资讯
龙腾半导体闯关科创板 募资11.8亿元向Fab-Lite模式转变(2021-06-25)
范围的中低压、高压各产品系列。
值得注意的是，招股书指出，龙腾半导体目前主要采用Fabless经营模式，专注于功率器件研发、设计和销售环节，未来还将通过自建8英寸功率半导体外延片产线的方式，实现......
盖泽半导体首台国产SiC外延膜厚测量设备顺利交付(2023-02-17)
式交付客户。
消息显示，GS-M06Y将应用于半导体前道量测，主要针对硅外延/碳化硅外延层厚度进行测量。GS-M06Y设备采用了盖泽半导体自主研发的高精算法、Load Port、控制软件以及FTIR光路系统。据悉......
GaN衬底研发获新突破！(2022-12-01)
GaN衬底研发获新突破！;近日，北京大学与中镓半导体、波兰国家高压实验室开展了合作，使用乙烯气源制备出了世界最高电阻率的半绝缘GaN自支撑衬底。
实验使用乙烯气源制备了半绝缘GaN衬底，并对......
2025年全球硅外延片市场规模将达109亿美元(2022-12-22)
生长一层或多层硅单晶薄膜的材料，用于制造半导体分立器件和集成电路。根据衬底片的掺杂浓度不同，分为轻掺杂衬底外延片和重掺杂衬底外延片。前者通过生长高质量的外延层，可以提高CMOS栅氧......
两家国产企业半导体设备有新进展(2023-11-29)
子浓度是一个重要的技术参数。目前，行业普遍使用电容电压（CV）法来测量同质外延层的载流子浓度。该方法可直接在半导体上形成肖特基势垒测得外延层的载流子浓度，也可以形成MOS电容结构对CVD工艺等进行监控，从而有效评估各类半导体材料制造工艺中外延层的载流子浓度以及外延层......
全磊光电化合物半导体外延片项目在厦门开工(2025-01-15)
全磊光电化合物半导体外延片项目在厦门开工;1月12日，全磊光电股份有限公司（下文简称“全磊光电”）化合物半导体外延片/芯片研发及产业化项目在厦门开工。
据全磊光电官方微信介绍，该园......
半导体所等在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列进展(2022-10-19)
半导体所等在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列进展;中国科学院半导体研究所研究员刘志强等与北京大学、北京石墨烯研究院等单位合作，在氮化物外延及热电能源器件领域取得系列研究进展，验证了氮化物异质异构单晶外延......
电科材料新外延材料产业基地首批硅外延和碳化硅外延下线(2022-12-15)
着新产业基地进入试生产和验证阶段。
电科材料稳步推进硅基外延产业发展，积极布局第三代半导体外延材料的研发生产，经过建设，近日实现了新产业基地首片硅外延和碳化硅外延下线，后续将进行新品全尺寸检测评估并向客户提供验证样片。
消息......
半导体FTIR外延膜厚量测设备实现新突破！(2024-09-18)
半导体FTIR外延膜厚量测设备实现新突破！;9月14日，盖泽华矽半导体科技（上海）有限公司（以下简称“盖泽半导体”），两台自主研发的FTIR膜厚量测设备GS-M08X，正式交付两家客户。
作为......
威科仪器起诉中国专利局，中微半导体“躺枪”(2020-04-23)
专利权有效。
据悉，该设备包括旋转的主轴和随之转动的托盘。在工作时，芯片放置在托盘上，并由托盘带动其进行转动，同时通过气相沉积工艺在芯片表面沉积外延层。半导体......
SiC生长过程及各步骤造成的缺陷(2024-01-23)
中晶体和表面缺陷的密度很高，导致衬底质量和随后制造的外延层质量差 。
本篇文章主要总结了 SiC 生长过程及各步骤造成的缺陷。
SiC 晶片中的缺陷通常分为两大类：
· 晶片内的晶体缺陷
· 晶片......
