三星计划在本月晚些时候开始量产第九代V-NAND闪存，可用的堆叠层数达290层，相比现在的236层只增加不到23％。

这一代新闪存将采用新的堆叠架构，底部是CMOS层加逻辑电路，上边是145层闪存阵列，再上边又是145层闪存阵列。

这种方法虽然更复杂，但是良品率可以得到很好的保障，而且可以轻松进一步拓展。

按照三星的规划，2025年下半年将量产第十代V-NAND，进一步堆叠到430层。

更遥远的未来，三星可能会在2030年左右做到1000层。

中国长江存储可能会在今年下半年量产300层，SK海力士计划明年初量产321层，铠侠号称2031年量产1000多层！