【导读】据韩国业界消息，三星最早将于4月开始量产当前业界密度最高的290层第九代V-NAND（3D NAND）闪存芯片，这是继236层第八代V-NAND之后的又一重大进步，是当前业界可量产的最高堆叠层数。此外，三星计划在2025年推出430层V-NAND产品。

据韩国业界消息，三星最早将于4月开始量产当前业界密度最高的290层第九代V-NAND（3D NAND）闪存芯片，这是继236层第八代V-NAND之后的又一重大进步，是当前业界可量产的最高堆叠层数。此外，三星计划在2025年推出430层V-NAND产品。

业界人士表示，三星此举旨在满足人工智能（AI）热潮下对于NAND闪存的需求。随着人工智能领域从“训练”转向“推理”，需要处理大量数据，如图像和视频，因此需要大容量存储设备。观察人士还指出，三星对于其NAND业务在第一季度的盈利比较乐观。

三星即将推出的第九代V-NAND采用双层键合技术提高生产效率，打破了业内专家的预测，此前曾认为要达到300层，需要三层键合技术。

研究机构TechInsights预测，三星将在2025年下半年量产第十代V-NAND，可达430层，直接跳过350层。

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