9月28日，盛美半导体设备（上海）股份有限公司(以下简称“盛美上海”)，宣布其对300mm Ultra Fn立式炉干法工艺平台进行了功能扩展，研发出新型Ultra Fn A立式炉设备。该设备的热原子层沉积（ALD）功能丰富了盛美上海立式炉系列设备的应用。

盛美上海还宣布，首台Ultra Fn A立式炉设备已于本月底运往中国一家先进的逻辑制造商，并计划于2023年底通过验证。

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盛美上海董事长王晖表示，“随着逻辑节点的不断缩小，越来越多的客户为满足其先进的工艺要求，努力寻找愿意合作的供应商共同开发。ALD是先进节点制造中增长最快的应用之一，是本公司立式炉管系列设备的关键性新性能。得益于对整个半导体制造工艺的深刻理解和创新能力，我们能够迅速开发全新的湿法和干法设备，以满足新兴市场的需求。全新ALD立式炉设备基于公司现有的立式炉设备平台，搭载差异化创新设计，软件算法优化等实现原子层吸附和均匀沉积。”

据介绍，盛美上海新型热ALD设备可沉积氮化硅（SiN）和碳氮化硅（SiCN）薄膜。出厂的首台Ultra Fn A设备将用于28纳米逻辑制造流程，以制造侧壁间隔层。此工艺要求刻蚀速率极低，且台阶覆盖率良好，与其他实现模式相比，Ultra Fn A立式炉设备在模拟中实现了均一性的改善。

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