7 月 16 日消息，韩媒 The Elec 报道，韩国半导体公司周星工程（Jusung Engineering）最新研发出原子层沉积（ALD）技术，可以在生产先进工艺芯片中降低极紫外光刻（EUV）工艺步骤需求。
极紫外光刻（EUV）又称作超紫外线平版印刷术，是一种使用极紫外光波长的光刻技术，目前用于 7 纳米以下的先进制程，于 2020 年得到广泛应用。
周星工程董事长 Chul Joo Hwang 表示当前 DRAM 和逻辑芯片的扩展已达到极限，因此需要像 NAND 一样，通过堆叠晶体管的方式克服这个问题。
半导体行业如果想要把晶体管微缩到更小尺寸，一种方案就是堆叠晶体管，其中一个佐证是深紫外线（DUV）设备有望用于生产 3D DRAM。
Hwang 说，随着堆叠变得越来越重要，ALD 机器的需求也将增加。III-V 和 IGZO 半导体的生产也需要 ALD 设备。