据外媒报道,英飞凌科技公司(Infineon Technologies)扩大与碳化硅(SiC)供应商Resonac公司的合作。根据新协议,Resonac将为英飞凌提供用于生产SiC半导体的SiC材料,预计占其未来十年需求量的两位数份额。
(图片来源:Resonac)
除了直径为150mm的材料,Resonac还计划为英飞凌提供直径为200mm的SiC材料。
与传统的硅晶片(silicon-wafer-based)功率半导体相比,SiC功率半导体可以降低功率损耗,释放的热量更少,从而节省能源。因此,SiC功率半导体市场正在迅速扩大,尤其是在电动汽车等领域。
SiC功率半导体的性能,在很大程度上受到SiC外延片(epi-wafer)的影响。因此,外延片需要具有低表面缺陷密度,而且质量稳定。目前,SiC功率半导体主要由直径150mm(6英寸)的SiC外延片制成。SiC外延片的直径越大,功率器件制造商生产的SiC功率半导体芯片就越多。因此,器件制造商希望引入直径比传统外延片更大的SiC外延片,从而提高生产率,降低器件成本。自2021年以来,Resonac一直在加速开发200mm SiC外延片。
此外,Resonac将加强与英飞凌的联合开发活动,加速改进SiC外延片技术和产品质量。作为合作的一部分,英飞凌将向Resonac提供与SiC材料技术相关的知识产权。
目前,英飞凌正在扩大其SiC制造能力,以期在2030年前占据30%的市场份额。到2027年,英飞凌的SiC制造能力预计将提高10倍。其位于马来西亚居林(Kulim)的新工厂计划于2024年投产。如今,英飞凌已为全球3600多家客户提供SiC半导体产品。