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2020年NAND Flash产业营收达567亿美元，六大厂商未来规划曝光(2021-03-04)
营收达567亿美元（Q1至Q4，NAND Flash产业营收分别为136亿美元、145亿美元、145亿美元、141亿美元），对比2019年的460亿美元提升约23%。
展望2021年，集邦咨询认为第一季度供给端由于三星......
三星最大3D NAND厂投产，进一步拉大与中国存储差距(2017-04-13)
开始运营位于韩国京畿道平泽市的新半导体工厂。新设施是全球规模最大的芯片工厂，占地289万平方米。三星将在该工厂量产第四代3D NAND闪存芯片，该芯片垂直堆叠达到64层。
据《首尔经济新闻》报道，三星......
三星平泽P1厂将128层NAND闪存产线转为236层，削减非旗舰库存(2023-08-30)
三星平泽P1厂将128层NAND闪存产线转为236层，削减非旗舰库存;
【导读】据etnews报道，三星电子正在将平泽P1工厂的NAND闪存生产线从128层工艺转换为236层工艺，采取......
外媒：三星将在2022年底推出200层以上第8代NAND闪存(2022-02-10)
业内人士预测，三星将在128层的单片存储器上叠加96层，推出224层的NAND闪存。与上一代176层NAND产品相比，224层NAND闪存可以将生产效率和数据传输速度将提高30......
数据中心需求强劲，第一季NAND营收增长8.3%(2020-06-03)
数据中心需求强劲，第一季NAND营收增长8.3%;根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查，2020年第一季NAND Flash（闪存）位元出货量较前一季大致持平，加上......
三星即将量产290层V-NAND闪存(2024-04-18)
三星即将量产290层V-NAND闪存;
【导读】据韩国业界消息，三星最早将于4月开始量产当前业界密度最高的290层第九代V-NAND（3D NAND）闪存芯片，这是继236层第八代V......
SK海力士之后，三星300层以上NAND Flash何时亮相？(2023-08-17)
SK海力士之后，三星300层以上NAND Flash何时亮相？;SK海力士今年8月展示全球最高层321层NAND闪存样品之后，业界关注其他存储厂商何时推出300层以上NAND Flash产品......
三星 64 层 3D NAND Q4 开卖，还要推 100 层(2016-10-18)
三星 64 层 3D NAND Q4 开卖，还要推 100 层;
近来东芝（Toshiba）、美光......
外媒：三星计划本月开设NAND闪存新研发中心(2022-08-18)
外媒：三星计划本月开设NAND闪存新研发中心;据外媒《BusinessKorea》8月17日报道，三星预计将在今年内发布236层NAND闪存产品。此外，三星还计划在本月开设一个新的研发中心，该中......
紧追 SK 海力士，三星电子将在今年推出 236 层 NAND 闪存(2022-08-17)
紧追 SK 海力士，三星电子将在今年推出 236 层 NAND 闪存;据 BusinessKorea 报道，三星电子将在今年内发布 236 层 NAND 闪存产品。此外，它还......
传三星正将平泽128层NAND闪存产线转为236层？(2023-08-31)
传三星正将平泽128层NAND闪存产线转为236层？;据韩媒《Etnews》引述业内人士29日透露，三星电子正在将平泽第一工厂的NAND闪存生产线从128层工艺转换为236层工艺。这是三星......
三星计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存：沿用双层堆栈架构，超 300 层(2023-08-18)
三星计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存：沿用双层堆栈架构，超 300 层;8 月 18 日消息，据 DigiTimes 报道，三星电子计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，将沿......
传三星计划2024年将量产第九代V-NAND闪存(2023-10-18)
士已至321层，美光232层，三星则计划2024年推出第九代3D NAND（有望达到280层）。
据悉，三星将于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430层），2030年前......
三星将于2024年量产超300层3D NAND芯片，采用双堆叠工艺(2023-08-19)
三星将于2024年量产超300层3D NAND芯片，采用双堆叠工艺;
【导读】据电子时报报道，为了巩固其在NAND闪存市场的领先地位，三星电子计划再次采用双堆叠技术来制造超过300层的3D......
1γ DRAM、321 层 NAND: 主流厂商新一轮装备竞赛已拉开帷幕(2023-10-10)
1γ DRAM、321 层 NAND: 主流厂商新一轮装备竞赛已拉开帷幕;IT之家 10 月 10 日消息，市场固然存在全球经济下行、高通胀等诸多因素影响，依然处于充满挑战的时期，但美光、三星......