总投资6亿元 化合物半导体外延片研发和生产项目落户西安高新区(2021-05-17)
总投资6亿元 化合物半导体外延片研发和生产项目落户西安高新区;据西安高新消息，5月14日，“互联互通·共建共享”第五届丝博会西安高新区投资环境说明会暨项目签约专场活动在西安高新国际会议中心举行，期间......
凤凰光学重大资产重组方案出炉，转战半导体外延材料领域(2021-10-11)
凤凰光学重大资产重组方案出炉，转战半导体外延材料领域;近日，凤凰光学发布重大资产出售及发行股份购买资产并募集配到资金暨关联交易预案。
其中，重大资产出售方面，凤凰......
两家碳化硅材料公司获新一轮融资(2023-11-03)
产业中的应用，公司主要产品为LED芯片外延用SiC涂层基座、硅单晶外延基座、第三代半导体外延基座和组件、碳化钽涂层等。
值得注意的是，半导体涂层材料作为各类芯片工艺方面的关键耗材，一直......
第三代半导体外延代工获青睐，这家公司完成超3亿元A轮融资(2022-03-08)
第三代半导体外延代工获青睐，这家公司完成超3亿元A轮融资;3月7日，百识电子官微宣布公司日前超募完成A轮融资，融资总额超3亿元人民币。
本轮融资由杭实资管领投，毅达资本、华映资本、阿晨......
车规碳化硅功率模块——衬底和外延篇(2023-01-10)
链从我们位于新罕布什尔州哈德逊的工厂生长单晶SiC粉材料开始。在衬底上生长一层很薄的外延层，然后经过多个复杂的器件加工步骤生产出芯片，然后将芯片来封装成最终产品。整个制造流程端到端垂直整合，具有......
瀚天天成碳化硅产业园二期项目通过竣工验收 计划2022年二季度投产(2022-04-15)
及辅助设施等。
官网显示，瀚天天成引进德国Aixtron公司制造的碳化硅外延晶片生长炉和各种进口高端检测设备，形成了完整的碳化硅外延晶片生产线。
2012年3月9日，瀚天天成宣布开始接受商业化碳化硅半导体外延......
车规碳化硅功率模块 - 衬底和外延篇(2023-01-10)
链从我们位于新罕布什尔州哈德逊的工厂生长单晶SiC粉材料开始。在衬底上生长一层很薄的外延层，然后经过多个复杂的器件加工步骤生产出芯片，然后将芯片来封装成最终产品。整个制造流程端到端垂直整合，具有......
打破欧美技术垄断，唐晶量子将实现年产6英寸GaAs基外延片2万片(2021-05-31)
月，唐晶量子化合物半导体外延片项目也签约落户西安高新区，该项目投资6亿元实施，将在西安高新区开展MOCVD外延设备、芯片验证测试设备及新材料器件等产品的研发和生产。
封面图片来源：拍信网......
10亿元百识电子项目签约落地 生产第三代半导体外延片(2022-12-02)
10亿元百识电子项目签约落地 生产第三代半导体外延片;据江都经济开发区消息，11月30日，百识电子项目签约仪式在扬州市江都区政府会议中心举行。
百识电子项目由南京百识电子科技有限公司（以下......
南京盛鑫大尺寸硅外延材料产业化项目开工 ，一期投资13.6亿元(2022-05-05)
材料产业基地。
企查查显示，南京盛鑫由南京国盛电子有限公司（以下简称“国盛电子”）100%持股。国盛电子隶属于中国电子科技集团公司第五十五研究所，致力于半导体外延材料的研发和生产。
封面图片来源：拍信网......
河北普兴电子第三代半导体外延片项目预计年底竣工(2022-08-17)
河北普兴电子第三代半导体外延片项目预计年底竣工;据长城网·冀云客户端报道，普兴电子搬迁项目将于8月底实现核心工艺设备搬入条件，2022年底项目将全面竣工。
据了解，普兴电子搬迁项目为2022......
电科材料6英寸碳化硅外延片产业化取得重大进展(2023-04-26)
碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶薄膜的碳化硅片，是用于制造高性能半导体器件的关键材料。电科材料持续布局第三代半导体外延材料研发生产，实现一系列技术突破，在碳化硅外延领域，完成6英寸3300V碳化硅外延......
