资讯
B类功率放大器介绍(2024-01-16)
偏置在夹断状态。这些偏置点允许输入的正半周期驱动晶体管导通。
传导角度
我们将使用传导角的概念来帮助我们描述功率放大器晶体管的工作。传导角是晶体管导通的一个输入周期的分数，以角度或弧度表示。例如，在......
电子产品废热多？管理有办法，首个固态电化学热晶体管问世(2023-02-23)
相媲美，且更稳定。相关研究刊发于21日出版的《先进功能材料》杂志。
现代电子设备在使用过程中会产生大量废热。过去10年，使用电来管理热量的概念得到验证，催生了电化学热晶体管......
复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-12)
的单原子层厚度使其在小尺寸器件中具有优越的短沟道控制能力。
硅基二维叠层晶体管的概念、晶圆级制造与器件结构 图源：复旦大学
研究团队利用硅基集成电路的标准后端工艺，将二硫化钼(MoS2)三维堆叠在传统的硅基芯片上，形成p......
复旦大学研发出晶圆级硅基二维互补叠层晶体管，集成度翻倍并实现卓越性能(2022-12-12)
的单原子层厚度使其在小尺寸器件中具有优越的短沟道控制能力。该技术将进一步提升芯片的集成密度，满足高算力处理器，高密度存储器及人工智能等应用的发展需求。
▲ 硅基二维叠层晶体管的概念、晶圆级制造与器件结构 图源：官网
......
突破！复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-12)
的单原子层厚度使其在小尺寸器件中具有优越的短沟道控制能力。
△硅基二维叠层晶体管的概念、晶圆级制造与器件结构
研究团队利用硅基集成电路的标准后端工艺，将二硫化钼(MoS2)三维......
用于模拟IC设计的小信号MOSFET模型(2024-01-26)
输出电阻和电流增益，我们可以计算它的最大电压增益。这也被称为晶体管的固有增益（AV）。为了更好地理解固有增益的概念，让我们来看看图3中的共源放大器配置
配置为共源极放大器的NMOS晶体管的电路图。
图3：配置......
复旦大学周鹏、包文中、万景团队合作发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-13)
引入传统的硅基芯片制造流程，实现了晶圆级异质CFET技术。相比于硅材料，二维原子晶体的单原子层厚度使其在小尺寸器件中具有优越的短沟道控制能力。
图：硅基二维叠层晶体管的概念、晶圆级制造与器件结构
研究......
IEDM2022：延续摩尔定律，英特尔底层创新不断(2022-12-09)
行完整的分析建模，这是利用新材料制备环绕栅极多层堆叠晶体管的先期准备。
其他亮点
此外，在本届IEDM上，英特尔还展现了其他方面的诸多亮点。
比如英特尔300mm硅基氮化镓的突破，其截......
五个延续摩尔定律的方法(2023-03-28)
五个延续摩尔定律的方法;是1965年，由时任Fairchild半导体公司研发主管的Gordon Moore所提出的概念最初的定义是以最佳成本整合进芯片的晶体管每年会倍增。而Moore创办......
关于半导体工艺节点演变，看这一篇就够了(2017-02-20)
都是以饱和速度运行的，所以需要的时间基本就由这个沟道的长度来决定。越短，就越快。这个沟道的长度，和前面说的晶体管的尺寸，大体上可以认为是一致的。但是二者有区别，沟道长度是一个晶体管物理的概念，而用......
实用指南：开关电源设计中，GaN晶体管的PCB布局(2024-10-06 10:36:03)
实用指南：开关电源设计中，GaN晶体管的PCB布局;
作者：Eric Persson，Francesco Di Domenico，英飞......
了解单边低噪声放大器的设计(2023-12-18)
圆的圆心（cF）由下式给出：
方程式6
通过以下公式计算其半径（rF）：
方程式7
为了巩固这些概念，让我们通过一个例子来学习。
示例 1：绘制常数 NF 圆
假设晶体管的Z0 = 50 Ω，f......
利用可用功率增益设计双边低噪声放大器(2023-12-18)
我们在上一篇文章中所了解的，我们可以使用RF晶体管的恒定噪声系数（NF）轮廓来确定给定噪声性能的适当源端接。恒定NF轮廓在ΓS平面中绘制；为了设计噪声和增益放大器，我们需要在ΓS平面中绘制晶体管的......
固态热晶体管超高速精确控制热量，开辟计算机芯片热管理新领域(2023-11-06)
导可调性以及超过100万次开关周期的可靠性能。
在概念验证设计中，团队制造了一个自组装分子界面，充当热运动的管道。通过打开和关闭电场可控制原子界面上的热阻，进而允许热量精确地穿过材料。团队现已通过光谱实验验证了晶体管的......
