4 月 28 日消息,三星半导体日前宣布量产第九代 V-NAND 1Tb TLC 产品,位密度(bit density)比上一代产品提高约 50%,通过通道孔蚀刻技术(channel hole etching)提高生产效率。
第九代 V-NAND 采用双重堆叠技术,在旗舰 V8 闪存的 236 层基础上,再次达到了 290 层,主要面向大型企业服务器以及人工智能和云设备。
而业内消息称三星计划明年推出第 10 代 NAND 芯片,采用三重堆叠技术,达到 430 层,进一步提高 NAND 的密度,并巩固和扩大其领先优势。
市场研究公司 Omdia 预计,NAND 闪存市场在 2023 年下降 37.7% 后,预计今年将增长 38.1%。为了在快速增长的市场中占据一席之地,三星誓言要大力投资 NAND 业务。
IT之家此前报道,三星高管表示,该公司的目标是到 2030 年开发超过 1000 层的 NAND 芯片,以实现更高的密度和存储能力。
文章来源于:电子工程世界 原文链接
本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。