外媒：三星将在2022年底推出200层以上第8代NAND闪存
来源: 全球半导体观察
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据businesskorea报道，三星电子将在2022年底推出200层以上的第8代NAND闪存。
businesskorea引述业内人士预测，三星将在128层的单片存储器上叠加96层，推出224层的NAND闪存。与上一代176层NAND产品相比，224层NAND闪存可以将生产效率和数据传输速度将提高30%。
businesskorea报道称，三星电子原计划在2021年末开始量产176层NAND，但考虑到市场情况，推迟到2022年第一季度。据悉，美国美光已经开始量产176层NAND，业内人士预测，三星电子将加快200层以上NAND闪存量产的步伐，以夺回技术领先地位。
报道称，美光有望加速200多款NAND芯片的开发。随着美光于2021年底在全球首次量产176层NAND闪存，业内观察人士认为，该公司拥有量产超高密度NAND闪存的专有技术。
封面图片来源：拍信网
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