登纳德定律中一直在“偷懒”的芯片(2017-06-01)
这个挑战从何而来呢？为什么在如此迅速发展之后突然遇到了门槛呢？这就不得不提到芯片行业发展的又一个定律——登纳德缩放比例（Dennard Scaling）。
在了解登纳德缩放比例定律之前，我们先来看看晶体管的......
5nm被IBM攻破！摩尔定律有救了？(2017-06-06)
工艺的进度能够非常及时的应用于并推动这些技术的发展。
IBM的研究小组进行5nm结构的研究
5nm的突破在哪里
几十年来，全球的半导体产业一直痴迷于晶体管的小型化。如何以更低的成本将更多的晶体管......
黑科技？激光使电子设备不再依赖半导体材料！(2016-11-10)
作是取代硅的热门候选人。早在1997年，IBM和荷兰的Delft大学就开发过首个碳纳米管的晶体管。到2013年，斯坦福的实验室里，还通过碳纳米管制作了电脑。硅，在发展更小半导体组成晶体管的最大阻力是，体积越小，消耗......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
温度测量或控制器，将采用的信号放大。放大电路的实质，是用较小的能量去控制较大能量转换装置，利用晶体管的以小控大作用，电子技术中以晶体管为核心元件可组成各种形式的放大电路。放大的前提是不失真，只有......
意法半导体超结MOSFET MDmesh的百亿里程碑(2024-01-11)
市场上性能最高的大功率开关器件。”
关于意法半导体超结MOSFET的技术说明，可参考以下文章：
上一场涉及高压（即高于 200 V）硅功率晶体管的革命发生在世纪之交，当时超结 MOSFET 出现了。 直到 20 世纪 90......
多亏更强大的CPU，视频聊天，流媒体和越来越逼真的视频游戏(2022-11-29)
以比以前更快的速度执行日益复杂的任务。
晶体管数量并不一定意味着CPU会更快。然而，这仍然是一个根本原因，你随身携带的手机的计算能力远远超过我们第一次登上月球时整个星球的计算能力。
在我们进一步了解CPU的概念阶梯之前，让我......
推挽式B类功率放大器的基本原理(2024-01-22)
集电极电流是半波整流的正弦波。
单晶体管B类RF放大器的电路图。
图1：单晶体管B类RF放大器。
除了使用高Q电容器，我们还可以通过迫使两个半正弦波脉冲以相反方向通过负载来消除B级谐波分量。这被称为放大器。本文介绍了配置的基本概念......
基础知识之晶体管(2024-03-21)
，就只有漏电流大小的电流通过。
数字晶体管也如上所述，可对集电极-发射极间（OUT-GND间）的反方向施加最大5V的电压，GND-IN中有电阻的情况，电流会通过电阻流过。
请说明数字晶体管的基本概念......
QSPICE发明者随笔——利用宽带隙FET简化高压调节(2023-09-27)
我是多家仪器公司带电粒子光学方案中所用高压电源设计领域的高手。本文引用地址：他教我用接地基极高压晶体管进行并联调节，并通过运算放大器驱动发射极。晶体管的增益带宽将在其fT下降低3dB。用低......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。
此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求......
组成开漏形式的电路有哪些特点？(2024-09-03)
drain)和开集(open collector)的概念。
所谓开漏电路概念中提到的“漏”就是指MOSFET的漏极。同理，开集电路中的“集”就是指三极管的集电极。开漏电路就是指以MOSFET的漏......
|光耦合电路讲解，工作原理+电路案例，通俗易懂，带你搞定(2024-11-20 12:53:06)
发光，光线落在光电晶体管的基极上，光落在光电晶体管的基极上后，将被激活，并且可以控制与晶体管相连的输出电路。
这里输入电路只连接光耦的 LED 引脚，输出电路连接光电晶体管，输入......
妙趣横生的电子小知识 第1篇：初识晶体管(2023-03-06)
是不可或缺的重要器件。
但是，对于电子制作初学者来说，掌握晶体管的使用方法有点难。刚开始电子制作时使用的元器件，比如电池、LED、电阻器和开关等，几乎都是两个引脚，而晶体管却有三个引脚。看到......
华为/中科院共研成果即将亮相？3D DRAM商业化尚需时日(2022-05-30)
在运行大型神经网络时可以提供较大的区域，节省大量能源。
据中科院微电子研究所此前介绍，基于IGZO晶体管的2T0C-DRAM有望克服传统1T1C-DRAM的微缩挑战，但缺乏密度优势。
为此......
