近日，化合物半导体动态频频，国家标准GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》正式对外发布，并将于今年年末开始实施。另外晶升股份研发出液相法碳化硅晶体生长设备，多家碳化硅企业完成新一轮融资，多个碳化硅项目迎来最新进展。

8英寸企业集结，国家标准《碳化硅外延片》半年后实施

根据全国标准信息公共服务平台官网消息，国家标准GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》已于2024年4月25日正式对外发布，并将于2024年11月1日开始实施。该标准的起草单位囊括了业内多家具备8英寸碳化硅技术的企业，包括天岳先进、烁科晶体、天科合达、科友半导体、乾晶半导体、湖南三安半导体等。

对于国家标准GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》的意义，2023年11月30日，中国电科指出，《碳化硅外延片》国家标准确定了碳化硅外延片的质量技术细节，规范和统一了具体的技术性能项目和指标。该标准及时填补了国内半导体材料领域产品标准的空白，对碳化硅外延片生产工艺、质量控制、采购及销售管理都有重要的指导作用。

晶升股份研发出液相法碳化硅SiC晶体生长设备

近日，晶升股份液相法SiC晶体生长设备研究取得新进展，已成功研发出液相法SiC晶体生长设备并提供给了多家客户，将会继续配合客户不断进行设备的优化和改进工作。

目前， PVT生长工艺是国内厂商生长SiC晶体的主流方法，液相法生长技术则处于研究和开发阶段。关于液相法SiC晶体生长设备，晶升股份提前开展了相关布局并已经在2023年提供样机给多家客户，随后晶升股份协同客户不断进行优化和改进，进一步提升晶体的品质与良率。

此前，晶升股份8英寸SiC长晶设备已实现批量出货,其中包含PVT感应加热/电阻加热单晶炉、TSSG单晶炉等类别产品，下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型SiC晶体生长及衬底制备。

2023年，晶升股份业绩表现良好，实现营收4.06亿元，同比增长82.70%；归母净利润0.71亿元，同比增长105.63%；归母扣非净利润0.42亿元，同比增长86.64%。

北一半导体完成B+轮融资

5月8日，北一半导体官微宣布，他们成功完成了B+轮融资。目前由上海吾同私募基金管理有限公司领投的1亿元资金已经到位，另有5000万元投资金额在结尾工作中，预计本轮融资总额将达到1.5亿元。

消息显示，该轮融资资金主要用于北一半导体SiC MOSFET技术的进一步研发，以及产线的升级与扩建。一方面，通过加大研发投入，加快技术创新的步伐，提升SiC MOS的性能指标和生产效率；另一方面，通过产线的升级与扩建，提高生产规模，满足市场需求，推动SiC MOS的产业化进程。

天眼查显示，北一半导体成立于2017年，专注于Si基、SiC基功率半导体芯片及模块研发、模块生产、销售。此前，北一半导体已完成两轮融资，其中B轮融资金额也超1.5亿元，融资资金主要用于加速公司产线扩建、产品研发、团队扩建以及市场拓展等。

昕感科技再添战略股东，6英寸功率半导体制造项目今年投产

5月11日，昕感科技官宣完成京能集团旗下北京京能能源科技并购投资基金战略入股。

据悉，昕感科技聚焦于第三代半导体SiC功率器件和功率模块的技术突破创新与产品研发生产。昕感科技SiC MOSFET累计出货客户百余家，产品可广泛应用于光伏储能、新能源汽车、工业控制等领域。

昕感科技官方消息指出，公司是国内为数不多可进行6英寸晶圆特色工艺生产的IDM厂商。昕感科技已在650V、1200V、1700V等电压平台上完成数十款SiC器件和模块产品量产，部分产品已通过AEC-Q101车规级可靠性认证。其中，1200V SiC MOSFET产品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ、13mΩ、7mΩ等导通电阻规格，模块产品对标EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封装形式。

今年1月30日，昕感科技6英寸功率半导体制造项目封顶活动在江苏江阴高新区举行。该项目自2023年8月8日启动，总计投资超10亿元。据人民网4月29日报道，江苏昕感科技有限责任公司6英寸功率半导体制造基地近日进入采购设备和调试阶段。这片厂房的主体结构已于今年初全面封顶，计划年底前正式投产。

