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（Atomic layer deposition)是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处。该技术目前主要应用于半导体和纳米技术领域。 收购......
正测试新的抗反射光学涂层技术，可以减少镜头炫光和鬼影等伪影，从而提高照片质量。 供应链消息称苹果正在考虑在 iPhone 相机镜头制造工艺中，引入新的原子层沉积（ALD）设备。 原子层沉积......
。 2019前十五大半导体设备商 数据来源:VLSI 徐来分析，ASM全球市场高速增长的驱动力之一是公司主打产品单原子层沉积......
北方华创高介电常数原子层沉积设备获批量订单;3月21日，北方华创宣布，近期公司12英寸高介电常数原子层沉积设备Scaler HK430实现稳定量产，获得批量订单。这标志着北方华创 CVD （化学气相沉积......
募资10亿，国产设备厂商微导纳米科正式闯关科创板;3月3日，江苏微导纳米科技股份有限公司（以下简称“微导纳米”）科创板上市申请正式获得上交所受理。 资料显示，微导纳米以原子层沉积......
泛林集团推出一种用于沉积低氟填充钨薄膜的新型原子层沉积工艺;泛林集团（纳斯达克股票代码：LRCX）今天宣布推出一种用于沉积低氟填充钨薄膜的新型原子层沉积 (ALD) 工艺，标志......
技术（Atomic Layer Deposition, ALD），就是这一技术最常见的应用之一，是先进的纳米表面处理技术。通过ALD工艺，可以在单原子范围内沉积涂层，因此可以在纳米尺度上进行控制。原子层沉积......
北大集成电路学院PEALD设备采购项目中标结果公示;5月9日，北京大学集成电路学院等离子体增强原子层沉积设备采购项目中标结果公示。该项目中标供应商为西安思密康电子科技有限公司，中标货物为1套等离子体增强原子层沉积......
金属铝并自然氧化的方式，完成了对石墨烯垂直方向电场的屏蔽。再使用原子层沉积的二氧化铪作为栅极介质、化学气相沉积的单层二维二硫化钼薄膜作为沟道。具体器件结构、工艺流程、完成实物图如下所示： △亚1纳米......
盛美上海新型热原子层沉积立式炉设备将于本月底交付中国的逻辑客户;9月28日，盛美半导体设备（上海）股份有限公司(以下简称“盛美上海”)，宣布其对300mm Ultra Fn立式......
现氧空缺的介电层中，观察其能隙中的电子状态 Egorov说：「为了研究在氧化钽薄膜生长过程中形成的氧空缺，我们使用了一种整合生长PEALD[电浆辅助原子层沉积]和分析XPS(X射线光电子能谱仪)腔室(以真......
纳米均持股27.7624%，盛美上海持股16.6574%。 资料显示，拓荆科技主要从事半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积......
克服问题。 Hwang认为，这意味开发更多原子层沉积（atomic layer deposition，简称ALD）技术，以减......
重复进行Si蚀刻⇒聚合物沉积⇒底面聚合物去除，可以进行纵向的深度蚀刻。 侧壁的凹凸因形似扇贝，称为“扇贝形貌”。 成膜 ALD（原子层沉积） ALD是Atomic Layer......
组成的合作研究团队成功利用最新的半导体工艺为SOFC制造了多孔电极。这项研究被选为Small Methods的封底文章。 原子层沉积（ALD）技术的过程涉及在衬底表面沉积气态材料，形成薄而均匀的原子层......
的生产要求。相比之下，泛林集团的Striker ICEFill采用其独有的表面改性技术，可以实现高选择性自下而上及无缝的填隙，并保持原子层沉积 (ALD) 固有的成膜质量。 ICEFill技术......
一步突破1纳米以下栅长晶体管的瓶颈，本研究团队巧妙利用石墨烯薄膜超薄的单原子层厚度和优异的导电性能作为栅极，通过石墨烯侧向电场来控制垂直的MoS2沟道的开关，从而实现等效的物理栅长为0.34nm。通过在石墨烯表面沉积......
