近日，ASML新任执行长Christophe Fouquet在SPIE（国际光学工程学会）大会上发表演讲时，重点介绍了High NA EUV光刻机。此外，Christophe Fouque还确认，英特尔的第二套High NA EUV光刻机已经组装完成。

Christophe Fouquet表示，High NA EUV光刻机将不太可能像当前标准EUV光刻机那样出现延迟交货的情况，其原因是ASML找到了组装扫描器组件的新方法，就是直接在客户工厂安装，无需经历拆卸及再组装的过程，这将大大节省ASML与客户之间的时间和成本，有助于加快High NA EUV光刻机的发货和交货。

另外，英特尔院士兼曝光技术总监Mark Phillips也表示，英特尔已经在波特兰工厂完成了两套High NA EUV光刻系统的安装。同时且，Mark Phillips还公布了一些资料，说明了相对于标准EUV光刻机所带来的改进，透过High NA EUV光刻机应用出来的改善结果可能要比之前想像中还要多。

Mark Phillips强调，由于已经有了经验，第二套High NA EUV曝光系统的安装速度比第一个更快。据称，High NA EUV光刻设备所需的所有基础设施已经到位并开始运行。用于High NA EUV光刻的光罩检测工作已经按计划开始进行。因此，英特尔无需做太多辅助支援工作即可将其投入生产。

另外，Mark Phillips还被问到了关于CAR（化学放大抗蚀剂）与金属氧化物抗蚀剂的问题。据其介绍，CAR目前还够用，但可能在未来某个时候需要金属氧化物光阻剂。英特尔目标是Intel 14A制程技术能在2026~2027年量产，届时将制程技术进一步进行提升。