【导读】据etnews报道，三星电子正在将平泽P1工厂的NAND闪存生产线从128层工艺转换为236层工艺，采取专注于尖端产品的策略，将减少库存较多的128层NAND闪存产量。三星电子的目标是在今年底前实现NAND闪存供需正常化，并加紧努力克服危机。

据etnews报道，三星电子正在将平泽P1工厂的NAND闪存生产线从128层工艺转换为236层工艺，采取专注于尖端产品的策略，将减少库存较多的128层NAND闪存产量。三星电子的目标是在今年底前实现NAND闪存供需正常化，并加紧努力克服危机。

NAND闪存的层数就是堆叠单元的数量，数量越多，容量就越高，也代表着最新的产品。消息人士称，三星将改变平泽P1的多条NAND生产线。

平泽P1是三星存储的核心生产基地，主要生产DRAM和NAND闪存。据了解，其产能为每月10万片DRAM和19万片NAND，生产能力基于12英寸（300mm）晶圆。

基于市场状况，三星电子正在重组其P1 NAND闪存产品线。由于全球经济低迷，今年NAND闪存库存飙升至28周，这比建议的库存天数高出四倍多。还有解释称，三星正试图减少弱需求的产品产量，并将生产转移到目前商用产品中最先进的236层NAND闪存。

通过这次工艺转换，三星的目标是调整NAND闪存库存，同时占领新市场。

由于半导体工艺转换需要相当长的时间，设备更换期间的减产效果显著。也就是说，这将快速减少128层产品库存。三星之所以不停止生产，而是推动工艺转换，是因为200层以上的NAND闪存正在成为下一代旗舰产品。

业内人士表示，去年128层NAND闪存占总需求的50%，其次是176层和96层NAND闪存。不过，今年176层NAND预计将超过50%，200层以上NAND将增加至10%。三星正在准备236层NAND，以应对未来的需求。

三星电子是全球最大的NAND闪存供应商。市场关注的是，三星电子积极调整生产，供过于求的NAND闪存供需能否恢复稳定。

三星电子决定继上半年减产之后，下半年将半导体生产必需的晶圆投入减少10%，据悉，西安工厂的利用率也大幅降低至20%，该工厂主要生产128层NAND。

三星电子计划在今年底前实现6至8周的适当NAND库存水平。据称，2023上半年NAND库存上升至28周，近期下降至18周。

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