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营收达567亿美元(Q1至Q4,NAND Flash产业营收分别为136亿美元、145亿美元、145亿美元、141亿美元),对比2019年的460亿美元提升约23%。 展望2021年,集邦咨询认为第一季度供给端由于三星......
开始运营位于韩国京畿道平泽市的新半导体工厂。新设施是全球规模最大的芯片工厂,占地289万平方米。三星将在该工厂量产第四代3D NAND闪存芯片,该芯片垂直堆叠达到64。 据《首尔经济新闻》报道,三星......
三星平泽P1厂将128NAND闪存产线转为236,削减非旗舰库存; 【导读】据etnews报道,三星电子正在将平泽P1工厂的NAND闪存生产线从128层工艺转换为236层工艺,采取......
数据中心需求强劲,第一季NAND营收增长8.3%;根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查,2020年第一季NAND Flash(闪存)位元出货量较前一季大致持平,加上......
业内人士预测,三星将在128层的单片存储器上叠加96,推出224层的NAND闪存。与上一代176NAND产品相比,224NAND闪存可以将生产效率和数据传输速度将提高30......
三星即将量产290V-NAND闪存; 【导读】据韩国业界消息,三星最早将于4月开始量产当前业界密度最高的290层第九代V-NAND(3D NAND)闪存芯片,这是继236层第八代V......
SK海力士之后,三星300层以上NAND Flash何时亮相?;SK海力士今年8月展示全球最高层321NAND闪存样品之后,业界关注其他存储厂商何时推出300层以上NAND Flash产品......
三星 64 3D NAND Q4 开卖,还要推 100 ; 近来东芝(Toshiba)、美光......
外媒:三星计划本月开设NAND闪存新研发中心;据外媒《BusinessKorea》8月17日报道,三星预计将在今年内发布236NAND闪存产品。此外,三星还计划在本月开设一个新的研发中心,该中......
紧追 SK 海力士,三星电子将在今年推出 236 NAND 闪存;据 BusinessKorea 报道,三星电子将在今年内发布 236 NAND 闪存产品。此外,它还......
三星正将平泽128NAND闪存产线转为236?;据韩媒《Etnews》引述业内人士29日透露,三星电子正在将平泽第一工厂的NAND闪存生产线从128层工艺转换为236层工艺。这是三星......
三星计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存:沿用双层堆栈架构,超 300 ;8 月 18 日消息,据 DigiTimes 报道,三星电子计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存,将沿......
士已至321,美光232三星则计划2024年推出第九代3D NAND(有望达到280)。 据悉,三星将于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430),2030年前......
三星将于2024年量产超3003D NAND芯片,采用双堆叠工艺; 【导读】据电子时报报道,为了巩固其在NAND闪存市场的领先地位,三星电子计划再次采用双堆叠技术来制造超过300层的3D......
1γ DRAM、321 NAND: 主流厂商新一轮装备竞赛已拉开帷幕;IT之家 10 月 10 日消息,市场固然存在全球经济下行、高通胀等诸多因素影响,依然处于充满挑战的时期,但美光、三星......
三星计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存:沿用双层堆栈架构,超 300 ;IT之家 8 月 18 日消息,据 DigiTimes 报道,电子计划明年生产第 9 代 V-NAND ,将沿......
美光官宣,业界首款232NAND量产;NAND Flash层数竞争愈演愈烈,继176NAND之后,各大原厂瞄准200层以上NAND技术,其中美光科技率先突破,三星、铠侠等也在蓄势待发。 1......
厂东芝(Toshiba)合作,打算超车三星电子,抢先生产 64 3D NAND Flash。不过外资警告,要是 WD 和东芝真的追上三星三星可能会扩产淹没市场,重创 NAND 价格。 霸荣......
方式堆叠记忆体做突破,但制程技术各不相同。目前技术领先的三星已于2013 年量产48 3D NAND 记忆体,至于64 3D NAND 芯片也将在今年底开始投产。 据市调机构DRAMeXchange 统计,三星......
芝宣布推出3D NAND生产设备;同一年,三星率先发售了32MLC 3D V-NAND,这也意味着3D NAND正式商用化。继三星之后,美光也实现了3D NAND商用化。凭借其在容量、速度、能效......
三星则计划2024年推出3D NAND(有望达到280)。 据悉,三星将于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430),2030年前实现1000NAND Flash。 而DRAM......
