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研发客服SK海力士今年8月展示全球最高层321层NAND闪存样品之后，业界关注其他存储厂商何时推出300层以上NAND Flash产品。
8月初媒体报道三星正积极投入产品研发，预计2024年推出的第九代3D NAND将达280层，第十代3D NAND将跳过300层区间达430层，预计将于2025~2026年推出。
随后又有报道透露三星并未跳过300层数，该公司计划2024年量产堆叠300层以上、第九代3D NAND，预计采用双次堆叠技术。据悉，双次堆叠技术是分两次制造NAND，然后将其组合在一起。三星从第七代176层3D NAND开始采用双次堆叠技术。
目前，三星尚未明确透露300层NAND Flash堆叠技术信息。不过，该公司持续发力NAND Flash堆叠技术，今年7月三星存储业务高管就对外表示，2030年三星V-NAND可以叠加到1000多层。
其他厂商方面，美光计划232层之后推出2YY、3XX与4XX等更高层数产品，铠侠和西部数据也正在研发300层以上的3D NAND产品。
封面图片来源：拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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