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研发客服奈梅亨，三月 10, 2020：Nexperia，分立器件、MOSFET器件及模拟和逻辑器件领域的生产专家，今日宣布推出PESD2V8R1BSF，这是业内首款专门针对USB4TM标准开发的ESD保护器件，具有行业领先的RF性能。新款器件采用Nexperia的TrEOS ESD技术与有源可控硅（SCR）技术，USB4TM和Thunderbolt接口设计工程师将会特别感兴趣。该器件可实现极低电容（低至0.1 pF）；极低钳位电压 动态电阻低至0.1 Ω）以及非常稳健的防浪涌与ESD性能（，最高可达20A 8/20 µs）。PESD2V8R1BSF采用超低电感SOD962封装。
Nexperia产品经理Stefan Seider评论道：“为避免信号完整性问题，PESD2V8R1BSF ESD保护二极管提供极低的插入损耗和相应的低回波损耗，在10 GHz时分别为-0.21 dB和-17.4 dB。该ESD保护器件可满足USB 3.2的较高电压要求。这意味着，该器件可放置在USB Type-C®连接器后面，用于保护耦合电容，同时仍与USB3.2向后兼容。”
TrEOS保护二极管采用非常紧凑、非常可靠的DSN0603-2 (SOD962)封装。这种广泛使用的0603外形尺寸能够带来诸多优势，包括电感极低，可提供快速保护，并且可集成到单片电路中，无需焊线，从而减少了机械应力和热应力。
奈梅亨，三月 10, 2020：Nexperia，分立器件、MOSFET器件及模拟和逻辑器件领域的生产专家，今日宣布推出PESD2V8R1BSF，这是业内首款专门针对USB4TM标准开发的ESD保护器件，具有行业领先的RF性能。新款器件采用Nexperia的TrEOS ESD技术与有源可控硅（SCR）技术，USB4TM和Thunderbolt接口设计工程师将会特别感兴趣。该器件可实现极低电容（低至0.1 pF）；极低钳位电压 动态电阻低至0.1 Ω）以及非常稳健的防浪涌与ESD性能（，最高可达20A 8/20 µs）。PESD2V8R1BSF采用超低电感SOD962封装。
Nexperia产品经理Stefan Seider评论道：“为避免信号完整性问题，PESD2V8R1BSF ESD保护二极管提供极低的插入损耗和相应的低回波损耗，在10 GHz时分别为-0.21 dB和-17.4 dB。该ESD保护器件可满足USB 3.2的较高电压要求。这意味着，该器件可放置在USB Type-C®连接器后面，用于保护耦合电容，同时仍与USB3.2向后兼容。”
TrEOS保护二极管采用非常紧凑、非常可靠的DSN0603-2 (SOD962)封装。这种广泛使用的0603外形尺寸能够带来诸多优势，包括电感极低，可提供快速保护，并且可集成到单片电路中，无需焊线，从而减少了机械应力和热应力。
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