资讯
科友半导体开展“完美八英寸碳化硅籽晶”项目(2024-04-03)
关领域发表高水平文章及期刊百余篇。
科友半导体表示，通过与俄罗斯N公司的合作，科友半导体将研发获得“无微管，低位错”完美籽晶，应用品质优异的籽晶进行晶体生长，会进一步大幅降低八英寸碳化硅晶体内部的微管、位错等缺陷密度，从而......
科友半导体开展“完美八英寸碳化硅籽晶”项目(2024-04-08)
举行的签约仪式。
科友半导体长期致力于碳化硅长晶装备研制和工艺技术研发，有丰富的实践经验，八英寸电阻炉已在高端制造领域得到高度认可并被广泛应用。俄罗斯N公司在晶体缺陷......
中韩科研人员在新型半导体材料和器件领域取得重大突破(2024-04-11)
成本、易加工、高稳定性以及大面积制造均匀等。然而，传统的非晶氢化硅因电学性能不足而急需探索新材料。
目前非晶P型半导体面临着重大挑战，严重阻碍了新型电子器件研发和大规模N-P互补金属氧化物半导体......
业界首创----非破坏性SiC缺陷检测系统可省巨额成本并提高产出，蔚华科技携南方科技抢攻第三代半导体商机(2023-11-29 09:10)
需求迅速爆发，尤其用于生产电动汽车使用的耐高温高压SiC功率半导体组件，供给量远远不及需求。第三代半导体的衬底材料质量决定下游芯片的可靠度及性能优劣，但SiC长晶速度较慢，且衬底晶体缺陷只能以破坏性的KOH蚀刻......
台湾中山大学突破6英寸碳化硅晶体生长！(2023-03-08)
大学材料与光电科学系教授兼国际长周明奇表示，此次生长晶体的长晶炉、存放材料的容器坩埚、热场设计、生长参数及晶体缺陷检验等，所有关键技术与设备设计、组装全部MIT，没有依赖国外厂商。
周明奇指出，台湾地区半导体......
SiC生长过程及各步骤造成的缺陷(2024-01-23)
的密度很高，导致衬底质量和随后制造的外延层质量差 。
本篇文章主要总结了 SiC 生长过程及各步骤造成的缺陷。
SiC 晶片中的缺陷通常分为两大类：
· 晶片内的晶体缺陷
· 晶片表面处或附近的表面缺陷......
SiC迈入8英寸时代，国际大厂量产前夕，国内厂商风口狂追(2024-04-08)
，科友半导体宣布，他们于3月27日与俄罗斯N公司在哈尔滨签署战略合作协议，开展“八英寸碳化硅完美籽晶”的项目合作。据称，俄罗斯N公司在晶体缺陷密度控制方面有着丰富的研究经验，在相......
长光辰芯发布GLT5009BSI－DUV版本，助力半导体缺陷检测(2024-08-19)
长光辰芯发布GLT5009BSI－DUV版本，助力半导体缺陷检测;
长光辰芯发布时间延迟积分（TDI）CMOS图像传感器GLT5009BSI深紫外（Deep Ultraviolet- DUV）增强......
长光辰芯发布GLT5009BSI-DUV版本，助力半导体缺陷检测(2024-08-19)
长光辰芯发布GLT5009BSI-DUV版本，助力半导体缺陷检测;
【导读】 长光辰芯发布时间延迟积分（TDI）CMOS图像传感器GLT5009BSI深紫外（Deep......
集成高 k 钙钛矿氧化物和二维半导体的新型晶体管(2023-01-04)
兼容。实现大规模二维半导体集成电路的先决条件是原材料的高质量和均匀性的大规模生产。硅晶片是通过切割大块单晶锭获得的，而大面积的二维半导体通常是通过自下而上的沉积方法获得的。生长过程中引入的晶界和晶体缺陷等缺陷......