三星计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存：沿用双层堆栈架构，超 300 层(2023-08-18)
三星计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存：沿用双层堆栈架构，超 300 层;IT之家 8 月 18 日消息，据 DigiTimes 报道，电子计划明年生产第 9 代 V-NAND ，将沿......
3D NAND 若被对手追上，三星恐扩产点燃价格战(2016-10-18)
厂东芝（Toshiba）合作，打算超车三星电子，抢先生产 64 层 3D NAND Flash。不过外资警告，要是 WD 和东芝真的追上三星，三星可能会扩产淹没市场，重创 NAND 价格。
霸荣......
美光官宣，业界首款232层NAND量产(2022-07-27)
美光官宣，业界首款232层NAND量产;NAND Flash层数竞争愈演愈烈，继176层NAND之后，各大原厂瞄准200层以上NAND技术，其中美光科技率先突破，三星、铠侠等也在蓄势待发。
1......
厉害了，海力士72层存储2017量产(2016-12-27)
方式堆叠记忆体做突破，但制程技术各不相同。目前技术领先的三星已于2013 年量产48 层3D NAND 记忆体，至于64 层3D NAND 芯片也将在今年底开始投产。
据市调机构DRAMeXchange 统计，三星......
传三星计划2024年将量产第九代V-NAND闪存(2023-10-18)
，三星则计划2024年推出3D NAND（有望达到280层）。
据悉，三星将于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430层），2030年前实现1000层NAND Flash。
而DRAM......
3D NAND 若被对手追上，三星恐扩产点燃价格战(2016-10-18)
厂东芝（Toshiba）合作，打算超车三星电子，抢先生产 64 层 3D NAND Flash。不过外资警告，要是 WD 和东芝真的追上三星，三星可能会扩产淹没市场，重创 NAND 价格。
霸荣......
NAND Flash层数之争：谁先触抵天花板？(2022-08-19)
芝宣布推出3D NAND生产设备；同一年，三星率先发售了32层MLC 3D V-NAND，这也意味着3D NAND正式商用化。继三星之后，美光也实现了3D NAND商用化。凭借其在容量、速度、能效......
闪存迈入280层时代？这远远不是终点(2024-01-30)
层数将达到280层。
三星280层NAND来了
层数之战尚未结束
据悉，三星V9 QLC存储密度每平方毫米达到28.5Gb，最大传输率可达3.2 Gbps，比目前最好的QLC产品（2.4......
存储芯片迈入下行周期，大厂的“保守”与“激进”(2022-11-08)
业界透露，三星第8代V-NAND层数达到了236层。此外，三星还计划到2030年推出超过1000层的产品，以更好地支持未来的数据密集型技术。
铠侠与西数：未来发力500+层NAND......
NAND闪存三十五年，看得见与看不见的“江湖春秋”(2022-10-19)
另辟蹊径走出了属于自己的3D NAND独特道路。2013年，三星突破半导体精细加工技术的限制，推出并量产第1代24层128Gb V-NAND闪存，一举惊艳全球。该款采用了全球首个3D单元结构“V-NAND......
全球首款！美光232层NAND客户端SSD正式出货(2022-12-16)
年底或2023年上半年推出200层以上NAND闪存，并在明年上半年开始批量生产，业界猜测届时三星量产的产品可达224层，传输速度和生产效率将提高30%。
MTS 2023
存储......
三星明年将升级NAND核心设备供应链(2023-08-31)
是中国西安工厂估计不足50%，该工厂主要生产128层NAND。
由于半导体工艺转换需要相当长的时间，设备更换期间的减产效果显著 —— 也就是说，这将快速减少128层产品库存。三星之所以不停止生产，而是......
3D NAND Flash，剑指1000层堆叠！(2023-07-05)
供更大存储空间满足了业界日益增长的存储需求，因而逐渐受到大厂重视。
目前3D/4D NAND Flash已经突破200层，三星第8代V-NAND层数达到了236层；美光232层NAND Flash已经量产出货；今年......
三星将在 2024 IEEE ISSCC 上展示 280 层 QLC 闪存，速率(2024-01-30)
Die 容量
1 Tb
1 Tb
1 Tb
512 Gb
N/A
下一代发布日期
?
