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近来东芝（Toshiba）、美光（Micron）布局 3D 架构 NAND 型快闪内存（Flash Memory）的动作频频，让身为 NAND Flash 龙头厂、且是全球第一家量产 3D NAND 的韩国三星电子倍感威胁，不过三星也不是省油的灯，宣布第 4 代 3D NAND 产品将在 Q4 开卖。
韩国媒体朝鲜日报日文版 12 日报导，三星 11 日宣布，第 4 代 V-NAND Flash（3D NAND）产品将在 2016 年 Q4（10-12 月）开卖，该款产品将采 64 层堆叠。三星指出，藉由采用 64 层堆叠技术，每片晶圆的储存容量可较现行技术提高 30%，能有效改善成本竞争力。
三星为全球第一家量产 3D NAND 的厂商，于 2013 年研发出堆叠 24 层的 3D NAND 之后，就逐步将技术升级至 32 层、48 层，此次则进一步提升至 64 层。
据报导，统筹三星半导体部门的金奇南社长表示，“预估在不久的将来将能够开卖采用 100 层以上积层结构的 1TB 等级 NAND Flash 产品”，该款产品的储存容量将达现行主流产品的 4 倍。
（本文由 授权转载；首图来源： CC BY 2.0）
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