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昭和电工8英寸SiC外延片样品开始出货;9月5日,日本昭和电工(SDK)宣布,基于其单晶SiC衬底生产的8英寸SiC外延片样品已经开始出货,主要用于SiC功率半导体器件。 据悉,SiC功率......
半导体重点展示了4/6英寸SiC外延片产品,及其子公司南方半导体的SiC功率器件/模块产品。 天域半导体是全球SiC外延片的主要生产商之一,以先进的SiC外延......
半导体市场正在迅速扩大,尤其是在电动汽车等领域。 SiC功率半导体的性能,在很大程度上受到SiC外延片(epi-wafer)的影响。因此,外延片需要具有低表面缺陷密度,而且质量稳定。目前,SiC功率......
未实现批量商用的企业。 国产SiC衬底/外延玩家 目前,无论是碳化硅衬底还是外延,主流尺寸都是4英寸和6英寸。资料显示,当衬底/外延从6英寸扩大到8英寸时,可切割出的碳化硅芯片数量有望从448颗增加到845颗。当前......
中晶体和表面缺陷的密度很高,导致衬底质量和随后制造的外延层质量差 。 本篇文章主要总结了 SiC 生长过程及各步骤造成的缺陷。 SiC 晶片中的缺陷通常分为两大类: · 晶片内的晶体缺陷 · 晶片......
8英寸!Coherent(原II-VI)推出大尺寸SiC 衬底、外延片;市场消息,Coherent Corp(原II-VI)今天宣布推出其8英寸碳化硅外延晶片(SiC 外延晶片)。目前......
11亿美元。 这些设备包括常规/微型LED、激光/光电探测器、射频器件、SiC/SiC/GaN功率器件、用于MEMS制造的MOCVD、MBE(金属束外延生长器件)和Si/SiC HTCVD......
碳化硅涂层技术的研发及其在半导体产业中的应用,公司主要产品为LED芯片外延SiC涂层基座、硅单晶外延基座、第三代半导体外延基座和组件、碳化钽涂层等。 值得注意的是,半导体涂层材料作为各类芯片工艺方面的关键耗材,一直......
项目签约落地或进行环评公示,这些项目都在进行开工前准备工作。 从投资规模来看,嘉兴国家高新区SiC半桥模块制造项目、赛达半导体SiC外延项目、连城数控第三代半导体设备研发制造项目、摩珂达SiC项目、江西罡丰第三代半导体衬底外延......
半导体年产30万片SiC外延项目启动 近日,赛达半导体科技有限公司(以下简称赛达半导体)碳化硅(SiC外延项目环评消息公示。 公告显示,该项目总投资约14.7亿元,占地面积11979m²,总建......
晶圆,后续完成8英寸SiC工艺验证后,将转为生产8英寸晶圆。 Resonac 8英寸SiC外延片即将商业化 据日媒报道,Resonac的8英寸SiC外延片品质已经达到了6英寸......
化合物公司是由中国电子下属的华大半导体投资的一家做碳化硅SiC晶体、衬底、外延片和GaN外延片产品的专业化宽禁带半导体材料制造企业。 2019年,中电化合物半导体项目落户在宁波杭州湾新区,是浙......
晶盛机电:SiC生长设备自研自用,外延设备外销;12月19日,晶盛机电在投资者互动平台表示,公司碳化硅(SiC)生长设备为自研自用,对外销售SiC外延设备。SiC衬底及外延......
4.5亿元的意向订单。随着本次项目建成达产,谱析光晶SiC芯片产能有望再上一个台阶。 14.7亿,赛达半导体年产30万片SiC外延项目启动 近日,赛达半导体科技有限公司(以下......
​松山湖征地,东莞天域首条8英寸SiC外延晶片生产线预计2025年投产;4月13日,松山湖管委会官网公布了《东莞市生态园2022年度土地征收成片开发方案》征求意见稿。拟征收地块面积6.316公顷......
盖泽半导体首台国产SiC外延膜厚测量设备顺利交付;近日,据华矽盖泽半导体科技(上海)有限公司(以下简称“盖泽半导体”)消息,其自主研发生产的SiC外延膜厚测量设备GS-M06Y已正......
和电工占据了全球超90%的碳化硅导电型外延片市场份额,形成双寡头垄断。目前我国由于进口外延炉供货短缺,国内外延炉仍需验证并且外延工艺难度大,国内SiC外延厂商较少,市占率较低。 就国内企业看,瀚天......