2024
212 层 (未知)
238 层 (2024)
未公开
根据三星 PPT 来看，QLC NAND......
三星64层NAND FLASH量产，国产企业要加速！(2017-06-16)
三星64层NAND FLASH量产，国产企业要加速！;
来源：内容来自MoneyDJ，谢谢。
三星电子15 日宣布，最新64 层256GB V-NAND 快闪记忆体已进入量产，与此......
普及 100TB SSD，消息称三星明年推出第 10 代 NAND：三重堆叠技术，最高 430 层;4 月 28 日消息，三星半导体日前宣布量产第九代 V-NAND 1Tb TLC 产品，位密......
1γ DRAM、321层NAND！存储大厂先进技术竞赛仍在继续(2023-10-04)
层以上、400层以上与500层以上的3D NAND技术；三星则计划2024年推出第九代3D NAND（有望达到280层），2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430层），2030年前......
这家半导体大厂消息不断：扩产4纳米，236层NAND在路上(2022-08-19)
这家半导体大厂消息不断：扩产4纳米，236层NAND在路上;近日，三星在半导体制程工艺和NAND Flash闪存领域消息不断。
扩产4纳米，Q4每月新增产能2万片
继今年6月抢......
3D NAND Flash，剑指1000层堆叠！(2023-07-06)
逐渐受到大厂重视。
目前3D/4D NAND Flash已经突破200层，三星第8代V-NAND层数达到了236层；美光232层NAND Flash已经量产出货；今年3月铠侠和西部数据共同宣布推出218层3D......
3D NAND，1000层竞争加速！(2024-04-08)
时代的到来，在三星、铠侠、SK海力士等存储厂商的不断推动下，NAND Flash闪存堆叠层数不断被刷新。
目前，各大厂商的NAND闪存堆叠层数均已突破200层，并持续向更高层数的NAND Flash迈进......
基于EUV光刻机，三星宣布率先量产12nm DRAM(2023-05-24)
领域的竞争更加激烈，NAND市场的焦点已经从20nm的精细加工转变为三维 (3D) 堆叠竞赛。尽管3D NAND最初是由三星引领，但中国的长江存储（排名第6，232层）和美光（排名第5，232层）率先堆叠突破200层大关。而三星......
存储器市场NAND、DRAM此消彼长？(2023-08-04)
后，计划推出2YY、3XX与4XX等更高层数产品；铠侠与西数也在积极探索300层以上、400层以上与500层以上的3D NAND技术；三星则计划2024年推出第九代3D NAND（有望达到280层......
1γ DRAM、321层NAND！存储大厂先进技术竞赛仍在继续(2023-10-07)
技术；三星则计划2024年推出第九代3D NAND（有望达到280层），2025-2026年推出第十代3D
NAND(有望达到430层），2030年前实现1000层NAND Flash。......
3D NAND，1000层竞争加速(2024-04-09)
士等存储厂商的不断推动下，闪存堆叠层数不断被刷新。
目前，各大厂商的NAND闪存堆叠层数均已突破200层，并持续向更高层数的迈进，其中三星和更是将目标瞄准1000层。根据此前的消息，三星计划在2024年推出第九代3D......
三星将扩建中国西安的NAND芯片工厂(2023-10-19)
三星将扩建中国西安的NAND芯片工厂;据外媒消息，三星电子计划将其西安NAND闪存工厂升级到236层NAND工艺，并开始大规模扩张。
报道中称，三星已开始采购最新的半导体设备，新设......
1γ DRAM、321层NAND！存储大厂先进技术竞赛仍在继续(2023-10-07)
与西数也在积极探索300层以上、400层以上与500层以上的3D NAND技术；三星则计划2024年推出第九代3D NAND（有望达到280层），2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430层......
三星明年量产430层闪存！但有人瞄准了1000+层(2024-04-16)
三星明年量产430层闪存！但有人瞄准了1000+层;
三星计划在本月晚些时候开始量产第九代V-NAND闪存，可用的堆叠层数达290层，相比现在的236层只增加不到23％。这一......
全球首款！美光232层NAND客户端SSD正式出货(2022-12-19)
在成功跨越100层后也开始向200层迈进。除美光之外，SK海力士、三星、西数、铠侠等也在积极推进闪存层数迭代。
如SK海力士于今年8月宣布成功研发了238层NAND闪存，并且已经开始向客户发送238层512Gb......