妙趣横生的电子小知识 第1篇：初识晶体管(2023-03-03)
可或缺的重要器件。
但是，对于电子制作初学者来说，掌握晶体管的使用方法有点难。刚开始电子制作时使用的元器件，比如电池、LED、电阻器和开关等，几乎都是两个引脚，而晶体管却有三个引脚。看到三个引脚就已经不知道应该接哪里、应该......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
IGBT驱动电路介绍;，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有......
MOSFET共源放大器介绍(2024-02-27)
连接的MOSFET（左）及其小信号模型（右）。
在二极管连接的晶体管中，漏极电压总是等于栅极电压。因此，当电流流动时，它总是饱和的，就像我们在方程式3中看到的那样：
•方程式3。
如果我们将测试电压源连接到二极管连接的晶体管的......
MOSFET共源放大器介绍(2024-02-26)
电压总是等于栅极电压。因此，当电流流动时，它总是饱和的，就像我们在方程式3中看到的那样：
•方程式3。
如果我们将测试电压源连接到二极管连接的晶体管的漏极并测量电流，注意vgs=vth并忽略体效应，我们......
性能提升20倍！美国全新纳米级3D晶体管面世(2024-11-07)
理工学院的科研团队独辟蹊径，选用了由锑化镓和砷化铟构成的超薄半导体材料，精心打造出这款新型3D晶体管。该晶体管不仅性能达到了当前硅晶体管的顶尖水平，更能在远低于传统晶体管的电压下实现高效运作。
此外，团队还创新性地将量子隧穿原理融入晶体管的......
晶体管特性图示仪,晶体管特性图示仪是什么意思(2023-01-12)
晶体管特性图示仪,晶体管特性图示仪是什么意思; 体管特性图示仪它是一种能对晶体管的特性参数进行测试的仪器。 一般使用简介：
(1)“电压(v)／度”旋钮开关 此旋钮开关是一个具有4......
干货总结｜晶体管的应用知识(2023-03-28)
干货总结｜晶体管的应用知识;是一个简单的组件，可以使用它来构建许多有趣的电路。在本文中，将带你了解是如何工作的，以便你可以在后面的电路设计中使用它们。一旦你了解了的基本知识，这其实是相当容易的。我们将集中讨论两个最常见的晶体管......
stm32 GPIO(2024-08-19)
辑”关系。这也是I2C，SMBus等总线判断总线占用状态的原理。补充：什么是“线与”？：在一个结点(线)上, 连接一个上拉电阻到电源 VCC 或 VDD 和 n 个 NPN 或 NMOS 晶体管的......
摩尔定律是否走到尽头？半导体巨头CEO观点出现严重分歧(2022-09-30)
。
英特尔坚持以摩尔定律为基础的制程微缩之路，英伟达则转向另一条路：最新处理器由代工厂台积电生产，台积电拥有最先进半导体制造技术，英伟达芯片除了不用担心如何制造更小晶体管的工程挑战，解决......
功率晶体管，连续六年创新高(2022-10-09)
要是因为这一大型分立器件产品的平均销售价格 (ASP) 创下十几年来的最高增幅。根据麦克林报告服务的第三季度更新，功率晶体管的 ASP 在 2021 年增长 8% 之后，预计 2022 年将增长 11% 。去年，由于......
第一代1nm芯片何时来袭 ，谁才是最终的芯片王者？(2022-11-27)
，但无论技术如何进步，它的性能都停留在16nm到12nm之间。也就是说，不管是1纳米、0.5纳米、0.2纳米，晶体管的密度都不会有太大的改变。其实，先前就有科学家说过，到了1nm以后，量子......
150W功率放大器电路(2023-09-01)
欧姆的负载（扬声器）。本文引用地址：电路的原理：
该电路的基本原理是双极结型晶体管的不同偏置方式。 麦克风输出的电信号非常低。使用 CE 配置的双极结型晶体管在 A 类模式下偏压，可将......
3.3V和1.8V电平转换——电平转换芯片(2024-11-21 14:19:56)
。
每个导通晶体管的低端上的最大正电压限制由参考晶体管设置的电压
。晶体管中的所有晶体管电气特性相同；因此它们中的
任何一个都可用于参考晶体管......
基于ST STM32G474之500W全桥相移零电压切换直流-直流转换器数位电源(2022-12-21)
切换式电源供应器具有体积小、重量轻、效率高的优点；一般切换式电源供应器采用传统硬式切换，功率晶体管操作频率增加时，功率晶体管的切换损失也随着增加，功率晶体管使用的散热片不仅体积变大并且使效率降低。 一般......
揭秘十大常用电子元器件背后的那些门道！(2024-10-20 21:14:56)
于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的......