总投资55亿元的半导体材料项目试生产(2021-06-11)
片制造项目总投资55亿元，其中一期投资5亿元，主要进行高端电子级半导体材料（8-12英寸晶圆片）切磨、抛光、外延等材料的研发、制造，以及第三代化合物半导体外延片的生产，一期投产后年产值9亿元。
天眼......
总投资3.32亿元 志橙半导体碳化硅材料研发制造项目备案通过(2021-04-09)
材料有限公司全资子公司，于2020年11月注册成立，注册资本1.2亿元。后者为半导体外延用材料供应商，主要为生产和加工晶圆的高科技设备反应腔提供零部件，产品可用于集成电路硅外延、LED GaN外延、第三代半导体SiC......
第六届国际碳材料大会暨产业展览会 ——“碳化硅半导体论坛”会议通知(2022-08-25)
2022碳化硅半导体论坛将聚焦碳化硅衬底、外延、功率器件制造及相关应用等领域的技术难点与前沿发展趋势，旨在突破碳化硅半导体产业技术瓶颈，吸收顶尖研究机构与企业的行业远见，整合对接碳化硅半导体......
能华半导体张家港制造中心（二期）项目开工(2024-04-22)
张家港制造中心（二期）项目总投资6000万元，规划建设生产厂房及配套设施，总建筑面积约10000平方米，采用先进半导体外延、测试等工艺技术，购置MOCVD、XRD衍射仪、AFM原子力显微镜等设备，新建GaN外延......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
为了让电场分布更加均匀，他们都使用了场板的设计。不同之处在于氮化镓是化合物半导体外延，通过异质结形成高电子迁移率的二维电子气沟道（2DEG）。而硅LDMOS是在硅外延层上进行掺杂形成P-N结。
2、氮化......
优化衬底助推第三代半导体实现汽车创新(2023-01-09)
材料的企业，Soitec从1992年公司成立直到现在都在使用一种称为Smart CutTM的技术，对硅、碳化硅、蓝宝石衬底（生长外延层的洁净单晶薄片）等各种半导体......
宏光半导体氮化镓功率器件外延片产品正式投产(2022-11-02)
政府未来亦会加大资源研发及制造第三代芯片，香港应用科技研究院建议增拨资源，推动国家半导体发展，可见半导体产业对于经济发展的重要性。第三代半导体外延片乃半导体产业链环节中的其中一个主要部分，为第三代半导体的半制成品，透过......
8英寸企业集结，国家标准《碳化硅外延片》半年后实施(2024-05-16)
准由南京国盛电子有限公司（以下简称：国盛电子）牵头。据悉，国盛电子隶属于中国电子科技集团公司第五十五研究所，致力于半导体外延材料的研发和生产。
2021年9月，国盛电子“外延材料产业基地项目”签约......
GaN的里程碑：晶圆向300mm过渡(2024-09-09)
GaN的里程碑：晶圆向300mm过渡;氮化镓（GaN）作为一种高性能半导体材料，因其在高频、高功率、高温和高压环境下的卓越性能而备受关注。随着对高性能电子器件需求的不断增长，GaN技术......
瀚天天成宣布开始量产8英寸SiC外延晶片，已签订2.19亿美元长约(2023-07-10)
产业的发展具有深远的意义。
公开资料显示，瀚天天成成立于2011年3月，是一家集研发、生产、销售碳化硅外延晶片的中美合资高新技术企业，已形成3英寸、4英寸以及6英寸的完整碳化硅半导体外延晶片生产线，并满......
晶旭半导体与睿悦控股集团签署战略投资协议(2024-02-04)
是一家拥有5G通信中高频体声波滤波芯片（BAW）全链条核心技术、以IDM模式运行的高新技术企业。该公司致力于打造第三代和第四代化合物半导体芯片产业生态圈，是宽禁带化合物半导体外延薄膜材料制造商。
该公......