厂东芝(Toshiba)合作,打算超车三星电子,抢先生产 64 3D NAND Flash。不过外资警告,要是 WD 和东芝真的追上三星三星可能会扩产淹没市场,重创 NAND 价格。 霸荣......
层数将达到280三星280NAND来了 层数之战尚未结束 据悉,三星V9 QLC存储密度每平方毫米达到28.5Gb,最大传输率可达3.2 Gbps,比目前最好的QLC产品(2.4......
业界透露,三星第8代V-NAND层数达到了236。此外,三星还计划到2030年推出超过1000层的产品,以更好地支持未来的数据密集型技术。 铠侠与西数:未来发力500+NAND......
另辟蹊径走出了属于自己的3D NAND独特道路。2013年,三星突破半导体精细加工技术的限制,推出并量产第1代24128Gb V-NAND闪存,一举惊艳全球。该款采用了全球首个3D单元结构“V-NAND......
年底或2023年上半年推出200层以上NAND闪存,并在明年上半年开始批量生产,业界猜测届时三星量产的产品可达224,传输速度和生产效率将提高30%。 MTS 2023 存储......
供更大存储空间满足了业界日益增长的存储需求,因而逐渐受到大厂重视。 目前3D/4D NAND Flash已经突破200三星第8代V-NAND层数达到了236;美光232NAND Flash已经量产出货;今年......
是中国西安工厂估计不足50%,该工厂主要生产128NAND。 由于半导体工艺转换需要相当长的时间,设备更换期间的减产效果显著 —— 也就是说,这将快速减少128层产品库存。三星之所以不停止生产,而是......
Die 容量 1 Tb 1 Tb 1 Tb 512 Gb N/A 下一代发布日期 ? 2024 212 (未知) 238 (2024) 未公开 根据三星 PPT 来看,QLC NAND......
三星64NAND FLASH量产,国产企业要加速!; 来源:内容来自MoneyDJ,谢谢。 三星电子15 日宣布,最新64 256GB V-NAND 快闪记忆体已进入量产,与此......
层以上、400层以上与500层以上的3D NAND技术;三星则计划2024年推出第九代3D NAND(有望达到280),2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430),2030年前......
普及 100TB SSD,消息称三星明年推出第 10 代 NAND:三重堆叠技术,最高 430 ;4 月 28 日消息,三星半导体日前宣布量产第九代 V-NAND 1Tb TLC 产品,位密......
这家半导体大厂消息不断:扩产4纳米,236NAND在路上;近日,三星在半导体制程工艺和NAND Flash闪存领域消息不断。 扩产4纳米,Q4每月新增产能2万片 继今年6月抢......
逐渐受到大厂重视。 目前3D/4D NAND Flash已经突破200三星第8代V-NAND层数达到了236;美光232NAND Flash已经量产出货;今年3月铠侠和西部数据共同宣布推出2183D......
时代的到来,在三星、铠侠、SK海力士等存储厂商的不断推动下,NAND Flash闪存堆叠层数不断被刷新。 目前,各大厂商的NAND闪存堆叠层数均已突破200,并持续向更高层数的NAND Flash迈进......
领域的竞争更加激烈,NAND市场的焦点已经从20nm的精细加工转变为三维 (3D) 堆叠竞赛。尽管3D NAND最初是由三星引领,但中国的长江存储(排名第6,232)和美光(排名第5,232)率先堆叠突破200层大关。而三星......
后,计划推出2YY、3XX与4XX等更高层数产品;铠侠与西数也在积极探索300层以上、400层以上与500层以上的3D NAND技术;三星则计划2024年推出第九代3D NAND(有望达到280......
技术;三星则计划2024年推出第九代3D NAND(有望达到280),2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430),2030年前实现1000NAND Flash。......
士等存储厂商的不断推动下,闪存堆叠层数不断被刷新。 目前,各大厂商的NAND闪存堆叠层数均已突破200,并持续向更高层数的迈进,其中三星和更是将目标瞄准1000。根据此前的消息,三星计划在2024年推出第九代3D......
三星将扩建中国西安的NAND芯片工厂;据外媒消息,三星电子计划将其西安NAND闪存工厂升级到236NAND工艺,并开始大规模扩张。 报道中称,三星已开始采购最新的半导体设备,新设......
