
该《目录》列表中提到和氟化氪光刻机氟化氩(ArF)光刻机。其中氟化氪光刻机光源248纳米，分辨率≤110nm，套刻≤25nm......
美国与荷兰日本达成“最强”对华限制协议？将倒逼中国自研半导体设备(2023-02-02)
美国与荷兰日本达成“最强”对华限制协议？将倒逼中国自研半导体设备;据彭博社报道，、已经同意加入针对的半导体制裁。三国将组建反华技术封锁网络：或将全面禁止向出口DUV光刻机和配件、技术服务；将全......
俄罗斯宣布自研EUV光刻机：比ASML更便宜、更容易制造！(2024-12-20)
俄罗斯宣布自研EUV光刻机：比ASML更便宜、更容易制造！;
12月19日消息，据报道，俄罗斯已公布自主开发EUV(极紫外光刻)光刻机的路线图，目标是比ASML的光刻机更便宜、更容......
一场“国产光刻机”的奇葩说(2022-12-29)
集成电路创新应用高峰论坛上，SEMI中国区总裁居龙给出了一张去年全球前10的IC设备厂商排名，且营收增长惊人，但是排名中无一中国厂商，并且中国本土厂商的半导体设备只占全球市场份额的1~2%。显然，此次国产超分辨力光刻机的......
沙子做的芯片凭啥卖那么贵？(2016-11-25)
项技术工艺来说，光刻工艺环节是最为复杂的，成本最为高昂的。因为光刻模板、透镜、光源共同决定了“印”在光刻胶上晶体管的尺寸大小。
将涂好光刻胶的晶圆放入步进重复曝光机的曝光装置中进行掩模图形的“复制”。掩模......
国产高端光刻胶为啥量产难？一文看懂全球半导体光刻胶发展现状及竞争格局(2022-03-10)
满足集成电路发展的需求，光刻胶通过缩短曝光波长、提高极限分辨率，来满足不断精进的光刻技术需求。
不同的光刻胶产品适用于不同的光刻机，从光刻机的发展历程来看，以光源的来区别大致有g线-i线-KrF-ArF......
ASML已交付第三代EUV，用于制造2nm芯片！(2024-03-19)
的制程节点受益。
Twinscan NXE:3800E光刻机的价格并不便宜，机器的复杂性和功能是以巨大的成本为代价，每台大概在1.8亿美元。不过比起新一代High-NA EUV光刻机的报价，显然还是要低很多。此前有报道称，业界......
日本成功引入首台ASML EUV光刻机(2024-12-20 13:44:31)
截图
资料显示，NXE:3800E是ASML EXE系列0.33 (Low) NA EUV光刻机的最新型号，能满......
云计算、AI对算力需求的快速增长成驱动数据中心增长的第一要素(2022-12-23)
到0.55的设备。比现有的EUV设备处理更精细的半导体电路。业界大多数人认为，High-NA设备对2nm工艺至关重要。
据推测，High-NA EUV光刻机的单价为5000亿韩元，是现有EUV光刻机的......
相关企业
YAG激光刻字机、CO2激光刻字机和光纤激光刻字机系列产品。公司的激光刻字机已在大众汽车、日立电器等大公司的多条生产线上使用。很多台资企业也使用本公司生产的激光刻字机。公司的激光刻
;罗智文;;佛山市利达蚀刻机械厂是专业生产和制造蚀刻机、显影机、去膜机、清洗机、曝光机、烤箱等产品的厂家,公司总部设在佛山市禅城区张槎大富工业区16号A4,利。佛山市利达蚀刻机械厂的诚信、实力
;常州迈斯标牌设备制造有限公司;;常州迈斯标牌设备制造有限公司 位于江苏 常州市，主营 化学蚀刻机、曝光机、电镀生产线 等。公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户第一”的原
则为广大客户提供优质的服务。欢迎惠顾！主营产品：曝光机、蚀刻机(多型号)、金属抛光机、铝缎面机、电镀生产线、化学镀镍线、标牌上色机、烘箱等设备。为各大企业、工厂、个体提供成套机组、生产线、单机、配件等，并提
;深圳市大川光电设备有限公司;;主营产品：曝光机，平行曝光机，UV-LED平行曝光机 深圳市大川光电设备有限公司是中国最早从事曝光机研发制造的企业之一，1999年成立于深圳市保安区石岩镇，经过
线光固灯、无极灯等特殊光源产品，适用于：ORC、C-sun、Hi-Tech、Olec、Byers、Colight、Dupont、Douthitt、合荣、川宝、群翊、龙威等各款散光、平行光 曝光机、晒版机、UV
;成都鑫南光机械设备有限公司;;成都鑫南光机械设备有限公司专业提供在微电子工艺生产方面使用的多种型号的光刻机；在真空器件生产方面使用的排气设备（真空排气台）；在真空钎焊、陶瓷金属化、烧氢
;神绘激光;;激光雕刻机,激光切割机,激光印章机和数控雕刻机.雕刻机设备主要有激光雕刻机,数控雕刻机,CO2激光雕刻机,YAG激光雕刻机和工艺礼品激光雕刻机;切割机设备主要有激光切割机,刀模
;南京华运天瑞激光设备有限公司销售部;;南京华运天瑞激光设备有限公司销售部是激光打标机、激光刻字机、激光机、激光雕刻机、激光刻字加工、激光打标加工等产品专业生产加工的有限责任公司,公司
;清苑县恒信电子设备厂;;清苑县恒信电子设备厂是湿膜滚涂机、酸碱性蚀刻机、烘干设备、PCB设备、酸洗刷板机、热风循环烘箱、湿膜显影机、晒版机、曝光机、三氯化铁蚀刻机、红外线烘道、半自