日本芯片行业人才缺口达3.5万？东芝、索尼等科技巨头发警告(2022-06-27)
日本芯片行业人才缺口达3.5万？东芝、索尼等科技巨头发警告;据金融时报报道，日本大型半导体制造商索尼、东芝等公司警告称，工程师短缺正威胁日本政府重振国内芯片行业的努力。
在新......
一文看懂3D晶体管(2016-11-01)
靠负电荷在推挤移动时产生的相对移动现象。
P、N组成二极体
好不容易让硅导电之后，水电工们把填入三价杂质的P型半导体和加入五价杂质的N型半导体连起来发现，它又不导电了！超营养大鸡排⋯⋯呃，不对，当电流换一个方向由P流至N时它......
清华大学材料学院李千课题组合作在半导体中子探测晶体研发领域取得进展(2023-05-12)
涉及到多次能量转换和传递过程，会造成显著的能量损失，限制了探测器能量分辨率和探测效率的改善，而复杂的器件结构和高昂的制造成本又进一步限制了这类中子探测材料的发展。
直接型半导体......
西安邮电大学成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片(2023-03-13)
西安邮电大学成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片;近日，西安邮电大学由电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8吋硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着我校在超宽禁带半导体......
芯片缺货冲击Q2季显现，情况恐持续到明年(2021-03-22)
芯片缺货冲击Q2季显现，情况恐持续到明年;据悉，晶圆代工成熟产能吃紧情况，从去年第三季开始浮现，至于“半导体缺货潮”可以说在2020年第4季正式被引爆，从电源管理IC、驱动IC，进一步蔓延至MCU......
解读碳化硅测试带来的新挑战(2023-08-15)
有相同的核心业务——半导体。 但自动化公司需要支持从手表组装到半导体等多种行业。”
以一致的方式连接来自各个制造步骤的数据还可以优化制造过程并了解缺陷影响。
“由于测试站专门针对完整测试列表的特定部分，数据......
重磅来袭！第三代半导体、汽车半导体等四场热门盛会6月齐聚深圳，论坛议程抢先看！(2024-03-18)
TBD神秘嘉宾
10:50-11:10
TBD华海清科
11:10-11:30
高灵敏度半导体缺陷检测设备
上海微电子装备
11:30-11:50......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-25 09:55)
来源：东京都立大学
在使用从二硒化钨生长出来的二硫化钼证明了他们技术的稳健性之后，他们把注意力转向了铌掺杂的二硫化钼，一种p型半导体。通过生长出未掺杂的二硫化钼（一种n型半导体）的多层结构，研究......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-23)
。资料来源：东京都立大学
在使用从二硒化钨生长出来的二硫化钼证明了他们技术的稳健性之后，他们把注意力转向了铌掺杂的二硫化钼，一种p型半导体。通过生长出未掺杂的二硫化钼（一种n型半导体）的多......
车规碳化硅功率模块——衬底和外延篇(2023-01-10)
我们来看看晶体的生长都面临哪些挑战
● 要拥有高品质的籽晶（种子）
● 减少从籽晶到新生长的晶体缺陷的技术
● 晶体生长需要高温（>2000°C）
o 在这......
从基础到应用碳化硅晶体研制获突破(2023-01-29 10:07)
从基础到应用碳化硅晶体研制获突破;碳化硅晶体是一种性能优异的半导体材料，在信息、交通、能源、航空、航天等领域具有重要应用。春节期间，中科......
延续摩尔定律，新型半导体研发实现新突破(2022-06-07)
延续摩尔定律，新型半导体研发实现新突破;此前，有媒体报道称，二维半导体从水平和垂直两个维度，为延续摩尔定律提供了可能的技术方向。而近日，中国和韩国研发团队均在二维半导体......
Intel4较Intel7提升20%效能，将导入High-NA EUV系统(2022-07-05)
单一元件尺寸。透过FinFET材料与结构改良提升效能，Intel4单一N型半导体或P型半导体，鳍片数从Intel7高效能元件库4片降至3片。综合上述技术，使Intel4大幅增加逻辑组件密度，并缩......
