葫芦电子社区-电子元器件库存搜索引擎，为您网罗全球厂商代理商库存

资讯

P沟道功率MOSFETs及其应用; ，虽不及广泛使用的N沟道出名，在传统的应用范围也较有限，然而，随着低压（LV）应用需求的增加， MOSFET的应用范围得到拓展。高端侧（HS）应用P沟道......
得到了最广泛应用。今天我们就详细跟大家一起了解逻辑IC的基本操作。本文引用地址： 什么是呢？ 使用互补的p沟道和n沟道MOSFET组合的电路称为CMOS（互补MOS）。CMOS逻辑IC以各种方式组合MOSFET......
要抓住关键地方 ： G极，不用说比较好认。S极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是。D极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边。 2. 是N沟道还是P沟道？ 三个脚的极性判断完后，接下就该判断是P沟道还是N......
常用功率MOSFET构成H桥电路的桥臂。H桥电路中的4个功率MOSFET分别采用N沟道型和P沟道型，而P沟道功率MOSFET一般不用于下桥臂驱动电机，这样就有两种可行方案：一种是上下桥臂分别用2个P沟道功率MOSFET......
应，并且持续不活动，系统就会进入复位模式，开始电源循环。 较常用于实现高端电源路径或输入开关的方法是使用MOSFET。N沟道或P沟道MOSFET均可用作输入开关，每种开关的驱动要求各有不同。驱动N......
持续不活动，系统就会进入复位模式，开始电源循环。  较常用于实现高端电源路径或输入开关的方法是使用。N沟道或P沟道均可用作输入开关，每种开关的驱动要求各有不同。驱动N沟道作为高端开关有点复杂，因此......
应管分为结型（JFET）和金属-氧化物-半导体型（MOSFET）两种类型。 JFET的英文全称是Junction Field-Effect Transistor，也分为N沟道和P沟道两种，在实际中几乎不用。 MOSFET......
Nexperia发布P沟道MOSFET，采用节省空间的坚固LFPAK56封装; 奈梅亨，2020年5月7日：半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空......
方向是从D极指向S极。 这个“桥”的学名叫做“沟道”，沟道是由衬底中电子被吸引来形成的就叫N沟道，沟道是由衬底中空穴被吸引过来形成的就叫P沟道，个人感觉这名字还是挺贴切的。好，到我们敲黑板知识点：P的全......
为什么使用mos管作为电池反向保护?; 今天给大家分享的是：使用 MOS管作为电池反向保护。 会分别针对 P 沟道 MOS 管作为电池反向保护和 N 沟道 MOS 管作......
新一代 P 沟道 JPFET 搭配先进 PDFN 封装成就国际领先性能; 1、搭配先进 PDFN3x3-8L 及 PDFN5x6-8L 薄型封装，比传统 SOP-8L 及DPAK 封装，面积......
电路可配置为电压限幅器，GATE输出齿波来限制负载电压(MAX6495/MAX6496/MAX6499)。 MAX6496支持较低的输入电压，通过外部串联p沟道MOSFET替换......
  MOSFET不是单纯的沟槽型MOSFET，它在独特的晶面上形成沟道，并且有非对称的深P阱结构，这使得CoolSiC™ MOSFET具有较低的导通电阻，与Si器件类似的可靠性，以及良好的体二极管特性。......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
组成的电路就是集成电路，由NMOS和两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。 PMOS PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。 NMOS和PMOS工作原理 P沟道MOS......
MOSFET 导通时，漏源压降 VDS 取决于漏源电阻 RDS,ON 和漏源电流 ID：VDS = RDS,ON * ID。与肖特基二极管相比，该压降一般要低得多。 P 沟道 MOSFET 与所......
; VBE(BJT)/(Rᴘ+ * Cdb)时，）BJT导通。 3.当Vgs > Vgs(miller)时，P+层足够多的电子被吸附到栅氧层表面，形成导电沟道，此时MOSFET沟道......
LT8415数据手册和产品信息;LT®8415 是一款超低功率升压型转换器，具有两个集成互补型 MOSFET 半桥式 (N 沟道和 P 沟道) 集成电源开关、肖特基二极管和输出断接电路。每个......
P衬底的多子(空穴)极性相反，被称为反型层，并把漏源极N型区连接起来形成导电沟道，当Vgs比较小时，负电荷与空穴中和，仍无法导电，当Vgs超过导通阈值后，感应的负电荷把N型区连接起来形成N沟道，开始......
电荷泵。 升压转换器的简化原理图，在电源和升压转换器输入之间具有一个用于短路保护的 n 沟道 MOSFET 2、P 沟道 MOS 管......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管，SVG032R4NL5采用......
关电源线路 首先，必须决定开关元件是N沟道还是P沟道MOSFET。这两种可能都合适。但是，与P沟道MOSFET相比，N沟道MOSFET的电阻更低，所以在导通状态下损耗也更低。其劣势在于N沟道MOSFET的驱......
