6月16日消息，去年底向Intel交付了全球第一台High NA EUV极紫外，同时正在研究更强大的Hyper NA EUV，预计可将半导体工艺推进到左右，也就是2埃米。

第一代Low NA EUV孔径数值只有0.33，对应产品命名NXE系列，包括已有的3400B/C、3600D、3800E，以及未来的4000F、4200G、4X00。

该系列预计到2025年可以量产2nm，再往后就得加入多重曝光，预计到2027年能实现1.4nm的量产。

High NA光刻机升级到了0.55，对应产品EXE系列，包括已有的5000、5200B，以及未来的5400、5600、5X00。

它们将从2nm以下工艺起步，Intel首发就是14A 1.4nm，预计到2029年左右能过量产1nm，配合多重曝光可以在2033年前后做到0.5nm的量产，至少也能支持到0.7nm。

接下来的Hyper NA光刻机预计将达到0.75甚至更高，2030年前后推出，对应产品命名为HXE系列。

预计，Hyper AN光刻机或许能做到甚至更先进工艺的量产，但目前还不能完全肯定。

值得一提的是，单个硅原子的直径约为0.1nm，但是上边提到的这些工艺节点，并不是真实的晶体管物理尺寸，只是一种等效说法，基于性能、能效一定比例的提升。

比如说工艺，实际的晶体管金属间距大约为16-12nm，之后将继续缩减到14-10nm。

Low/High/Hyper三种光刻机会共同使用单一的EUV平台，大量的模块都会彼此通用，从而大大降低研发、制造、部署成本。

不过，High NA光刻机的单台价格已经高达约3.5亿欧元，Hyper NA光刻机必然继续大幅涨价，而且越发逼近物理极限，所以无论技术还是成本角度，Hyper NA之后该怎么走，谁的心里都没数。

微电子研究中心(IMEC)的项目总监Kurt Ronse就悲观地表示：“无法想象只有0.2nm尺寸的设备元件，只相当于两个原子宽度。或许到了某个时刻，现有的光刻技术必然终结。”