季华恒一完成A轮融资

5月12日，季华恒一（佛山）半导体科技有限公司宣布，他们于近日完成了A轮融资。本次投资由优山资本领投，季华璀璨（佛山）投资有限公司跟投。

公开资料显示，季华恒一脱胎国内知名的科研机构季华实验室，成立于2021年6月，公司专注于宽禁带半导体和新能源领域的半导体装备产业化，着力于开发满足高良率、稳定生产需求的SiC高温外延生长系统等等。

值得一提的是，去年5月，季华恒一自主研发的高温离子注入设备交付客户，可兼容4至8英寸碳化硅晶片的离子注入工艺；同年12月碳化硅激光退火设备再次交付新订单。

明年7月将投产，长飞先进200亿元武汉基地首栋建筑封顶

据中国光谷5月10日消息，日前，长飞先进武汉基地项目首栋宿舍楼提前封顶。这标志着，该项目进入投产倒计时，预计于今年6月全面封顶，明年7月投产。

消息称，长飞先进武汉基地项目位于武汉新城中心片区，由长飞先进半导体（武汉）有限公司出资建设，总投资预计超过200亿元。项目主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，应用范围广泛覆盖新能源汽车、光伏储能、充电桩、电力电网等领域，致力于打造全智能化的碳化硅器件制造标杆工厂。项目建成后，将成为国内最大的碳化硅功率半导体制造基地。

该项目由中建一局承建，占地面积约22.94万平方米，建筑面积约30.15万平方米，主要建设内容包括芯片厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等，建设周期为578日历天。项目达产后，预计可年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块。

江苏天科合达碳化硅晶片二期扩产项目预计6月投产

据金龙湖发布消息，目前，江苏天科合达碳化硅晶片二期扩产项目机电安装工作已进入后期收尾阶段。

相关负责人表示，后续重要工作将是吊顶完成，各系统的追位、调试，以及生产辅助用房建设和地面硬化等，力保6月前完成调试，6月3日顺利竣工交付。

金龙湖发布消息显示，天科合达二期项目作为省级重大产业项目，总投资8.3亿元，建筑面积约5万平方米，包括标准化厂房、危化库、固体库等设施。计划购置安装单晶生长炉及配套设备合计647台（套），新建碳化硅晶片衬底制备生产线，达产后可实现年产碳化硅衬底16万片。此次二期扩产项目投产后，天科合达徐州基地碳化硅晶片年产能将达到23万片、年产值10亿元以上。

资料显示，江苏天科合达是北京天科合达全资子公司。北京天科合达是国内首家专业从事第三代半导体碳化硅衬底及相关产品研发、生产和销售的国家级高新技术企业。

三安半导体SiC项目二期计划Q3投产

5月9日，据湖南三安半导体消息，湖南三安半导体董事长林志东近日作为中国半导体企业代表应邀参加了中法企业家委员会第六次会议。

在法期间，林志东介绍了湖南三安SiC项目最新进展。据介绍，位于湖南湘江新区的湖南三安半导体责任有限公司，2020年落户长沙，仅用一年时间就点火试产。目前，一期已经全线投产，目前SiC年产能已达到25万片（6英寸）。二期正在建设中，将全部导入8英寸生产设备和工艺，计划今年三季度投产。整个项目达产后将实现总计年产48万片的规模。

据悉，该项目作为国内首个、世界第三个SiC全产业链整合研发与制造项目，总投资160亿元，规划用地面积约1000亩，主要建设具有自主知识产权，以SiC、GaN等宽禁带材料为主的第三代半导体全产业链生产与研发基地，业务涵盖衬底材料、外延生长、晶圆制造及封装测试等环节。该项目一期于2020年7月破土动工，2021年6月23日正式投产，并于同年11月量产下线SiC SBD全系列产品。2022年7月，该项目二期工程开工。

产品方面，湖南三安的SiC系列产品主要面向工业级和车规级应用。目前，湖南三安SiC SBD已推出G3/G4/G5系列产品，已广泛应用于光伏逆变器、充电桩、电源以及新能源汽车等领域并形成批量出货，累计出货量超2亿颗；SiC MOSFET方面，湖南三安已推出针对新能源汽车主驱的1200V 16mΩ车规级产品，目前正在数家战略客户进行模块验证；湖南三安还推出了针对光伏的1700V 1Ω及1200V 32mΩ/75mΩ SiC MOSFET，已在重点客户批量导入。

此外，湖南三安今年4月在第十八届北京国际车展上展示了1200V 8mΩ SiC MOSFET，这款产品是湖南三安目前1200V电压平台最小导通电阻、最大额定电流产品。