,包括分子束外延、磁控溅射和脉冲激光淀积等,CVD的优势在于可以精确控制外延膜厚度和掺杂浓度、缺陷较少、生长速度适中、过程可自动控制等优点,是目前已经成功商业化的 SiC外延技术。 评价......
科技、科泓投资、涌铧投资、GRC富华资本、福熙投资等知名投资方跟投,老股东亚昌投资、金浦投资继续加码,资金主要将用于扩产及生产设备购入。 SiC和GaN外延片产品陆续进入量产,新能......
阻率。 近年来,半绝缘SiC衬底上外延生长的GaN高迁移率晶体管(GaN-on-SiC HEMTs)已广泛应用于微波射频领域的功率放大器电路中,然而由于GaN和SiC晶体之间的晶格失配和热失配,导致......
,Coherent宣布了两个重大消息,分别为推出其8英寸碳化硅外延晶圆(SiC epi-wafers)和以2000万英镑(约1.85亿人民币)出售英国晶圆厂。 Coherent官微消息显示,将其......
海乾半导体有限公司(以下简称“海乾半导体”)官微披露,海乾半导体于2024年2月完成A轮融资,本轮融资由深创投与深圳红犇资本联合投资,将加速海乾半导体SiC外延片的产能提升。 官网资料显示,海乾......
代半导体材料厂商也非常多,天岳先进携其高品质6英寸、8英寸碳化硅衬底产品亮相展会;天科合达则公开展出了6-8英寸的碳化硅衬底,并首次展示8英寸碳化硅外延片产品;天域半导体重点展示了6/8英寸SiC外延......
合达则公开展出了6-8英寸的碳化硅衬底,并首次展示8英寸碳化硅外延片产品;天域半导体重点展示了6/8英寸SiC外延片产品;同光股份在现场展示了6/8英寸高质量碳化硅晶锭和衬底;中电......
全球最大SiC外延片厂商连签两单长约 第三代半导体产能争夺号角吹响;《科创板日报》(上海,研究员 郑远方)讯,昭和电工28日宣布,已与东芝签订SiC(碳化硅)外延片供应长约,协议时长为2.5年。值得......
镓化合物半导体功率芯片的研发、设计、制造及服务,目前建立具有自主知识产权的衬底(碳化硅)、外延、芯片及封装产业生产基地。湖南三安半导体是三安光电在SiC领域布局的重点项目。 从产能来看,湖南三安现有SiC产能......
业务涵盖碳化硅、氮化镓化合物半导体功率芯片的研发、设计、制造及服务,目前建立具有自主知识产权的衬底(碳化硅)、外延、芯片及封装产业生产基地。湖南三安半导体是三安光电在SiC领域布局的重点项目。 从产......
国际巨头签订长约,全球SiC争夺战持续;近日,日本昭和电工宣布与半导体制造商罗姆签订长期供应合同,根据协议,昭和电工将为制造碳化硅(SiC)功率半导体的罗姆供应SiC外延片。新闻稿指出,此长......
子项目(52.93亿元)。 长飞先进也拟建设第三代半导体功率器件生产项目,建设内容包括外延、晶圆制造、封测等产线,建设完成后将形成6英寸SiC晶圆及外延36万片/年,功率器件模块6100万个/年......
中电化合物8吋SiC外延片首批产品交付;2023年10月31日,中电化合物顺利完成客户首批次8吋SiC外延片产品的交付。 据中电化合物介绍,8吋相比6吋面积增加78%,可较......
际巨头差距不小。 外延 衬底或器件厂正在向产业链上下游延伸具备外延能力,纯粹的外延片供应商较少,主要集中在昭和电工/中国台湾嘉晶/瀚天天成/东莞天域。 器件 自SiC二极......
迪在SiC领域的布局链条竟然比一般的SiC IDM企业还要广泛,从衬底、外延,到模块封装。一般来说,SiC IDM企业覆盖芯片设计、晶圆制造、封装测试,部分企业还会涉及外延的部分,一些......
SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC二极管外延SiC MOSFET外延SIC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET。 该项......
碳化硅市场再添国际并购!;7月18日,ASM International NV.(以下简称“ASM”)宣布,将收购位于意大利的碳化硅 (SiC) 和硅外延反应器制造商LPE SpA(以下简称“LPE......
备已在客户新产线投入生产使用,该产线计划年产一亿颗功率芯片和1万片6英寸SiC外延片,同时包括“10万片SiC外延片及JBS、MOSFET功率集成电路”。 据官微介绍,瑶光半导体自主研发的SiC/Si基激......