碳化硅市场快速崛起，IDM和代工厂加快布局，产业链打响“最后的战役”(2023-01-24)
碳化硅市场快速崛起，IDM和代工厂加快布局，产业链打响“最后的战役”;
【导读】当地时间1月12日，半导体大厂英飞凌宣布，公司正在扩大与碳化硅 (SiC) 供应商的合作，已与Resonac......
2020年度化合物半导体产业十大热点事件(2021-01-19)
2020年度化合物半导体产业十大热点事件;近年来，在国家政策和资金支持下，我国大力发展第三代半导体，各地方政府掀起了不断加码，尤其是第三代半导体产业或将写入“十四五规划”的消......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管(2023-02-28)
方式的灵感来源于硅工艺的成功秘诀之一——半导体硅的氧气氛围退火。类似于硅在氧气氛围退火可形成高阻表面层，氧化镓采用该手段制备电流阻挡层（相比于离子注入）具有缺陷少、无扩散、成本低等特点。
N离子......
科友半导体产出直径超过8英寸碳化硅单晶(2022-12-29)
科友半导体产出直径超过8英寸碳化硅单晶;12月29日，哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司（以下简称“科友半导体”）宣布，公司通过自主设计制造的电阻长晶炉产出直径超过8吋的碳化硅单晶，晶体表面光滑无缺陷......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
mΩ级别，流过1A级别的电流，也才mV级别，所以D极和S极之间的导通压降很小，不足以使寄生二极管导通，这点需要特别注意。
▉ MOS管工作原理（以N沟道增强型为例）
N沟道增强型MOS管在P型半导体......
自动驾驶激光雷达(2024-04-14)
，所以要介绍清楚，不得不从半导体最基础的PN结说起。P型半导体是通过在纯净半导体（不含杂质且无晶格缺陷的半导体）中掺杂特定杂质，让空穴（相当于带正电的粒子）数量增多。N型半导体......
TechInsights对于“碳化硅JFETs原子探针层析成像”的探讨(2022-12-07)
比例相关的挑战和相关问题，例如来自注入的寿命致命缺陷和来自高温退火的晶格畸变，这就是我们至今仍未见到商业上可用的双极型功率半导体器件（例如SiC中的IGBTs）的重要原因。
UJ4C075018K4S装置的APT
实现......
TechInsights对于“碳化硅JFETs原子探针层析成像”的探讨(2022-12-07)
仪表有助于研究各种材料的纳米特性和现象，包括金属、合金、半导体、陶瓷、矿物甚至生物材料。
特别是对于半导体器件的分析，除了元素的定量3D映射和各种层/界面的可视化之外，APT数据还可以揭示有趣的细节，例如掺杂剂对缺陷......
研究人员已经开发出新方法制造用于高级电路的柔性半导体(2023-01-09)
、基于聚合物的半导体上。
必须克服几个技术挑战才能将此类半导体，尤其是电子流动的 n 型半导体集成到 CMOS 电路中。例如，准备高质量的逐层结构——对 CMOS
器件功能很重要——往往......
第三代半导体加速爆发，SiC、GaN产业化进度如何？(2022-09-08)
称：8英寸SiC的衬底价格、缺陷密度、芯片面积、芯片价格明显呈下降的趋势，随着每一代芯片单位面积的减小，8英寸(200mm)和6英寸(150mm)的成本差距也越来越小。
集邦咨询化合物半导体......
美国商务部公布390亿美元半导体制造补贴最新申请流程(2023-06-25)
美国商务部公布390亿美元半导体制造补贴最新申请流程;6月25日消息，据彭博社报道，当地时间本周五，美国商务部正式公布了大型半导体供应链项目的补贴的申请流程，并表示将在秋季晚些时候发布针对小型半导体......
