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研发客服9月5日，日本昭和电工（SDK）宣布，基于其单晶SiC衬底生产的8英寸SiC外延片样品已经开始出货，主要用于SiC功率半导体器件。
据悉，SiC功率半导体目前主要在6英寸SiC外延片上制备，但实际上，外延片尺寸越大，厂商能够生产的功率半导体芯片就越多。因此，器件制造商希望可以导入更大尺寸的SiC外延片，以提升器件生产效率，同时降低成本。
为应对这一市场需求，昭和电工自2021年开始加快8英寸SiC外延片的开发工作，如今，基于其单晶SiC衬底生长的8英寸SiC外延片样品成功实现出货。
目前，昭和电工在全球SiC外延片领域的市场份额依旧领先，未来，集团的目标是进一步加大8英寸外延片的产量，建立稳定的生产系统。与此同时，昭和电工在SiC衬底方面的布局采取供应链多元化的策略。
一方面，昭和电工保持向合作伙伴采购SiC衬底，另一方面，自主开发单晶SiC衬底，保障上游材料产能的同时，改善产品质量。
昭和电工表示，SiC功率半导体的性能很大程度取决于SiC外延片的质量，因此，厂商需要确保SiC外延片具备低表面缺陷密度以及稳定的质量。
值得注意的是，昭和电工一直在推进“下一代绿色功率半导体SiC晶圆技术项目”，并将持续开展研究和开发工作，目标是开发8英寸SiC外延片，并在2030年前将缺陷密度降低一位数或更多。
据化合物半导体市场了解，“下一代绿色功率半导体SiC晶圆技术项目”是““下一代功率半导体SiC晶圆技术项目”的一部分，该项目由日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）主导，是“下一代数字基础设施建设项目”的研发目标。
封面图片来源：拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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