决定开关元件是N沟道还是P沟道MOSFET。这两种可能都合适。但是，P沟道MOSFET相比，N沟道MOSFET的电阻更低，所以在导通状态下损耗也更低。其劣势在于N沟道MOSFET的驱动方面。其中，栅极......
用工业制程兼容的热蒸镀工艺实现了薄膜的低温制备，证明了在高性能、稳定的P沟道TFT器件和CMOS互补电路中的应用可行性。这项研究将开启P型半导体器件的研究热潮，并在建立商业上可行的非晶P沟道TFT技术和低功耗CMOS......
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用; 一、分类 MOSFET是集成电路中带有绝缘层的栅型场效应管，主要分为N沟道和P沟道两大类。其中N沟道MOS管电路中BEEP引脚......
构示意图： 解释1：沟道 上面图中，下边的p型中间一个窄长条就是沟道，使得左右两块P型极连在一起，因此mos管导通后是电阻特性，因此它的一个重要参数就是导通电阻，选用mos管必......
的范围内调节。 采用内部p沟道MOSFET导通晶体管，无论负载电流和压差如何，MAX8556/MAX8557可以维持800µA的低典型电源电流。使用p沟道MOSFET无需......
器连接与否，MAX1535A通过控制两个外部P沟道MOSFET自动为系统选择合适的电源。在系统的控制下，MAX1535A允许电池重新进行初始化或调理，在这个调理过程中，电池通过系统负载完全放电、然后......
驱动电路简单，驱动功率小，开关速度快，工作频率高、热稳定性高于GTR等优点。按导电沟道功率MOSFET可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型;对于......
东芝拓展了其车载-60V P沟道MOSFET的产品线; 【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）拓展了其车载-60V P沟道MOSFET的产品线，现已开始量产两款采用SOP......
-boost、SEPIC、反激和高边buck拓扑。亮度调节驱动器设计用于驱动一个与LED串联的外部p沟道管，提供较宽的亮度调节范围。该驱动器能够以较高的PWM频率切换LED电流的通断，不会......
LTC4412HV数据手册和产品信息;LTC®4412HV 控制一个外部 P 沟道 MOSFET，以造就一种用于电源切换或负载均分的近理想型二极管功能。这实现了多个电源的高效 “合路” 操作，旨在......
复杂的半导体物理推导过程，下面是简化后的工作原理。 IGBT有N沟道型和P沟道型两种，主流的N沟道IGBT的电路图符号及其等效电路如下： 所以整个过程就很简单： 当栅极G为高电平时，NMOS导通，所以PNP的CE也导......
新型-30 V p沟道TrenchFET®第四代功率MOSFET可降低便携式电子设备功耗;2020年2月11日，日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出新型-30 V p......
隔离可防止闩锁。 电介质沟道将P沟道与N沟道晶体管分开，保证即使在严重过压状况下，也不会发生闩锁现象。 0.4 pC电荷注入。 双电源供电。 对于双极性模拟信号应用，ADG5208/ADG5209可以......
机的两个电极加正向电压，则正向旋转，如果加反向电压，则旋转方向也反过来。电机的转速可以通过控制加在电极上的电压来调节。 在电机控制电路中最常用的器件就是 MOS 管了。可以分为两个大的类型：P 沟道 MOS 和 N 沟道......
沟道Trench MOSFET，带2kV ESD保护(HBM) PMX300UNE 30 V，N沟道Trench MOSFET PMX400UP 20 V，P沟道Trench MOSFET......
在充电器关闭时电荷泵也保持有效工作。没有连接适配器时，p沟道MOSFET将选择电池供电。 MAX17415采用小尺寸、4mm x 4mm x 0.8mm、20引脚TQFN无铅封装，可提供评估板，缩短产品设计时间。 应用......
器的直流电源直接来自系统的主直流电源，其变化范围通常在7V (电池低)至21V (交流适配器)。有些全桥方案要求采用p沟道MOSFET，比n沟道MOSFET更贵。另外，由于固有的高导通电阻，p沟道......
大限度地缩减了解决方案的占板面积和组件数目，并在一个宽负载电流范围内提供了高转换效率。 这些器件包括两个 0.5Ω 的 N 沟道 MOSFET 开关和两个 P 沟道开关 (0.5Ω、0.8Ω)。静态电流通常为 16µA，从而......
和一个 0.18Ω P 沟道同步整流器。开关频率高达 3MHz，并可用外部定时电阻来设置，而振荡器可同步于一个外部时钟来设置。有一个外部肖特基二极管可供选择，它能够稍微提高效率。 在突发模式工作时，静态......
沟道MOSFET，上电时的输出为低电平；MAX1609可用于驱动P沟道MOSFET，上电时其I/O为高阻抗。两款器件的其他特性包括热过载和输出过流保护、超低电源电流以及+2.7V至+5.5V的宽......
，PNP 晶体管 Q3, Q4：  MJE340，NPN 晶体管 Q5、Q6： MJE350，PNP 晶体管 Q7: n 沟道 E-MOSFET，IRF530 Q8： p 沟道 E-MOSFET......