全球存储市场在竞争什么？(2023-02-03)
更高层数，在跨越100层后便开始向200+层迈进，以达到性能的提高。
从去年的技术成绩来看，美光方面，2022年7月，美光全球首款232层NAND闪存在新加坡工厂正式量产，而当时的三星正在苦研176......
NAND Flash市况复苏缓慢，又一家大厂要减产？(2023-08-10)
层以上的3D NAND技术；三星则计划2024年推出第九代3D NAND（有望达到280层），2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430层），2030年前实现1000层NAND......
238层4D NAND已量产，进入智能手机产品验证(2023-06-12)
层 3D NAND 闪存，在大多数玩家关注 128 层 NAND 的情况下，成为当时全球最高密度的芯片，震惊了市场。去年，美光公司开始大批量生产232层NAND芯片。内存市场龙头三星......
三星计划2026年推出400层V10 NAND闪存，用于AI服务器(2024-10-31)
三星计划2026年推出400层V10 NAND闪存，用于AI服务器;
【导读】全球最大的存储芯片制造商三星电子计划在2026年前推出400层V-NAND闪存芯片，以在人工智能（AI）热潮......
200层以上！三星第八代V-NAND闪存要来了？(2021-06-09)
正积极推动第七代V-NAND闪存芯片（176层）的应用，并计划在今年下半年推出一款基于第七代V-NAND闪存芯片的消费类SSD。
据悉，三星第七代V-NAND闪存......
制程竞赛提速，SK海力士完成176层NAND闪存开发(2020-12-08)
-NAND采用单堆叠技术最多可具有128层，采用双堆栈技术后，256层堆叠是可能的。”
三星方面还表示，芯片中堆叠的实际层数可能会根据消费者的需求和市场状况而变化。
封面图片来源：SK海力士......
全球厂商3D NAND Flash进度一览，三星进步神速(2017-02-27)
全球厂商3D NAND Flash进度一览，三星进步神速;
来源：内容来自经济日报，谢谢。
去年下半年以来NAND Flash市场供不应求，主要关键在于上游原厂全力调拨2D NAND......
相关企业
;连盛科技香港有限公司;;专业经营原装三星,现代,镁光,英特尔,东芝NAND FLASH芯片DDR 联系13510745089
+1Gb+64 NAND+MOBILE DRAM/DDR ◎三星MMC卡MMCmicro,MMCmobile,MMCplus,容量分别为 8G,4G.2G.1G.512M.256M.128M.64M.32M
;晶英电子（深圳）有限公司;;晶英电子~主要销售三星/HY/镁光/瑞萨/黑片及低价格NAND FLASH为主 诚信交易 电话：13714067784
+64 NAND+MOBILE DRAM/DDR ◎三星MMC卡MMCmicro,MMCmobile,MMCplus,容量分别为 8G,4G.2G.1G.512M.256M.128M.64M.32M
;深圳市科乐微电子商行;;深圳市科乐微电子商行 经营品牌 三星samsung、海力士SK hynix、镁光micron、东芝Toshiba、闪迪Sandisk、南亚Nanya、金士顿Kingston
;深圳博御电科有限公司;;深圳博御电科公司 经销批发的供应全新原装NAND Flash 芯片、三星、现代、镁光、英特尔 东芝畅销消费者市场，在消费者当中享有较高的地位，公司
最近受人注目的NAND Flash Memory我们也有完善的解决方案。 （Samsung, Toshiba, M-Systems NAND...） 除了Flash Memory,我们也支持着各种EEPROM
、HYNIX、TI、SAMSUNG、ISSI、Maxim、MICROCHIP等品牌香港大陆的代理、分销商。 NOR FLASH 、SDRAM 、NAND-FLASH 、NAND-FLASH、MCU 、DSP等
;正红科技发展有限公司;;我公司(正红科技发展有限公司)为台资企业,在海口和北京设有工厂,专业生产2-14层PCB板,80%为出口产品，主要客户有:英特尔、汤姆森、LG、三星、戴尔、技嘉等。拥有
;仕达利恩（惠州）电子有限公司;;（微动开关）STARION于1965年在韩国成立，2003年在广东惠州建厂，公司注册资金730万美元，目前是LG、三星、惠而浦、SHARP、TOSHIBA