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热可靠性和寿命 焊接，银浆或薄膜烧结等。 ③基板附着：抑制层以提高可靠性和降低厚度 平底板，销鳍底板等。 ④互连：更好的寿命和减低电感 铝线绑定，带状绑定，铜引线框架等。 ⑤基板：更好的导热系数 带......
炉内。随后，真空系统开始工作，抽出烧结室内的空气，形成真空环境。这个环境可以防止氧气和其他气体与材料发生反应，保持材料的纯度。 接下来，电加热系统开始工作，将烧结室内的温度升高到预设的烧结温度......
%-35%，并且印刷时可节约两道主栅银浆印刷和烧结工序。另外，因焊带直径变细数量变多，电流传送路径变短，串联电阻也相应减小，还能提高组件抗隐裂的能力。这些优势今年成为了大家关注的焦点，可以......
%，并且印刷时可节约两道主栅银浆印刷和烧结工序。另外，因焊带直径变细数量变多，电流传送路径变短，串联电阻也相应减小，还能提高组件抗隐裂的能力。这些优势今年成为了大家关注的焦点，可以......
用密封橡胶铆接封口，最后用金属铝壳或耐热环氧树脂封装。 由于铝电解电容器采用非固体介质作为电解材料，因此在再流焊工艺中，应严格控制焊接温度，特别是再流焊接的峰值温度和预热区的升温速率。采用......
本半导体专为新能源汽车主驱逆变器应用设计的一款高功率密度的碳化硅功率模块。该产品为业内主流DCM封装模块，采用先进的有压型银烧结工艺和高性能粗铜线键合技术，使用氮化硅AMB陶瓷基板，以及直接水冷的PinFin结构。产品具有低动态损耗、低导......
晶能SiC半桥模块试制成功; 近日，晶能首款SiC半桥模块试制成功，初测性能指标达到国际一流水平。 晶能SiC半桥模块 该模块电气设计优异，寄生电感5nH；采用双面银烧结与铜线键合工艺，配合......
-101热重分析仪 Polymer高分子产业 STA 可以作为材料的成分比例分析, 添加物比例, 溶剂含量, 含水量分析,残留灰分及高分子的耐热温度测试... 半导体银胶, 太阳能银浆领域 利用......
机和工业控制等领域对功率器件提出了越来越高的要求。而烧结银材料作为功率器件的连接材料，可以有效提升功率器件的操作温度、功率密度和使用寿命，市场需求持续增长。 贺利氏电子银烧结技术研讨会：理论与实践相结合 2021年5月19日，贺利氏电子学术委员会在上海成功举办第五届银烧结......
于硅的优势 与硅相比，碳化硅在材料特性方面具有多种优势，因而成为主驱逆变器设计的更优选择。首先是它的物理硬度，达到了 9.5 莫氏硬度，而硅为 6.5 莫氏硬度，所以碳化硅更适合高压烧结......
，工作温度范围为-55 °C至+175 °C，尺寸为1.6 x 1.6 x 0.5 mm。 不同于传统的贴片式 (SMD) NTC热敏电阻，新型元件无引线，支持水平安装。连接方面，其底部的Ni/Ag薄膜电极可烧结......
的器件也可采用 TO-247 三引脚封装。该系列器件采用先进的银烧结芯片贴装和晶圆减薄工艺，通过良好的热性能管理实现了出色的可靠性。 此外，免费在线设计工具支持所有 1200V SiC FET；可以......
成为主驱逆变器设计的更优选择。首先是它的物理硬度，达到了 9.5 莫氏硬度，而硅为 6.5 莫氏硬度，所以碳化硅更适合高压烧结并具有更高的机械完整性。再者，碳化硅的热导率 (4.9W/cm.K) 是硅 (1.15......
前电动汽车应用的主流趋势。 目前新的设计SiC模块的设计方向是结构紧凑更紧凑，通过采用双面银烧结和铜线键合技术，以及氮化硅高性能AMB陶瓷板、用于液冷型铜基PinFin板、多信号监控的感应端子（焊接、压接......
于 TO-247-4L 封装，高 30% 左右。 在功耗给定且其他条件相同的情况下，热阻越高，结温就越高，但由于使用SMT 器件可以节省大量组装空间，可能还可以使用电阻更低的部件，这样就可以降低温度。但是......
硅陶瓷的理论热导率可达到200W/|（m·K）以上，而其热膨胀系数与芯片的热膨胀系数相差无几，氮化硅陶瓷基板被认为是大规模或超大规模集成电路封装基板材料的优先选择。 而烧结工艺是氮化硅陶瓷基板生产的关键技术之一，氮化硅基板烧结受到温度......
