【导读】近日据BusinessKorea消息，三星电子已开始量产12纳米级的16Gb DDR5 DRAM，成为业内首家大规模量产12nm线宽DRAM的公司，而距去年12月成功开发该技术仅五个月。

图：12nm制造的16Gb DDR5 DRAM

据三星电子公布的消息，这批12nm DRAM使用EUV光刻设备量产，较14nm DRAM生产效率提升了约20%，功耗也降低了23%。

与此同时，SK海力士计划年内量产12nm级DRAM，在数个独立DRAM单元堆叠的High Bandwidth Memory（HBM）领域，甚至已经超越三星。

业界将12-13nm DRAM归类为同代 (1b) 产品。然而，第一个推出1b制程的是美光，而不是三星，美光于2022年使用DUV光刻设备成功开发出13nm DRAM。

一位业内人士评论说，“直到2020年，三星在DRAM方面被评估为领先竞争对手几个月，但现在竞争已经接近平局。”

而作为存储器的另一块板图——NAND闪存领域的竞争更加激烈，NAND市场的焦点已经从20nm的精细加工转变为三维 (3D) 堆叠竞赛。尽管3D NAND最初是由三星引领，但中国的长江存储（排名第6，232层）和美光（排名第5，232层）率先堆叠突破200层大关。而三星随后推出了236层NAND，但SK海力士（排名第3）宣布已成功开发出更高的238层NAND。

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