集团的Striker ICEFill采用其独有的表面改性技术，可以实现高选择性自下而上及无缝的填隙，并保持原子层沉积 (ALD) 固有的成膜质量。 ICEFill技术能够解决3D NAND器件......
建设先进的生产车间，购置先进生产设备和量测设备，提升公司薄膜沉积设备的生产能力。本项目主要生产半导体领域 iTomic 系列和 iTronix 系列产品，其涉及原子层沉积和化学气相沉积两大类设备。 微导......
洁净厂房共计2800平方米，一期可实现年产100台套，二期投产将达到年产350台套设备的生产能力。2018年9月，由拓荆科技自主研制的12英寸原子层沉积（ALD）设备FT-300T通过......
如此，应用材料公司已经准备好了覆盖范围最广泛的GAA制造产品线，包含涉及外延生长、原子层沉积和选择性材料刻蚀的全新生产步骤，以及两项全新的用于制造理想GAA氧化......
安装硼扩散、等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD）、物理气相沉积设备（PVD）、板式原子层沉积设备（ALD）、烧结炉、光注入、碱抛机、碱制绒机、热水机、烘干炉、镀舟机、插片机、分选机、测试机、冷水......
先进传感器中试线成功通线。 该中试线以国产设备为主，具备晶圆键合、晶圆减薄、干湿法刻蚀、物理和化学气相沉积、原子层沉积、化学机械研磨、湿法清洗、自动化量测等先进传感器和晶圆级3D集成技术的核心工艺能力，同时......
韩国半导体厂商周星工程研发 ALD 新技术，降低 EUV 工艺步骤需求; 7 月 16 日消息，韩媒 The Elec 报道，韩国半导体公司周星工程（Jusung Engineering）最新研发出原子层沉积......
体先进装备研发制造中心项目，由思锐智能和青岛城投集团联合建设，是2024年度山东省重大项目、青岛市重点项目。项目总占地约95亩，总建筑面积约8.6万平方米，规划建设原子层沉积镀膜（ALD）和离......
已连续多年在营收规模、订单总量和市场占有率方面位居国内同类企业第一。在半导体领域内，公司是国内首家成功将量产型High-k原子层沉积（ALD）设备应用于28nm节点集成电路制造前道生产线的国产设备厂商，已与......
实现高选择性自下而上及无缝的填隙，并保持原子层沉积(ALD)固有的成膜质量。 ICEFill技术能够解决3D NAND器件普遍存在的高深宽比填隙面临的限制，避免DRAM和逻......
实现高选择性自下而上及无缝的填隙，并保持原子层沉积(ALD)固有的成膜质量。 ICEFill技术能够解决3D NAND器件普遍存在的高深宽比填隙面临的限制，避免DRAM和逻......
近一半的出口管制与薄膜加工设备有关。然而，此类设备涉及多种工艺。在此背景下，出口管制将主要针对诸如采用钴和钌等材料进行先进工艺的金属互连沉积设备、用于40nm以下工艺的原子层沉积（ALD）设备，以及多图案化工艺所需的硬掩膜沉积......
万元，募集资金净额为102,347.14万元。招股说明书显示，公司拟募集资金10亿元，分别用于基于原子层沉积技术的光伏及柔性电子设备扩产升级项目、基于原子层沉积技术的半导体配套设备扩产升级项目、集成......
集成电路先进装备园暨思锐智能半导体先进装备研发制造中心项目由青岛城市建设投资（集团）有限责任公司和青岛四方思锐智能技术有限公司联合打造，项目总占地约95亩，总建筑面积约8.6万平方米，规划建设原子层沉积......
流体动力学优化的多硫源分布，从而实现了二维材料的准静态生长；同时在任意衬底（包括硅）通过原子层沉积生长特殊缓冲层，精确控制均匀单层成核，最终获得了大面积二维半导体均匀生长技术，并且对于多种二维半导体均可适用，在15......