集成无源元件的电源管理集成电路(2023-02-08)
术去除了低压硅产品PSMN3R9 100 V金氧半场效晶体管的封装接线。
对于频谱的低功率端和电源管理集成电路，我们可以进一步将无源器件集成到分立式封装中，对于苹果APL1028而言，实际集成至半导体芯片。我们......
集成无源元件的电源管理集成电路(2023-02-08)
逐渐觉察到模块化布局和短距互连对降低电感的重要性。
完全去除封装接线的新型封装技术示例也在不断涌现，参见我们关于安世半导体“铜夹”技术的功率封装报告，该技术去除了低压硅产品PSMN3R9 100 V金氧半场效晶体管的封装接线。
对于......
电视发射器电路(2023-07-21)
发射机电路设计：
电视发射器电路设计说明如下。
音频信号通过电阻和电容（分别为 10Kohms 和 10uf ）加到晶体管的基极。晶体管的发射极与射频变压器相连。音频信号在此经过晶体管的预放大。
射频......
单颗芯片容纳1万亿个晶体管？我们的世界是否还需要更好的晶体管?(2023-01-10)
。
晶体管诞生的第75年，还可以用哪些方法延续?
晶体管的诞生据说是创造了第一个组装晶体管，称为“点接触晶体管”。图片由诺基亚贝尔实验室提供
根据 Brattain......
晶体管收音机电路原理图讲解(2024-04-22)
电路将其发送到晶体管的基极端子，滤除不需要的频率。
调谐 LC 电路用作储能电路并连接到晶体管的集电极端子。储能电路通过在所选频率下谐振来实现选择性射频信号接收。然后，晶体管......
技术前沿：“环抱”晶体管与“三明治”布线(2024-09-12)
沟道，这一创新带来了三大优势：
•节约空间：晶体管沟道的垂直堆叠，相较于传统的水平堆叠，大幅减少了空间占用，有助于晶体管的......
世界半导体极简编年史(2023-01-02)
普渡大学
1947年：点接触晶体管的发明
1947年12月，约翰·巴丁（John Bardeen）和沃尔特·布拉顿（Walter......
相关企业
;欧阳志航;;欧信电子商行位于中国汕头市潮南区司马浦镇华里西村华祥路顺德楼，欧信电子商行是一家主营各厂家场效应管、肖特基、功率管、可控硅等晶体管的经销批发的个体经营。欧信
;结型场效应管 欧阳志航;;欧信电子商行位于中国汕头市潮南区司马浦镇华里西村华祥路顺德楼，欧信电子商行是一家主营各厂家场效应管、肖特基、功率管、可控硅等晶体管的经销批发的个体经营。欧信
的服务管理，向世界知名品牌公司看齐，确保所生产的晶体管达到专业化,高端华,精品化。成世界上晶体管的主要生产商之一。 SPTECH晶体管主要应用于加湿器、变频器、打印机、电源、汽车电子、点火器、发电机、无线
产品涉及各个领域，与俄罗斯、台湾的大型相关企业有着良好的交流与合作。公司涉及生产高频低噪声中小功率晶体管、场效应管中小功率晶体管、中小功率晶体管场效应管中小功率晶体管、带阻晶体管、开关二极管、变容二极管、肖特
;安丘市科威电子有限公司;;我公司已有13年半导体器件生产历史,设备先进,测试仪器齐全,例行实验设施完善。主要产品有:１．ＮＰＮ硅低频大功率晶体管 3DD1-3DD12,3DD21
;东莞灿域电子有限公司;;我司是一家生产代理.二三极管 .产品系列有各种封装的 晶体管 场效应管 可控蛙 三端稳压IC等品种达800遇种. 产品用于;显示器 电源 音响 电话机 电脑 玩具 节能
;szwtron;;分布式组件、集成电路、电子组件、被动组件等。主动组件：小信号晶体管、功率晶体管、场效应晶体管、IGBT、线性IC、逻辑处理IC、LCD驱动IC、、MP3IC、DVDIC、工业
主要产品是江苏供应长电全系列二/三极管，晶体管，MOS管，压敏电阻，TVS管，整流管，稳压管，双晶体管，数字晶体管，镇流器专用开关晶体管等被动元器件。 公司秉承想客户之所想，急客户之所急的经营思路，快速，高效，灵活
类电子元器件，主要产品包括：高频中、小功率晶体管、玻璃封装硅功率二极管、高压硅堆、单相、三相桥式硅整流器、高频大功率晶体管、低频大功率PNP、NPN晶体管、功率晶体开关管、达林顿PNP、NPN功率晶体管、功率MOS
以节能，环保，利国，利民为己任，并一直从事节能灯，电子镇流器和专用晶体管的研制开发及推广应用，是中国第一支DK51(13001),DK52(13002)塑封三极管的诞生地。 公司现拥有“齐鲁明珠”、“光