充分利用氮化镓材料本身优势。 氮化镓中的大自然馈赠：二维电子气 (2DEG) 氮化镓晶体管的成功很大程度上归功于一个关键的自然现象：2DEG沟道。2DEG是在GaN和AlGaN薄层......
MAX8571数据手册和产品信息;MAX8570系列LCD升压转换器采用内部n沟道开关和p沟道输出隔离开关。这些转换器采用2.7V至5.5V的电源电压，输出可达28V。 独一......
常工作。 通过采用同步整流，升压转换器达到了较高效率。内置N沟道开关管和P沟道同步整流器无需外部MOSFET和整流二极管。1MHz开关频率允许使用薄型的电感和陶瓷电容。 通过多种亮度调节接口，如DPWM信号......
超小型10引脚µMAX®封装。高工作频率、兼容陶瓷电容和无需变压器的反相拓扑适合于紧凑型设计。最低至100kHz的工作频率兼容电解电容，允许用户采用低成本外部元件。高电流输出驱动器设计用于驱动P沟道......
充电电流、充电电压、输入限流、重新学习电压以及IINP电压的数字回读。MAX17435/MAX17535在接入适配器时利用电荷泵控制n沟道MOSFET，进行适配器选择。当适配器断开时，电荷泵关断且通过p......
需要知道直流母线电压下的退饱和电流水平。在器件设计中，可以通过更有效的p-屏蔽结构和更长的沟道来减少DIBL效应。然而，这两个参数也可能导致更高的RDS,on。 DIBL的第二个效应可以通过图3中的......
应用电路是否工作于那种输入电源会瞬变至非常高压或甚至低于地电位的严酷环境中? 即使此类事件的发生概率很低，但只要出现任何一种就将彻底损坏电路板。 为了隔离负电源电压，设计人员惯常的做法是布设一个与电源相串联的功率或 P 沟道 。然而......
MOSFET产品CoolSiC，该结构以牺牲一半沟道宽度的条件下，通过深注入P+区域更好的保护栅氧，使其不受到高电 场的影响提高了器件的可靠性； 2018年，瀚薪公司将肖特基二极管集成到MOSFET......

相关企业

深圳市宝佳科技有限公司
器等电子系列产品上。 MOS管系列包含： （CES2301,CES2312,CES2321,CEM9926,CEM9435,CEM4953 ,CEM8958,单N沟道，单P沟道，双N沟道，N+P沟道）等。
晶科北方科技有限公司
;晶科北方科技有限公司;;深圳市晶科北方科技有限公司是一家专业销售半导体元器件的贸易公司。主营台湾华瑞cet的MOS管(单管；双管；P、N沟道)及台湾富晶的保护ic.低廉的价格＋上乘的品质＋热情
深圳市雅贝轩科技有限公司
;深圳市雅贝轩科技有限公司;;深圳市雅贝轩科技有限公司创立十数年以来，秉承"芯之所在，卓越品质”为目标，“诚信经营，薄利多销”为销售理念。 公司专注P沟道/N沟道 MOSFET管，在市
深圳市瑞达辉电子有限公司
系列 精工 S－8261/8241系 列 富晶　DW-01 新德 CS213 2. MOSFET 华锐（CET）CES2301，CES2312，CEM9926，CEM8205，N 沟道，P沟道MOS管
深圳瑞达辉电子有限公司(销售部)
　R5426N系列精工S－8261/8241系列富晶　DW-01新德CS2132.MOSFET华锐（CET）CES2301，CES2312，CEM9926，CEM8205，N沟道，P沟道MOS管特
深圳市达辉电子有限公司
　DW01+ 新德 CS213 等系列 2. MOS管 华瑞（CET）2301，2312，9926，8205，9435等系列 N 沟道，P沟道MOS管 等系列 特瑞仕（TOREX） XP152A12COMR
新乡市金桥电子感应洁具厂
;新乡市金桥电子感应洁具厂;;本公司主要生产：感应淋浴器、感应开关、感应水龙头、小便感应冲水器、大便感应冲水器、沟道槽大小便感应冲水器、沟道槽水冲厕所微电脑节水计时器、活动公厕感应开关、一点
深圳市友骏科技有限公司
器、低电压检测IC、P/N沟道场效应管、音频放大IC、EEPROM IC等，广泛应用于数码相机、数码相框、手机、MID平板电脑、小音箱、蓝牙耳机、无线鼠标、车载MP3/MP4、GPS、遥控玩具、机顶
深圳市伟仕特微电子有限公司
;深圳市伟仕特微电子有限公司;;我公司与美国MaxPower公司共同合作开发功率MOS，采用当今最先进的技术沟道工艺，在德国慕尼黑流片生产。
深圳市福田区都会电子市场安顺高科电子商行
本电脑等移动性锂电池保护板和充电器的相关元器件,如:保护IC(1-12节),MOSFET(N沟道,P沟首),码片,管理芯片。我公司主要经销日本美之美，东芝，美国SI,TI等公司的产品，我们拥有经验丰富的技术工程师和销售工程师，公司