与西数也在积极探索300层以上、400层以上与500层以上的3D NAND技术;三星则计划2024年推出第九代3D NAND(有望达到280),2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430......
三星明年量产430层闪存!但有人瞄准了1000+; 三星计划在本月晚些时候开始量产第九代V-NAND闪存,可用的堆叠层数达290,相比现在的236层只增加不到23%。这一......
在成功跨越100层后也开始向200层迈进。除美光之外,SK海力士、三星、西数、铠侠等也在积极推进闪存层数迭代。 如SK海力士于今年8月宣布成功研发了238NAND闪存,并且已经开始向客户发送238512Gb......
更高层数,在跨越100层后便开始向200+层迈进,以达到性能的提高。 从去年的技术成绩来看,美光方面,2022年7月,美光全球首款232NAND闪存在新加坡工厂正式量产,而当时的三星正在苦研176......
层以上的3D NAND技术;三星则计划2024年推出第九代3D NAND(有望达到280),2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430),2030年前实现1000NAND......
3D NAND 闪存,在大多数玩家关注 128 NAND 的情况下,成为当时全球最高密度的芯片,震惊了市场。去年,美光公司开始大批量生产232NAND芯片。内存市场龙头三星......
三星计划2026年推出400V10 NAND闪存,用于AI服务器; 【导读】全球最大的存储芯片制造商三星电子计划在2026年前推出400V-NAND闪存芯片,以在人工智能(AI)热潮......
正积极推动第七代V-NAND闪存芯片(176)的应用,并计划在今年下半年推出一款基于第七代V-NAND闪存芯片的消费类SSD。 据悉,三星第七代V-NAND闪存......
-NAND采用单堆叠技术最多可具有128,采用双堆栈技术后,256层堆叠是可能的。” 三星方面还表示,芯片中堆叠的实际层数可能会根据消费者的需求和市场状况而变化。 封面图片来源:SK海力士......
全球厂商3D NAND Flash进度一览,三星进步神速; 来源:内容来自经济日报,谢谢。 去年下半年以来NAND Flash市场供不应求,主要关键在于上游原厂全力调拨2D NAND......

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;连盛科技香港有限公司;;专业经营原装三星,现代,镁光,英特尔,东芝NAND FLASH芯片DDR 联系13510745089
+1Gb+64 NAND+MOBILE DRAM/DDR ◎三星MMC卡MMCmicro,MMCmobile,MMCplus,容量分别为 8G,4G.2G.1G.512M.256M.128M.64M.32M
;晶英电子(深圳)有限公司;;晶英电子~主要销售三星/HY/镁光/瑞萨/黑片及低价格NAND FLASH为主 诚信交易 电话:13714067784
+64 NAND+MOBILE DRAM/DDR ◎三星MMC卡MMCmicro,MMCmobile,MMCplus,容量分别为 8G,4G.2G.1G.512M.256M.128M.64M.32M
;深圳市科乐微电子商行;;深圳市科乐微电子商行 经营品牌 三星samsung、海力士SK hynix、镁光micron、东芝Toshiba、闪迪Sandisk、南亚Nanya、金士顿Kingston
;深圳博御电科有限公司;;深圳博御电科公司 经销批发的供应全新原装NAND Flash 芯片、三星、现代、镁光、英特尔 东芝畅销消费者市场,在消费者当中享有较高的地位,公司
最近受人注目的NAND Flash Memory我们也有完善的解决方案。 (Samsung, Toshiba, M-Systems NAND...) 除了Flash Memory,我们也支持着各种EEPROM
、HYNIX、TI、SAMSUNG、ISSI、Maxim、MICROCHIP等品牌香港大陆的代理、分销商。 NOR FLASH 、SDRAM 、NAND-FLASH 、NAND-FLASH、MCU 、DSP等
;正红科技发展有限公司;;我公司(正红科技发展有限公司)为台资企业,在海口和北京设有工厂,专业生产2-14PCB板,80%为出口产品,主要客户有:英特尔、汤姆森、LG、三星、戴尔、技嘉等。拥有
;仕达利恩(惠州)电子有限公司;;(微动开关)STARION于1965年在韩国成立,2003年在广东惠州建厂,公司注册资金730万美元,目前是LG、三星、惠而浦、SHARP、TOSHIBA