机共同构成芯片制造三大主设备，主要产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个产品系列，已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线，并已......
果开创性的采用了海绵缓释结构的前驱体设计，以及流体动力学优化的多硫源分布，从而实现了二维材料的准静态生长；同时在任意衬底（包括硅）通过原子层沉积生长特殊缓冲层，精确控制均匀单层成核，最终......
Moore, MtM）时代推动新材料、新工艺以及先进制程的发展，正在加速半导体设备市场格局的重塑，也为国内装备企业带来了新的发展空间。在CSEAC同期高峰论坛上，思锐智能董事长聂翔发表了题为《原子层沉积......
Moore, MtM）时代推动新材料、新工艺以及先进制程的发展，正在加速半导体设备市场格局的重塑，也为国内装备企业带来了新的发展空间。在CSEAC同期高峰论坛上，思锐智能董事长聂翔发表了题为《原子层沉积......
措施带来的任何损失。 荷兰ASM将从对全环绕栅极晶体管（GAA）以及单晶层原子层沉积（ALD）不断增长的需求中受益，GAA可以更好地控制电流流动并降低能耗，ALD是一......
，主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务，主要产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个系列，已广......
够产生最小可分辨尺寸（MRF）小于或等于45nm的图案，或者套刻精度≤1.50nm。 3B001.d.12：用于金属原子层沉积（ALD）的设备，具备以下所有条件：     • 一种以上的金属源，其中......
厂商。该公司已于2022年4月20日在科创板发行上市。 拓荆科技主要产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备......
体先进装备研发制造中心项目 半导体先进装备研发制造中心项目是集成电路产业链装备类关键项目，项目总占地90亩，总投资12亿元，主要生产半导体领域原子层沉积装备和离子注入装备，提供......
PVD、化学机械抛光(CMP)、线与间隔的形成、氧化物填充、IBE刻蚀、原子层沉积 (ALD)、铜PVD及其他图示的独立工艺步骤。 为形成分隔开的金属线，需要制造间隔和台面充当绝缘阻挡层。磨平沉积......
分析仪大数据机器学习分析前后的工艺窗口分布图示 现可用于多站工艺模块 为等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 和原子层沉积 (ALD) 腔室设计的新版Equipment Intelligence®数据分析仪目前已被部署在多个晶圆厂。该软......
备配备多阳极局部镀铜功能，可以在先进的技术节点上实现双大马士革铜互连结构铜金属层沉积。该设备可兼容超薄种子层，生产量高、运行时间长，同时能降低耗材成本和运营成本。 封面图片来源：拍信网......
个制作过程中，薄膜材料被沉积在晶片上以生成电子元件。这可以通过多种技术来实现，包括化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）和原子层沉积（ALD）。这些工艺可用于沉积金属、氧化......
计方面，将优先支持人工智能和6G等新一代半导体设计技术，政府将从2025年以后集中扶持车载半导体技术，实现未来出行目标。 　　 工艺方面，为提升晶圆代工的竞争力，决定开发原子层沉积、异质集成、三维（3D）封装......
半个多世纪的发展，ASM已在原子层沉积 (ALD)、外延（Epitaxy）、化学气相沉积 (CVD)、Si和SiC外延等领域取得卓越成就。截至目前，ASM已在全球16个国家和地区建立分部。ASM的普......
设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大主设备。主要产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备3个产品系列。 据悉，拓荆......
建设高端半导体装备，SRII赋能新一代集成电路制造;思锐智能携业界尖端的离子注入（IMP）和原子层沉积（ALD）技术亮相SEMICON China 2024，持续......
建设高端半导体装备，SRII赋能新一代集成电路制造;思锐智能携业界尖端的离子注入（IMP）和原子层沉积（ALD）技术亮相SEMICON China 2024，持续......

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