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研发客服3月21日，北方华创宣布，近期公司12英寸高介电常数原子层沉积设备Scaler HK430实现稳定量产，获得批量订单。这标志着北方华创 CVD （化学气相沉积）先进工艺设备解决方案的成功应用。
为了突破晶体管尺寸微缩的工艺瓶颈，业界采用新型High-K材料HfO 2 （ 氧化铪 ）作为栅介质层，结合金属栅极技术，研发出HKMG(High-K/Metal Gate高介电常数/金属栅极)工艺。
北方华创表示，该工艺在45nm及以下节点占据核心地位，CVD/ALD（ 原子层沉积 ）工艺设备成为HKMG工艺的重要支撑。
封面图片来源：拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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