微电子是吉利旗下的功率半导体公司，聚焦于新能源领域的模块研发与制造。2023年9月初，晶能微电子首款SiC半桥模块试制成功，初测性能指标达到国际一流水平。该模块电气设计优异，寄生电感5nH；采用双面银烧结......
Tj的影响。虽然IGBT和二极管的PN结温度无法直接测量，但可以通过间接的测量和计算来获取。当前，电机控制器功率模块结温的计算已成为大家普遍关注的焦点。下面我们来聊聊功率模块的结温......
线路所用材料非常局限且导电性差，一般为银浆材料。银浆其实为有机物包裹的银颗粒构成，烧结之后的体电阻一般是6*10-6欧姆米，比光刻体系所用的纯铜（1.8*10-8欧姆米）差两个数量级。上述......
芯并联、宽功率等级，覆盖150-300kw 独特优势： 1、进口成熟沟槽栅SiC mosfet 2、高工作结温，Tjop=175℃ 3、高效扰流散热+DTS+纳米银烧结设计 4、热阻降低10......
等多个工程师关心的角度进行了评选。 获奖产品介绍 Pcell系列模块为基本半导体根据SiC器件特性，结合终端客户需求设计的宽禁带半导体专用封装产品。 搭配芯片双面银烧结和DTS（Die Top System）技术，提升......
称的布局将导致并联芯片之间动态不均电流。这将在它们之间造成瞬态温度不平衡，并可能降低特定设备的可靠性。 另外就是无绑定线，这种对于有效地降低杂散电感以及优化布局来说更具灵活性。我们之前说的Cu-Clip以及......
多方面因素，例如设计因素、复杂工况、高震动、温度冲击，硅脂的老化，依据NTC进行IGBT结温的间接保护，存在一定的局限性，在堵转等极端工况下，热能分布很不均匀、IGBT与NTC存在温差，且NTC与结温......
关于LED组件的结温和引脚温度的热测试系统;LED热测试 为了在不牺牲可靠性的前提下获得最高的光学性能，必须了解特定应用中LED组件的热性能。1993年1月28日的技术备忘录“ LED灯的......
Qorvo器件可以实现更高的效率，更低的结温，以及可能更高的开关频率，从而减小系统尺寸和降低成本。 更小的芯片尺寸带来诸多优点的同时，也增加了热阻。在高功率密度的应用中，有效的散热设计至关重要。Qorvo通过采用银烧结......
降低现场故障的风险。利用纯银键合线和可点胶的银烧结用膏体表现出出色的键合线厚度和粘合力。即使在极端温度起伏下，也可为逆变器提供卓越的性能和可靠性。ALPHA® Argomax® 2148适用于各种应用，并提......
而言，提高结温将引起器件各项性能改变和衰减。研究表明：温度高于某一数值后,LED失效率会以指数规律爬升。结温升高时LED光衰将显着加速，寿命显着降低。所以怎样通过合理散热设计来控制LED显示温升，是......
的设计方向是结构紧凑更紧凑，通过采用双面银烧结和铜线键合技术，以及氮化硅高性能AMB陶瓷板、用于液冷型铜基PinFin板、多信号监控的感应端子（焊接、压接兼容）设计，努力往低损耗、高阻断电压、低导通电阻、高电流密度、高可......
级版本的所有电气性能规格都相同。H 级器件在 -40˚C 至 150˚C 的结温范围内经过测试并有保证，非常适用于处于高环境温度下的汽车和工业应用。类似地，MP 级器件在 -55˚C 至 125˚C......
用膏体表现出出色的键合线厚度和粘合力。即使在极端温度起伏下，也可为逆变器提供卓越的性能和可靠性。ALPHA® Argomax® 2148适用于各种应用，并提供高热导和电导率。Argomax®所需的低烧结......
MAX6688数据手册和产品信息;MAX6687/MAX6688在单片封装中集成了一个远端结温开关和一个本地温度开关。远端结温开关使用外部PN结(一般是外部CPU、ASIC或FPGA管芯......
和半导体的电流额定值都在数据手册中进行了定义。因此，用户必须核实器件能否在以下条件运行：   • 应用中出现最大电流时 • 最大环境温度时 • 未超出数据手册中规定的最高结温   为了核实这3个要素，用户......
东风首批自主碳化硅功率模块下线;本文引用地址：11月2日消息，据“智新科技”官微消息，近日，首批采用纳米银烧结技术的模块从二期产线顺利下线，完成自主封装、测试以及应用老化试验。 该模块采用纳米银烧结......
珠海和义乌工厂的ABC电池采用的就是超快的激光图形化技术，这也是推动ABC产品持续降本的关键技术之一。 无银化金属涂布技术 在银浆方面，电池工艺丝网印刷大量消耗银浆，存在成本高、可靠......
