GaN市场虽不如SiC市场火热，但今年以来行业内动作也不少，既反映了GaN市场格局处于调整期的事实，也透露出GaN厂商在各应用市场稳步前行的信号。目前，相关厂商依旧看好该技术的前景并积极挖掘其应用潜力。近期，在台亚半导体公布了GaN功率半导体业务发展进度超前之后，GaN射频（RF）应用领域也传来了正向进展的消息。

韩国RFHIC投资GaN射频外延厂商SweGaN

4月15日，欧洲碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）外延技术开发商SweGaN AB宣布获得韩国GaN射频及微波半导体厂商RFHIC Corporation（艾尔福）的投资（投资金额未披露），双方就GaN-on-SiC外延解决方案的研发与产品开发等达成了战略合作，未来将共同挖掘GaN射频应用市场。

过去十年，SweGaN致力于GaN-on-SiC外延解决方案的开发，服务于5G通信基础设施、国防雷达、卫星通信、车载OBC、数据中心等射频、功率半导体市场。

RFHIC主要面向无线通信、国防航空航天以及工业、科学和医疗等领域开发射频、微波半导体器件及混合模块等产品，公司总部位于韩国，已在欧洲、美国、中国、日本等地设立了子公司或办事处。目前，RFHIC正在积极推广和应用GaN技术，开发4GHz超高频段等产品。

本次合作顺应了全球能源转型期的发展趋势，亦符合双方各自的发展战略需求。

对于SweGaN而言，借助RFHIC的资金、技术、资源等各方面的支持，其能加速推进GaN-on-SiC外延片的扩产进程，同时有望显著提升在全球GaN市场的地位。

对于RFHIC而言，SweGaN的高性能6英寸GaN-on-SiC外延技术解决方案有助于其推动5G/6G、卫星通信等射频GaN市场发展战略的实施；另外，此举也符合其GaN外延片供应商多元化的发展需求。

多国加注GaN射频技术，长远成长可见度高

GaN-on-SiC技术是射频应用领域的理想解决方案，能够满足5G/6G通信基站、航天航空、卫星通信等对高效能源转换、高频率、高带宽的需求，现已被列入多个国家的战略发展方向之一，如韩国、英国、中国等。

其中，韩国早在2021年便确定了“X-band 氮化镓（GaN）半导体集成电路”国产化课题，目的是培育国防产业原材料、零部件、装备企业，而RFHIC正是该课题的牵头企业。此外，不久之前，韩国电子通信研究院（ETRI）刚宣布将启动射频GaN晶圆代工业务，采用150nm GaN微波集成电路（MMIC）设计套件（PDK），据悉，该设计套件是根据科学与信息通信技术部”电信用化合物半导体研究代工厂”项目而开发。

英国方面也在积极打造相关自主供应链。今年2月消息显示，英国拟通过一个名为ORanGaN的项目构建全新的自主供应链，专注于5G通信射频GaN产品和设备的研发，制备基于GaN技术的单片微波集成电路芯片 (MMIC) 等5G通信组件，助力英国实现5G、商用射频GaN器件的生产能力，最终帮助增强英国国内5G基础设施和网络韧性，推动经济增长。目前，该项目也获得了英国科学、创新和技术部 (DSIT) 的支持。

中国亦高度重视包括射频GaN在内的第三代半导体产业，已将其纳入国家科技创新重大专项、战略性新兴产业发展规划等政策框架内，并给予资金支持、税收优惠、科研项目倾斜等政策扶持。产业链正在逐步构建和完善中，其中，以英诺赛科、三安光电等为代表的本土IDM企业已呈现出了较强的竞争力，在GaN产业链实现了全覆盖。在国内射频应用已到了成熟阶段这个背景下，相信国产GaN射频产业也将蒸蒸日上。

总的来说，全球多国对发展射频GaN技术的决心明确，近几年来也可见到重视程度在不断提升，这表明未来GaN在射频应用市场有着比较高的成长可见度。

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