合作方面，湖南三安与维谛技术于3月28日宣布达成战略合作伙伴关系，双方将共同推动数据中心、通信网络等领域的创新与发展。基于此，湖南三安SiC业务有望向数据中心、通信等领域加速渗透。

河南中宜创芯500吨碳化硅半导体粉体生产线成功达产

近日，河南中宜创芯发展有限公司（以下简称“中宜创芯”）SiC半导体粉体500吨生产线成功达产，产品纯度最高达到99.99999%，已在国内二十多家企业和研究机构开展试用和验证。

资料显示，中宜创芯成立于2023年5月24日，由中国平煤神马控股集团和平顶山发展投资集团共同出资设立，总投资20亿元，分期建设年产2000吨碳化硅半导体粉体生产线。项目一期总投资6亿元，年产能500吨，占地12000平方米，2023年6月20日开工建设，9月20日项目建成并试生产，9月30日首批产品出炉。预计达产后年产值5亿元，

据悉，2023年国庆期间，经权威机构检测，中宜创芯首炉SiC粉体产品纯度为99.99996%，达到国内优等品标准。10月17日该项目一期试生产结束，第一批设备全部投料完成，标志着中宜创芯SiC粉体开始进入批量生产阶段。历时三个月，该项目一期从开工进入到试生产阶段，再经过半年时间，项目又完成从试产到达产转变，在建设进度方面进展较快。与此同时，SiC粉体产品纯度不断提升，已由99.99996%进一步提高到99.99999%。

目前，中宜创芯SiC粉体产品正在被国内多家企业和研究机构试用和验证，在一定程度上显示了该产品市场认可度较高，也为中宜创芯SiC粉体后续扩产项目顺利进行起到了一定的推动作用。

此外，技术研发方面，中宜创芯已与浙江大学杭州国际科创中心签订合作框架协议发挥双方优势，共同开展碳化硅半导体粉体行业标准制定、科技创新、成果转化、平台建设、人才培养等方面的合作，努力创造出更多成果。

年产40万片国内碳化硅衬底扩产

在电动汽车、可再生能源和工业自动化等应用的推动下，碳化硅的市场需求量不断增加。而在碳化硅的主要成本中，衬底环节成本大于外延环节和制备环节等。从成本与市场的角度来看，碳化硅衬底成本降低40%，碳化硅市场规模将提升4倍。从供给与需求侧来看，2025年全球衬底需求量将超过300W片，而2022年全球碳化硅衬底产能仅为60~80万片，产能缺口达5倍左右，国内外企业等纷纷着力扩产。

近日，江西罡丰科技有限公司公示了其年产40万片第三代半导体衬底外延建设项目（一期）的相关内容，该项目的主要建设内容包括碳化硅半导体衬底生产线的建设以及相关配套厂房设施的完善。项目一期工程预计建成后将具备年产40万片第三代半导体衬底外延的能力。

江西罡丰科技有限公司表示，此次投资是为了满足市场对高性能半导体衬底材料的需求，同时也将推动公司在半导体领域的技术创新和产业升级。该项目的实施，不仅将提升公司的核心竞争力，还将为我国的半导体产业发展注入新的活力。

10亿！源芯微电子年产20亿只车规级芯片智造项目签约

5月9日，“南太湖发布”官微披露，浙江湖州南太湖新区管理委员会和安徽源芯微电子有限责任公司（以下简称源芯微电子）举行源芯微电子年产20亿只车规级芯片智造项目签约仪式。

据悉，此次签约落地的年产20亿只车规级芯片智造基地和SiC车规级芯片研究院项目总投资10亿元，分两期建设，全部达产后年产值约18亿元。

源芯微电子从事高端半导体芯片设计研发、封装测试、成品销售，其主要产品是半导体集成电路芯片，广泛应用于家电、PC/手机平板、无线快充、移动电源充电桩、智能家居、穿戴设备、绿色照明、健康医疗等行业及新能源等领域。

近年来，源芯微电子持续加大功率半导体产业布局。2021年12月，芜湖高新区（弋江区）举行重大项目集中签约、开工活动，其中就包括源芯微电子先进功率半导体基地项目。

据报道，源芯微电子先进功率半导体基地项目总投资10亿元，专注于半导体功率器件设计、生产与销售。项目达产后年产能将达到100亿只功率器件、IC芯片。

2021年10月，源芯微电子完成A轮融资，投资方包括锡创投、金投致源、弋江区政府投资基金。

封面图片来源：拍信网