全球市场研究机构TrendForce集邦咨询最新调查显示，2020年第四季NAND Flash产业营收为141亿美元，季减2.9%。该季度全球前六大NAND FLASH品牌厂商分别为三星电子、铠侠、西部数据、SK海力士、美光与英特尔。

一）六大厂商营收、出货一览

* 三星电子：NAND Flash位元出货量季增达7~9%

受惠于中国智能手机厂商积极抢食市占而提升备货，以及笔电需求进一步增长，三星电子订单需求优于原先预期，使其2020年第四季NAND Flash位元出货量季增达7~9%。

但由于data center客户采购力道不足，且enterprise客户仍着重库存去化，供过于求状态较为明显，平均单价下滑超过10%，第四季NAND Flash整体营收达46.44亿美元，季减3.4%。

* 铠侠：整体位元出货呈现小幅增长

华为（Huawei）终止备货后，铠侠在mobile端的位元出货未能透过其他品牌厂商的订单填补，加上整体enterprise SSD市场需求低落，但受到笔电、游戏主机需求挹注，整体位元出货得以呈现小幅增长；平均销售单价则因市场仍处于供过于求，而呈现8~10%的下跌，第四季NAND Flash营收达27.49亿美元，季减11.4%。

* 西部数据：整体位元出货增长7%

受server客户仍处库存去化周期影响，西数2020年第四季合约价走势呈现疲弱，季跌9%。然受惠于通路端销售持续增长，以及client SSD因笔电需求持续上升，整体位元出货仍有7%增长，大致抵消对价格下跌造成的冲击，第四季NAND Flash营收仅衰退2.1%，达20.34亿美元。

* SK海力士：位元出货季增达8%

同样受惠于中国智能手机厂商的积极拉货，2020年第四季SK海力士位元出货季增达8%，而平均销售单价主要受市场供过于求影响，季跌8%。价跌量增之下，第四季NAND Flash营收大致持平于上季，达16.39亿美元，季减0.2%。

* 美光：位元出货上升17~20%

受惠于智能手机客户备货力道延续，以及美光QLC SSD产品在PC OEM的需求持续增加，使其在2020年第四季位元出货上升17~20%，平均销售单价同样因市场需求仍疲弱而下跌约10~13%，第四季NAND Flash营收为15.74亿美元，季增2.9%。

* 英特尔：位元出货恢复增长近25%

历经2020年第三季因data center及enterprise客户去化库存，导致近25%的位元出货衰退后，第四季英特尔客户采购动能虽仍疲弱，但已较上季恢复，加上PC OEM的需求持续挹注，使其位元出货恢复增长近25%。

平均销售单价方面则同受市场供过于求影响，下跌近20%，第四季NAND Flash营收为12.08亿美元，季增4.8%。

二）闪存市场Q1展望

全球闪存市场统计，2020年全年NAND Flash产业营收达567亿美元（Q1至Q4，NAND Flash产业营收分别为136亿美元、145亿美元、145亿美元、141亿美元），对比2019年的460亿美元提升约23%。

展望2021年，集邦咨询认为第一季度供给端由于三星（Samsung）、长江存储（YMTC）积极扩产，以及各供应商均转进更高层数等影响，位元产出将显著增长。

需求端尽管笔电及智能手机品牌商备货动能延续，但仍因传统淡季而订单略有下修。此外，server与data center客户库存虽已大致回到健康水位，但尚未恢复采购动能，议价时供应商仍预期市场供过于求将会扩大，使合约价继续下跌，第一季营收将呈现衰退走势。

三）厂商未来规划

* 三星电子：加快提升第六代V-NAND生产比重

三星电子认为在移动产品和数据中心的强劲需求下，今年全球总体需求将恢复。三星将加快提升1znm DRAM和第六代V-NAND生产比重，继续扩大与全球主要客户合作，并积极推出下一代基于EUV工艺的1anm DRAM和第七代V-NAND产品，以继续提升技术领先地位，并增强成本竞争力。

2021年三星电子为最积极扩产的供应商，除了在西安二期持续扩产外，也将开始在平泽二厂布建3D NAND生产线。产品方面，目前仍以V5（92L）为主要供给，但今年会大幅拉升V6（128层）的比重，将扩大应用在SSD以及UFS等产品。

* 铠侠：112层BiCS5产品出货比重将提升

铠侠除有缓步扩张K1厂的规划，也将维持于第一季动工兴建四日市Fab 7、北上市K2厂的规划，预定2022年后挹注产出，目标用以生产BiCS6或更进阶层数的产品。产品方面，其主要位元增长将透过产品世代的转进来达成，目前主流仍为96层BiCS4产品，112层BiCS5产品出货比重将于今年内明显提升。

近日，铠侠还宣布在日本三重县四日市工厂举行了奠基仪式，最先进的半导体工厂（Fab7）正式破土动工。该工厂致力于生产其专有的第六代3D闪存BiCS FlashTM。新工厂的建设将分为两个阶段，其中第一阶段的建设计划于2022年春季完成。

* SK海力士：预定下半年推出176层产品

SK海力士表示，公司计划随着高性能计算（HPC）、人工智能（AI）市场的成长，在DRAM方面扩大包括HBM2E在内的高附加价值产品的出货比重。就NAND闪存方面，SK海力士准备积极推进基于128层NAND闪存的服务器SSD的客户认证，并继续产品多元化步伐。与此同时，SK海力士计划年内投产生产性更高的第四代1a纳米级DRAM与176层4D NAND闪存。

2021年SK海力士位元增长集中于产品层数的提升，128层产品的占比已于2020年底达30%，今年将持续增长，以取代72、96层的占比，并预定下半年推出176层产品。而并购Intel大连厂的进程方面，目前仍规划年底前完成大连厂及Intel SSD技术的产权移转。

* 美光：第二代176层产品将送样给品牌端

美光虽有128层的产品，但相较于其他竞争对手积极转进的策略，其对主要客户的出货都直接着重在第二代的176层产品，预计仍会在第二季前送样给品牌端。产品结构方面，其QLC出货占比再度提升，位元占比已达其NVMe SSD出货的50%以上。

* 英特尔：延续产品出货偏重QLC的策略

英特尔已与SK海力士达成出售协议，意即目前的产品分配、产能规划等不会再有大幅调整，仍延续其在enterprise SSD的优势，推动客户导入其144层产品，预计2021年大幅提升出货比重，并延续产品出货偏重QLC的策略。此外，今年为提升144层的产出效益，将于大连厂扩张产能，长期扩产效益将归属于SK海力士。

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封面图片来源：拍信网