第三代半导体功率器件在汽车行业的应用(2023-09-19)
）的碳化硅片。实际应用中，宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底，包括GaN外延层的衬底。
目前，碳化硅单晶衬底上的SiC薄膜制备主要有化学气相淀积法（CVD）、液相法（LPE......
华为哈勃投资！这家公司6.3亿元SiC项目主体封顶(2021-06-01)
晶片的中美合资高新技术企业，引进德国Aixtron公司制造的全球先进的碳化硅外延晶片生长炉和各种进口高端检测设备，形成了完整的碳化硅外延晶片生产线，是中国第一家提供产业化3英寸、4英寸和6英寸碳化硅半导体外延......
天岳先进、天域半导体等碳化硅大厂迎最新动态！(2024-07-08)
片的生长工艺可消除反应产物污染，在衬底与外延层间做好贯穿晶体缺陷的转化，可完美的隔离外延缺陷。
图源：拍信网
芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制备方法”专利公布
天眼查显示，广东芯聚能半导体......
晶旭半导体获睿悦控股集团亿元战略投资(2024-02-04 10:03)
过多家知名品牌客户的验证，有效解决我国在5G射频滤波芯片领域卡脖子问题。致力于打造第三代和第四代化合物半导体芯片产业生态圈，是全球领先的宽禁带化合物半导体外延薄膜材料制造商。
......
南京大学、东南大学在双层二维半导体外延生长核心技术取得新突破(2022-05-10)
南京大学、东南大学在双层二维半导体外延生长核心技术取得新突破;据科技日报报道，近日，南京大学王欣然教授团队与东南大学王金兰教授团队合作，实现了厘米级均匀的双层二硫化钼薄膜可控外延生长，该成......
启迪半导体或在安徽投资SiC外延片项目(2021-07-24)
技术的研发和生产。拥有以GaN和SiC为代表的第三代半导体外延生长、芯片制造、器件和模组封装测试等四条生产线。
据介绍，启迪半导体具备从芯片制造到IGBT模组......
工信部：将碳化硅复合材料等纳入“十四五”相关发展规划(2021-08-25)
产业基础高级化、产业链现代化。
碳化硅相较于传统半导体硅材料，在耐高压、耐高温、高频等方面具备碾压优势，是材料端革命性的突破。碳化硅被称为第三代半导体核心材料，碳化硅材料主要以在导电型碳化硅衬底上外延生长碳化硅外延层......
超14亿、30万片，该车企SiC项目官宣了！(2024-02-27)
氮化镓射频产品1.2万片/年。
除安徽技改项目，长飞先进在武汉还建有一个第三代半导体功率器件生产基地项目，该项目拟投资人民币60亿元，建设内容包括第三代半导体外延、晶圆制造、封测等产线，建设......
碳化硅相关厂商上市新进展(2024-01-23)
碳化硅相关厂商上市新进展;近期，媒体报道瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司（以下简称“瀚天天成”）递交的招股书获受理。
资料显示，瀚天天成是宽禁带半导体外延晶片提供商，主要从事碳化硅外延......
JBD 推出“Phoenix 系列”单片式全彩 MicroLED 原型微显示屏，(2023-08-31)
发射器和 AlInGaP 红色发射器连接。
官方强调“这些半导体发射器垂直堆叠并同轴排列”，并提供了截面 SEM 图像用于演示，其中（a）为全彩晶圆；（b）为 5um 彩色像素间距阵列的 45 度倾斜 SEM......
又拿下关键一环，国产SiC设备加速崛起！(2023-05-26)
设备也在不断地进步。
今年年初，盖泽半导体表示其自主研发生产的SiC外延膜厚测量设备GS-M06Y已正式交付客户，该设备主要是针对硅外延/碳化硅外延层厚度进行测量，具有兼容性强，可基......
市场规模节节攀升，第三代半导体成收购的热门赛道(2023-03-10)
封测的跨越；
2022年10月，荷兰半导体设备制造商ASM宣布已完成对LPE的收购，而LPE是硅基和碳化硅基半导体外延炉设备厂商；
2022年8月，纳微半导体......
