当地时间6月30日，荷兰政府正式颁布了有关先进半导体设备的额外出口管制的新条例。正如其在今年3月发布的消息中所述，这些新的出口管制条例主要针对先进的芯片制造技术，包括先进的沉积设备和浸润式光刻系统。

据悉，这些规定将于2023年9月1日正式生效。因此，光刻机巨头ASML可以在此日期之前开始提交出口许可证申请，而荷兰政府将会根据具体情况批准或拒绝这些申请。

▲荷兰升级管制新规

在荷兰政府限制出口的消息传出之后，ASML第一时间在官网发布声明称，新规只涉及部分最新的DUV型号，包括TWINSCAN NXT:2000i以及后续推出的浸润式光刻系统。“EUV光刻系统在此前就已经受到限制，而其他系统的发运未受荷兰政府管控。”

ASML在声明中强调，这些新的出口管制条例针对的对象为先进的芯片制造技术，包括最先进的沉积设备和浸润式光刻系统，并非所有浸润式DUV光刻系统。

▲ASML发布声明：并非所有DUV受限

根据ASML官网显示，其浸润式DUV光刻系统包括NXT:1980Di、TWINSCAN NXT:2000i和TWINSCAN NXT:2050i三款设备。它们能够进行38nm-45nm制程的晶圆加工，这其中2000i和2050i两款是ASML在声明中所指的产品。

而能够进行45nm以上晶圆加工的，比如65nm-220nm制程的干式DUV光刻机（TWINSCAN XT:400L、XT:1460K、NXT:870等型号）均不在荷兰管制清单之内。

▲图片来源：ASML官网

除了上述ASML确认的几种型号之外，新规还将影响哪些DUV光刻系统？

以下是根据荷兰管制清单进行的中文翻译和信息整理，仅供参考。如有错误，敬请指正！

用于半导体设备或材料的生产设备、软件和技术，以及为其专门设计的零部件和配件。

3B001.l：EUV掩膜。

3B001.m：EUV掩膜生产设备。

3B001.f.4：使用普通光源或X射线进行晶圆加工、对准和重复曝光的光刻设备，具有以下任何特征：

    • 光源的波长＜193nm；

    • 光源的波长≥193nm，但能够产生最小可分辨尺寸（MRF）小于或等于45nm的图案，或者套刻精度≤1.50nm。

3B001.d.12：用于金属原子层沉积（ALD）的设备，具备以下所有条件：

    • 一种以上的金属源，其中一种是以铝（Al）为前体设计的；

    • 具有温度高于45℃的进料容器。

以及设计用于沉积具有以下所有特征的金属材料：

    • 沉积碳化钛铝（Ti Al C）；

    • 可以使晶体管势垒高于4.0ev的金属材料。

3B001.a.4：用于硅（Si）、碳掺杂硅、硅锗（SiGe）或碳掺杂硅锗（SiGe）这几种材料外延生长的设备，具有以下所有条件：

    • 在多个腔室和工艺步骤之间保持高真空度（水和氧分压≤0.01Pa）或形成惰性气氛（水和氧分压≤0.01Pa）的装置；

    • 至少有一个用于清洁晶圆表面的预处理室，等等；

    • 外延沉积工作温度≤685℃。

3B001.d.19：设计用于介电常数低于3.3的金属线之间，在宽度小于25nm、长宽比≥1:1的空隙中，进行无空隙等离子体放大沉积的设备。

3D007：专门用于开发、生产或操作本法规3B001.l、3B001.m、3B001.f.4、3B001.d.12、3B001.a.4、3B001.d.19项规定的设备而研发的软件。

3E005：开发、生产或使用本法规3B001.l、3B001.m、3B001.f.4、3B001.d.12、3B001.a.4、3B001.d.19项规定的设备所需的技术。