100W MOSFET功率放大器电路

发布时间:2023-09-06  

我们设计了一个使用 的功率放大电路,可产生 100W 的输出功率,驱动约 8 欧姆的负载。 所设计的功率放大电路具有效率高、交叉失真和总谐波失真的优点。

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工作原理:

该电路采用多级功率放大原理,包括前置放大器、驱动器和使用 的功率放大。 前置放大器采用差分放大器,驱动级是带有电流镜负载的差分放大器,功率放大采用 AB 类工作方式。与 BJT 相比,MOSFET 具有驱动电路简单、热稳定性较低、输入阻抗高等优点。前置放大器由两级差分放大器电路组成,用于产生无噪声放大信号。 前置放大器的第一级由使用 PNP 晶体管的差分模式发射极耦合放大器组成。第二级由带有源负载的差分放大器组成,以提高电压增益。电流镜像电路实际上确保了输出电流保持恒定,而不受输入信号电压变化的影响。放大后的信号被输送到推挽放大器级,产生高功率输出信号。

100W MOSFET 电路图:

100W MOSFET Power Amplifier Circuit Diagram

电路元件:

R1、R4: 4k 欧姆

R2: 100 欧姆

R3: 50k 欧姆

R5: 1k 欧姆

R6: 50k 欧姆

R7: 10k 欧姆

R8、R9: 100 欧姆

R10、R13: 470 欧姆

R11: 100 欧姆

R12: 3k 欧姆

R14、R15: 0.33 欧姆

C1: 10uF

C2、C3: 18pF

C4: 100nF

Q1、Q2: BC556,PNP 晶体管

Q3, Q4:  MJE340,NPN 晶体管

Q5、Q6: MJE350,PNP 晶体管

Q7: n 沟道 E-MOSFET,IRF530

Q8: p 沟道 E-MOSFET,IRF9530

V1, V2: +/- 50 V.

MOSFET 电路设计:

第一级差分放大器设计:

发射极电阻器的选择:  对于高效差分放大器,R3/R2 所给出的共模抑制比应更高。这就要求 R2 的值远远低于 R3。在此,我们选择 100 欧姆的电位器作为 R2,50k 电阻器作为 R3。

集电极电阻的选择: 如果差分增益约为 50,发射极电阻约为 100 欧姆,则 R1 和 R4 的值约为 4k。

耦合电容器的选择:这里我们选择一个 10uF 的电容器将交流输入信号耦合到 Q1 的输入端。

第二级差分放大器设计:

R11 的选择:发射极总电流约为 0.5 安培时,发射极电阻值约为 100 欧姆。

R12 的选择:电位器 R12 的值由 MOSFET 的栅极阈值电压和流过 Q4 集电极的静态电流(约 50mA)决定。因此 R12 约为 3k。 同样,R7 的值约为 10k。

选择负载:差分放大器连接到有源负载,即电流镜电路。我们选择 PNP 晶体管 MJE350,每个晶体管的发射极电阻为 100 欧姆。发射极电阻的选择是为了使其上的压降约为 100mV,以确保晶体管的匹配。

输出级设计:

我们选择 N 沟道 MOSFET IRF530 和 P 沟道 MOSFET IRF9530 作为功率放大器。功率为 100 瓦,负载为 8 欧姆时,所需的输出电压约为 40V,输出电流约为 5A。  因此,源电阻的值约为 0.33 欧姆,每个 MOSFET 的电流约为 1.6 安培(输出电压/(π 乘以负载电阻))。

100W MOSFET 功率放大器电路工作原理:

PNP 晶体管构成差分放大器电路,其中一个晶体管接收输入交流信号,另一个晶体管通过反馈接收输出信号。  交流信号通过耦合电容器耦合到 Q1 的基极,反馈信号通过 R5 和 R6 输入 Q2 的基极。放大器的输出通过调节电位器来设定。第一级差分放大器的输出被馈送至第二级差分放大器的输入端。 当输入电压大于反馈电压时(就第一级差分放大器而言),第二级差分放大器的晶体管 Q3 和 Q4 的输入电压同时相差。  晶体管 Q5 和 Q6 构成电流镜像电路。该电流镜像电路可确保流向推挽放大器电路的输出电流保持恒定。

这是因为当 Q3 的集电极电流增大时,Q4 的集电极电流会减小,以保持流过 Q3 和 Q4 发射极公共点的电流恒定。

此外,电流镜电路产生的输出电流等于 Q3 的集电极电流。电位器 R12 可确保为每个 MOSFET 提供适当的直流偏压。由于两个 MOSFET 互为补充,当向 Q7 的栅极施加正电压时,它将导通。同样,阈值电压为负时,Q8 导通。栅极电阻用于防止 MOSFET 输出振荡。

电路的输入是频率为 1khz 的 4Vp-p 交流输入电压。 连接示波器时,通道 A 连接输入,通道 B 连接输出。将瓦特计连接到负载上,观察负载上的功率。

100w MOSFET 功率放大器电路的应用:

可用于驱动扬声器等音频负载,作为音频放大器。

可用于驱动大功率天线等射频负载。

可用于实现分布式扬声器系统

该电路可用于电视、电脑、MP3 播放器等电子设备。

该电路的局限性:

MOSFET 更容易发生静电放电。

MOSFET 从电源中汲取的电流相当大,除非使用安全保险丝,否则会损坏整个电路。

该电路容易产生高频振荡。

本电路为理论电路,用于教学目的。

文章来源于:电子产品世界    原文链接
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