晶片的研发、生产及销售,产品用于制备碳化硅功率器件。 该公司此次拟募资金额约为35亿元,主要用于年产80万片6—8英寸SiC外延晶片产业化项目、技术中心建设项目以及补充流动资金。 近年,得益......
目位于松山湖生态园,总占地面积约114.65亩、建筑面积约24万平方米,建设内容包括厂房、研发楼、宿舍以及配套设施等,建成后用于生产6英寸/8英寸碳化硅(SiC外延晶片,产能达150万片/年。项目建设周期为2023年至......
先进也展出了6/8英寸衬底产品。据该公司消息,其已在8英寸碳化硅衬底上已经具备量产能力,根据下游客户需求情况合理规划产品产销安排。 天域半导体在SEMICON中重点展示了6/8英寸SiC外延......
设备也在不断地进步。 今年年初,盖泽半导体表示其自主研发生产的SiC外延膜厚测量设备GS-M06Y已正式交付客户,该设备主要是针对硅外延/碳化硅外延层厚度进行测量,具有兼容性强,可基......
安森美在捷克投资4.5亿扩建碳化硅工厂;从 2019 年开始,onsemi 将 SiC 抛光晶圆和 SiC 外延 (EPI) 晶圆生产添加到其在 Roznov 现有的硅抛光和外延......
、模块及器件等产品。此外,第27项重点任务指出,加快建设SiC外延及器件制造项目、矽力杰产业化基地等重大项目,完成情况显示,SiC外延及器件制造项目安评、能评、环评编制中。项目方已完成总评,正在......
超14亿、30万片,该车企SiC项目官宣了!;近段时间,长城汽车、长飞先进均披露了旗下碳化硅项目进程: ● 长城赛达:投资约14.7亿元建设碳化硅外延项目,年产能将达30万片。 ● 长飞......
生长设备和工艺研发,相继成功开发6英寸、8英寸SiC晶体和衬底片,是国内为数不多能供应8英寸衬底片的企业。 在SiC设备方面,2023年2月4日,晶盛机电成功发布6英寸双片式SiC外延设备。与单片设备相比,新设......
成本占比是最大,其次是外延成本的占比。可以发现这两大工序是产业发展的主要环节,而它们的制备难度非常大,技术以及成本也非常高。 碳化硅(SiC)衬底,它是一种由碳(C)和硅(Si)组成......
已布局第三代半导体多年。早在2011年,瀚天天成便在厦门火炬高新区成立,它是国内首家产业化3/4/6英寸SiC外延晶片生产商,2020年获华为哈勃投资入股。 目前,厦门市SiC功率电力电子已初步形成了涵盖外延......
厂商SweGaN 4月15日,欧洲碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC外延技术开发商SweGaN AB宣布获得韩国GaN射频及微波半导体厂商RFHIC Corporation(艾尔福)的投......
第三代半导体SiC动态涌现!;近日,化合物半导体动态频频,国家标准GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》正式对外发布,并将于今年年末开始实施。另外晶升股份研发出液相法碳化硅晶体生长设备,多家......
已批量出货。除了已实现量产的Wolfspeed外,还有英飞凌、博世、onsemi、意法半导体、ROHM等多家SiC衬底、外延厂商密集集中在今年或未来1-2年内实现8英寸产品的量产。 而从......
购。虽然意法半导体持续其生产150mm裸晶和外延SiC晶圆,但这笔交易显然针对的是200mm晶圆生产的研发。更先进、更具成本效益的200mm SiC量产,将有......
、IDM以及Foundry)占比最高,达42.4%,接续为衬底片制造业及外延片制造业。 对于SiC衬底及外延材料环节,中国......

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高级工程师8人,中级职称31人。拥有全套引进国际先进设备与技术的LED器件生产线、片式LED器件生产线及GaP液相外延、GaN气相外延外延片生产线。拥有具有自主知识产权外延片、片式LED器件的生产技术!
;广宏电力设备有限公司;;ABB-SafeRing充气柜,施耐德SM6开关柜,SC6-SIC,SC6-SQC开关,SFG开关,EV12断路器,施耐德RM6充气柜,VD4真空断路器,施耐德SC6负荷开关
;上海硕元电子有限公司;;上海硕元电子是一家代理日立ACF,SIC硅胶皮,铁氟龙,ACF除液的公司.产品质优价廉.欢迎有需要的公司咨询采购!
;大连美明外延片科技有限公司;;
全套引进国际先进设备与技术的LED器件生产线、片式LED器件生产线及GaP液相外延、GaN气相外延外延片生产线,南昌国家办导体照明工程产业和基地核心企业。