TechInsights对于“碳化硅JFETs原子探针层析成像”的探讨(2022-12-07)
1400℃退火时电激活率小于10%，需要1600℃退火才能接近100%激活。
与p-type掺杂比例相关的挑战和相关问题，例如来自注入的寿命致命缺陷和来自高温退火的晶格畸变，这就是我们至今仍未见到商业上可用的双极型功率半导体......
缺货恐持续到2022年下半年!车用MCU/功率电源吃紧...(附供应商盘点)(2021-11-22)
缺货恐持续到2022年下半年!车用MCU/功率电源吃紧...(附供应商盘点);据台媒报道，困扰全球的疫情仍未结束，半导体缺料以及供应链长短料影响延续至今，受到冲击的厂商们纷纷采取变通策略，确保半导体......
如何用万用表测试MOSFET(2024-04-03)
如何用万用表测试MOSFET;介绍：
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）晶体管是一种广泛用于电子设备中开关和放大电子信号的半导体器件。
MOSFET 是一种四端子器件，具有......
新方法可以扩展、简化弹性半导体的制造(2023-01-04)
有望同时实现高效的电荷传输和机械拉伸性，”Yu 说。
研究人员使用 LPSM 方法创建了p 型和 n 型半导体，其主要载流子分别是空穴和电子。Yu
表示，使用这两种半导体类型，研究人员创造了晶体管、逆变......
半导体制造工艺——挑战与机遇(2024-01-12)
技术的进步是得益于新的介质材料的出现。传统上，硼和磷是最常用的掺质材料，因为它们可以分别产生p型和n型半导体。然而，近年来，锗、砷和锑等新材料已被开发出来，可用于制造更复杂的电子元件。掺质......
东京电子推新型半导体清洗机 可防芯片结构遭破坏(2020-12-25)
东京电子推新型半导体清洗机 可防芯片结构遭破坏;12月24日，日本大型半导体制造设备厂商东京电子宣布，将于2021年1月发售清洗机“CELLESTA SCD”，该产品带干燥功能，可提高最尖端半导体......
SEMICON2024收官，第三代半导体赛道竞争激烈！(2024-03-25)
产品包括N形SiC衬底、SiC外延片等，并现场披露了直径、晶型、厚度等相关参数。2023年5月，天科合达与英飞凌签订了一份长期协议，其将为英飞凌供应用于制造碳化硅半导体产品的6英寸碳化硅衬底和晶锭，其供......
SEMICON2024收官，第三代半导体赛道竞争激烈！(2024-03-26)
半绝缘型衬底等产品的规模化供应。目前该公司在8英寸产品上也已经在加速布局，用液相法制备的无宏观缺陷的8英寸衬底更是业内首创。2023年，天岳先进在导电型碳化硅衬底产能和规模化供应能力上持续展现超预期成果。其碳化硅半导体......
国内半导体正在破局—专利项(2024-07-30)
国内半导体正在破局—专利项;今年以来，全球半导体产业进入新的转折期，在新一轮的科技革命中，全国各方正在呼吁通过充分发挥知识产权制度供给和技术供给的双重作用，进一步健全专利转化运用工作机制，大力......
最新议程！| 2021碳基半导体材料与器件产业发展论坛(2021-04-13)
地点：浙江·宁波 宁波凯洲皇冠假日酒店
论坛目的：以碳基半导体为切入点，开辟新型半导体道路，实现产业化，推动“中国芯”发展
论坛亮点：推动产学研合作，科研指导产业方向、产业加速科研进展，相辅......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-17)
在研究氧化镓方面也取得了一系列进展。
今年3月媒体报道西安邮电大学在超宽禁带半导体研究上取得重要进展，该校电子工程学院管理的新型半导体......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-14)
研究上取得重要进展，该校电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片。
2月，中国电科46所宣布成功制备出我国首颗6......
稳压、TVS二极管和压敏电阻的区别(2024-04-29)
结构
贴片是主要以氧化锌为基础的陶瓷半导体产品。主要采用下图所示的积层结构，通过积层张数、层间的调整，可以控制击穿电压、静电容量。而是P型半导体和N型半导体结合而构成的，是硅基ESD防护器件。在二......
