7月12日，拓荆科技股份有限公司（以下简称“拓荆科技”）科创板上市申请获受理。

资料显示，拓荆科技成立于2010年4月，主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务，主要产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个系列，已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线，并已展开10nm及以下制程产品验证测试。

据招股书介绍，拓荆科技是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD、SACVD设备厂商，产品广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线，并打破国际厂商对国内市场的垄断，与国际寡头直接竞争。报告期内，公司在研产品已发往某国际领先晶圆厂参与其先进制程工艺研发。

招股书指出，该公司产品已适配国内最先进的28/14nm逻辑芯片、19/17nm DRAM芯片和64/128层3D NAND FLASH晶圆制造产线。其中，PECVD设备已全面覆盖逻辑电路、DRAM存储、FLASH闪存集成电路制造各技术节点产线SiO2、SiN、SiON、BPSG、TEOS等多种通用介质材料薄膜沉积工序，并具备向更先进技术节点拓展的延伸性。基于现有PECVD产品平台，拓荆科技研发了LokⅠ、LokⅡ、ACHM、 ADCⅠ等先进介质材料工艺，拓宽公司PECVD 产品在晶圆制造产线薄膜沉积工序的应用。

经营业绩方面，2018年度、2019年度、2020年度，拓荆科技的营业收入分别为7,064.40万元、2.51亿元、4.35亿元；归母净利润分别为-1.03亿元、-1936.64万元、-1148.90万元；研发投入占营收比例分别为152.84%、29.58%、28.19%；主营业务毛利率分别为33.00%、31.99%、34.12%。

股权架构方面，拓荆科技不存在控股股东或实际控制人，持股5%以上股份或表决权的股东包括国家大基金、国投上海、中微公司、嘉兴君励及其关联方盐城燕舞、润扬嘉禾，姜谦及其一致行动人。其中，国家大基金为第一大股东，持股比例26.48%；第二大股东国投上海持股比例18.23%，中微公司为第三大股东，持股比例11.20%。

图片来源：拓荆科技招股书截图

根据招股书，拓荆科技本次拟公开发行人民币普通股不超过3161.98万股，占发行后总股本的比例不低于25.00%，拟募集资金总额10.00亿元，用于高端半导体设备扩产项目、先进半导体设备的技术研发与改进项目、ALD设备研发与产业化项目、补充流动资金，分别拟投入募资金额7986.46万元、3.99亿元、2.71亿元、2.50亿元。

图片来源：拓荆科技招股书截图

拓荆科技在招股书中表示，公司未来将继续致力于高端半导体设备的研发生产，扩大现有设备市场占有率，提高公司设备的技术先进性，丰富公司设备种类，拓展技术应用领域，开发中国台湾市场。

封面图片来源：拍信网