一文搞懂IGBT的损耗与结温计算;与大多数功率半导体相比， 通常需要更复杂的一组计算来确定芯片温度。这是因为大多数 都采用一体式封装，同一封装中同时包含 和二极管芯片。为了知道每个芯片的温度......
异质结领域第一家同步整合硅片—电池—组件全产业链研发与产业化技术的企业。旗下喜马拉雅G10系列高效异质结组件转换效率已达23.23%，居于全球领先地位。 不过，因为需要使用单价更高的低温银浆，同时......
的建议适用芯片尺寸为小于或等于3.0 mm x 3.0 mm，乐泰Ablestik ABP 8068TI可在175摄氏度或以上的温度下完全固化，并在界面和环氧树脂本体中建立刚性烧结银网络。由于无压烧结......
议适用芯片尺寸为小于或等于3.0 mm x 3.0 mm，乐泰Ablestik ABP 8068TI可在175摄氏度或以上的温度下完全固化，并在界面和环氧树脂本体中建立刚性烧结银网络。由于无压烧结......
过使用各种传感器和特定半导体器件特性的现场监测来检测老化的年龄和估计剩余的使用寿命。例如，在栅极驱动级测量温度敏感电参数(TSEP)，或者采用提供高时间分辨率和抗电磁干扰(EMI)的直接光学方法来检测功率模块中半导体芯片在工作期间的结温......
三体超声固相键合等超声固相键合技术，超声钎焊、超声瞬态液相扩散焊等 超声液相键合技术，超声纳米烧结、混合( 复合) 焊料超声互连等超声固液混合键合技术。无论是高频低功率的高速超声键合，还是......
滞的可编程 OVLO 和 UVLO 扩展和工业温度级版本：-40ºC 至 125ºC 工作结温范围 汽车温度级版本：-40ºC 至 150ºC 工作结温范围 军用温度级版本：-55ºC 至 150ºC......
IGBT 模块应用工况相对其他应用工况更加恶劣，在汽车运行过程中，启停和加减速频繁，对应的是 IGBT 模块的功率变化，IGBT 结温也会随之不断循环变化，温度......
的研究较少。汽车 IGBT 模块应用工况相对其他应用工况更加恶劣，在汽车运行过程中，启停和加减速频繁，对应的是 IGBT 模块的功率变化，IGBT 结温也会随之不断循环变化，温度......
为功率器件相关原因所引起电子系统失效的原因中，有超过50%是因为温度过高导致的热失效。结温过高会导致电子系统性能降低、可靠性降低、寿命降低、引发器件结构内部的缺陷。随着器件小尺寸化、高集成化的趋势，有限......
MAX3905数据手册和产品信息;MAX3905是150Mbps汽车VCSEL驱动器，可以构成低成本发送器，工作在8Mbps至150Mbps，最高结温+140°C。该器件可以接收单端TTL、差分......
是均匀的材料，另一种是均匀的磁化强度，并且某些过程（例如磁体垂直度）也是一个因素。 烧结钕磁铁的最高工作温度是多少？ 此刻，钕铁硼磁铁无法满足300℃的工作温度。其实是工作温度 钕磁铁的使用取决于其工作环境。再以......
利用这种相似性来测量误差极低的T型热电偶。较高温度下的输出电压将偏离的理想5 mV/°C传递函数，因此有必要使用查找表或多项式来解释差异。该图是使用NIST的T型热电偶表和的传递函数生成的，以显示AD8495在不同参考结温......
高性能太阳能电池导电浆料建设项目、研发中心建设项目和补充流动资金。 公开信息显示，公司成立于2013年，专注于晶硅太阳能电池用电子浆料（银浆、铝浆），是国家级专精特新“小巨人”企业、江苏......
的阻断状态漏在几十皮安到几百纳安的数量级。本文引用地址：根据电路条件不同，在、漏极或源极中，范围可从微安到数百安。  额定击穿电压，也可称之为“BV”，通常是在给定温度范围（通常是整个工作结温范围）内定......
供应商的应用团队紧密合作，以确保GaN器件在您的应用中以足够低的温度运行。还可以从其应用团队获得产品整体散热模型，并将其纳入您的系统级散热模型中，以更准确地评估器件运行环境，进而确定由此产生的结温或沟道温度。 提高......

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银浆及固栅银浆、薄膜开关银浆、冷光片银浆.PTC热敏电阻用铝浆及银浆、各种类型的中高温烧结型银导电浆料等。公司由享受国家政府特殊津贴的专家作为技术带头人，主体原材料由国外进口，粘结银浆
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记录仪，各种温度传感器/湿度传感器，DS18B20测温探头，PT100测温探头，温度巡检仪RTU及相关技术支持。产品广泛应用于：冷库、粮仓、大棚、库房、矿建（矿井、隧道）冻结温度监测、混凝土测温、各种
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