突破！西安高校团队从 8 英寸硅片制备出氧化镓外延片~(2023-03-17)
硅片中制备出高质量的氧化镓外延片，标志着在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。
据悉，该研究成果出自西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队。
陈海峰教授表示，氧化镓是一种超宽禁带半导体......
陶瓷电容之半导体陶瓷电容器(2023-09-20)
陶瓷电容以及它的特点。
半导体陶瓷电容：半导体陶瓷电容分为表面型和晶界层型两种类型。
表面型半导体陶瓷电容器是指：瓷片本体已半导化，然后使其表面重新氧化而形成很薄的介质层，之后再在瓷片两面烧渗电极而形成电容器。
而晶界层型半导体......
JAI推出新款810万像素紫外线相机(2022-10-28 10:03)
强了覆盖UVA、UVB并延伸至UVC波段的光谱灵敏度。GO-8105M-5GE-UV支持宽广的紫外光谱，因此适用于各式各样的紫外应用。JAI中国区总经理代苏琴表示：“最大的商机将来自于各种类型半导体......
相关企业
金砂眼气孔无温摩擦焊机，镁合金砂眼气孔无温摩擦焊机，锌合金砂眼气孔无温摩擦焊机，钛合金无温摩擦焊机，铸铁裂纹无温摩擦焊机，全自动铸铁低温焊机，铁上焊铜专用焊机，缸体缺陷无温摩擦焊机，缸盖缺陷无温摩擦焊机，壳体缺陷
将光、
音频、压力等模拟信号还原成电脑可以识别的数码信号，或者起到将数码信号变成模拟信号的作用，混合信号
半导体具有同时处理模拟信号和数码信号的作用。
MagnaChip是一家综合型半导体
;无锡卓海科技有限公司;;无锡卓海科技有限公司是一家专业的半导体设备销售、服务公司。自2009年开始的3年间，卓海公司（Best Ocean）为众多半导体生产线服务过。卓海公司集成了大陆地区半导体行业的资深工程师和具有国外大型半导体
;珠海市矽格电子科技有限公司;;珠海市矽格电子科技有限公司座落于美丽的海滨城市珠海，公司由一群资深半导体器件工程师和应用工程师组成，立志于新型半导体器件的研发和应用推广，为客
致冷领域为众多的客户提供了相应合适的产品和服务。 半导体致冷片是公司的核心部分，2005年初成功开发的微型半导体致冷片，已经成功地应用到微芯片和玩具的芯片散热上；随着我们制造工艺的改进，我们已经将半导体
飞凯曼科技有限公司致力于打造中国最大、最专业的表面缺陷检测系统、在线表面缺陷检测系统、视频表面缺陷检测系统、探针台、变温探针台、高低温探针台、霍尔效应测试仪、微波介电常数测试仪、光纤放大器、半导体激光器、单频激光器、单纵模激光器、单频半导体
;贵州煜立电子科技有限公司;;贵州煜立电子科技有限公司主要进行新型半导体器件、模拟集成电路、工业生产信息化系统方面产品的研发、生产、销售的企业。 公司拥有一支由微电子领域的教授、博士生导师、博士
;东莞市锦源光电科技有限公司;;东莞市锦源光电科技有限公司是以LED应用光源、LED光源灯具一体化等的研发、生产、销售为一体的大型半导体照明企业，目前已拥有LED球泡灯，面板灯，射灯，日光
;深圳市义博电子有限公司;;深圳市义博电子有限公司是一家专业技术型半导体分销商,拥有精锐、专业的经营团队,在电子工业界拥有近十年年资，其所累积的对代理产品熟悉度及经营企划经验，加上
在国内外建有自主研发的团队，研发产品在国内和国外的大型半导体工厂投片生产。我们与国内的多家知名封装工厂有很好的合作，从而保证产品的优质品质。 我们竭诚欢迎与大家合作，以优质的产品和服务取得共赢。