国内10个半导体产业项目全面绽放(2024-12-27)
公司与清镇市工业投资有限公司共同出资成立的一家集成电路芯片研发设计、封装测试、智能电子产品方案主板设计、生产制造及销售为一体的高科技公司。
唐晶量子化合物半导体外延片研发和生产项目竣工投产
据“西安高新”消息，近日，西安高新区举行2024年下......
碳化硅设备加速！又一相关企业完成融资(2024-09-25)
加工中心和产品检验检测中心等生产制造系统。
目前，铠欣半导体产品主要有硅外延设备碳化硅石墨基座、宽禁带半导体外延设备石墨基座、MOCVD设备碳化硅石墨基座、半导体设备用纯碳化硅产品和烧结碳化硅产品、光伏&......
总投资3.32亿元 志橙半导体材料广州总部项目开工(2021-06-21)
内首家实现碳化硅石墨盘国产化、唯一量产半导体外延用SiC涂层石墨基座的高科技企业，其产品获多家半导体企业批量采购。位于广州开发区的志橙新工厂占地1.5万平方米，预计项目总投资额为3.32亿元，达产......
市场规模节节攀升，第三代半导体成收购的热门赛道(2023-03-13)
是硅基和碳化硅基半导体外延炉设备厂商；
2022年8月，纳微半导体正式宣布收购Gene。据悉，GeneSiC拥有深厚的碳化硅功率器件设计和工艺方面的专业知识，顺利合并后纳微半导体将在下一代功率半导体......
相关企业
;广州市昆德科技有限公司;;本公司由数位曾在广州半导体材料研究所获得半导体测试仪多项成果奖的高级工程师主持产品开发，他们已完成过的研制项目有：硅产品寿命测试仪数字电阻率测试仪硅外延层
;山东华光光电子有限公司;;山东华光光电子有限公司成立于1999年11月，是专业从事化合物半导体外延材料及光电子器件研发、生产、销售的高新技术企业。公司由潍坊市投资公司和山东大学共同出资组建，分别
;山东华光光电子有限公司国外经销部;;山东华光光电子有限公司成立于1999年11月，是专业从事化合物半导体外延材料及光电子器件研发、生产、销售的高新技术企业。公司
;山东瑞森华光光电子有限公司;;山东华光光电子有限公司位于国家级济南高新区，是专业从事化合物半导体外延材料及光电子器件研发与生产的高新技术企业。主要产品包括红/橙/黄/黄绿高亮度发光二极管（LED
;广州普光科技有限公司;;普光科技于1999年成立，是由香港普基发展集团投资设立的高科技独资企业。公司在广州经济技术开发区和番愚区拥有两个厂房，共占地面积42700多平方米,投资约3亿港元.公司主要为国内外知名半导体外延
rectron;麗正國際科技;;Rectron (China) Ltd 是功率半导体的主要制造商，提供全面的整流器、二极管、三极管及抑制器。产品技术包括箫特基阻碍器、超快速、特快速外延、高效率、快速
片生产及芯片封装，装配外延片生产线（MOCVD）20条，芯片生产线12条，芯片封装生产线14条，共投资7亿元；第三期是在第一期和第二期的基础上，根据企业发展的需要，生产半导体照明材料，装配砷化镓、氮化
;山东浪潮华光光电子股份有限公司;;公司成立于1999年，现注册资本为3.25亿元。是国内最早引进MOCVD设备，专业从事化合物半导体外延片及光电子器件研发与生产的高新技术企业。拥有
;山东浪潮华光光电子有限公司;;公司成立于1999年，现注册资本为3.25亿元。是国内最早引进MOCVD设备，专业从事化合物半导体外延片及光电子器件研发与生产的高新技术企业。拥有完整的产业链，是国
;山东天岳先进材料科技有限公司;;山东天岳先进材料科技有限公司是专业从事蓝宝石和碳化硅单晶生长加工的高新技术企业。公司的主要产品有2-6英寸蓝宝石和2-4英寸碳化硅单晶衬底，其产品广泛应用于半导体