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Bulk FinFET和SOI FinFET 关于《集成电路工艺、闩锁效应和ESD电路设计》 ： 《集成电路工艺、闩锁效应和ESD电路设计》一共五章内容，第一......
和安全工作区 从IGBT的结构可以发现，IGBT电流可能发生失控的现象，就像普通晶闸管被触发以后，即使撤消触发信号晶闸管仍然因进入正反馈过程而维持导通的机理一样，因此被称为擎住效应或自锁效应。 引发擎住效应......
据中心SSD快速成长，这使得高阶DRAM、NAND供给变得吃紧，进而对所有内存和储存终端市场报价带来正面连锁效应。 美光科技CEO Sanjay Mehrotra表示......
SOI的结合利用了SOI和DTI的独特优势，减小寄生结电容，提高了MOS管跨导和开关速度，降低了功耗，同时，彻底消除了闩锁效应，减少了电路设计的复杂度并增强了可靠性。 BCD工艺的不断突破：芯联......
; 　　- 更好的Trr可改善二极管恢复电压上升速率(dv/dt)的动态峰值。在续流期间电流流过体 漏二极管时，Trr是导致电桥故障的常见主要原因。 　　因此，dv/dt是保证闩锁效应耐受能力的重要参数，测量......
低VF，减少开关损耗，可在高达175℃的结温（TJ）下工作。S系列器件如FGY75T120SWD的开关性能领先市场现有1200V IGBT。经7倍额定电流的测试，这种高可靠性的IGBT产品展现出出类拔萃的抗闩锁......
区的PN结成反偏状态，于是产生了JFET效应，如下图。 于是，在上述IGBT结构中，电子流通方向的电阻可用下图表示，结合上边描述，一目......
器件如FGY75T120SWD的开关性能领先市场现有1200V IGBT。经7倍额定电流的测试，这种高可靠性的IGBT产品展现出出类拔萃的抗闩锁能力。R系列......
定电流的测试，这种高可靠性的IGBT产品展现出出类拔萃的抗闩锁能力。R系列针对以导通损耗为主的中速开关应用如电机控制和固态继电器进行了优化。 FGY100T120RWD在100 A时VCESAT低至1.45V......
器件如FGY75T120SWD的开关性能领先市场现有1200V IGBT。经7倍额定电流的测试，这种高可靠性的IGBT产品展现出出类拔萃的抗闩锁能力。R系列......
毫无疑问地成为了在购买高端手机时的唯一选择。由于对最近推出的iPhone7的需求乐观，苹果股价自9月中旬以来上涨了13％。而在过去的3个月里，苹果的股价也上升了20%。 想必三星当初也没有想到，一台设备的爆炸会引来如此多的连锁效应......
IGBT。经7倍额定电流的测试，这种高可靠性的IGBT产品展现出出类拔萃的抗闩锁能力。R系列针对以导通损耗为主的中速开关应用如电机控制和固态继电器进行了优化。 FGY100T120RWD在100 A时......
告是在所有内部去风险化活动（包括辐射/栓锁效应测试和初步工业化检查）圆满结束之后发布的。随着对小巧、高密度存储器的需求激增，Teledyne e2v强调其最新的存储器芯片能与当下所有高端太空处理组件兼容，其中......
短路条件下的“击穿”效应。此外，还具有米勒钳位功能，防止其中一个开关意外导通。且为了增强保护，还具有故障指示功能，以通知系统故障且使能输入。 安森美半导体的经AECQ-101认证的分立IGBT器件，具有......
，并在掩模和制造工艺设计方面一丝不苟地关注细节，这对其成功至关重要。成功抑制了 IGBT 中的寄生晶闸管闩锁问题，并为 MOS 门控器件创建了电子辐照寿命控制过程，使 IGBT 能够......
Diodes公司推出省空间、高电压、双输出、符合汽车规格的霍尔效应传感器可提供准;Diodes 公司 (Diodes)近日推出新款高灵敏度的霍尔效应传感器产品组合。强大的 AH39xxQ 系列......
Diodes 公司推出省空间、高电压、双输出、符合汽车规格的霍尔效应传感器;Diodes 公司推出省空间、高电压、双输出、符合汽车规格的霍尔效应传感器可提供准确的速度/方向数据 【2023 年......
等三大存储器厂去年下半年减产，及生成式AI对HBM产生强大的需求，连锁效应将扩散到各式DRAM，DRAM产业市场已明显好转，公司......
Diodes推出省空间、高电压、双输出、符合汽车规格的霍尔效应传感器可提供准确的速度/方向数据; Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出新款高灵敏度的霍尔效应......
Diodes推出省空间、高电压、双输出、符合汽车规格的霍尔效应传感器可提供准确的速度/方向数据; Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出新款高灵敏度的霍尔效应......
V双电源工作。 OP191系列采用ADI公司的CBCMOS工艺制造，具有独特的输入级，输入电压可以安全地超过任一电源电压10 V，而不会发生相位翻转或闩锁。输出......
至+30 V单电源供电以及±1.5 V至±15 V双电源供电。 ADA4091-2/ADA4091-4都具有独特的输入级，输入电压可以安全地超过任一电源电压，而不会发生反相或闩锁；这称......
),减少寄生电容,提高器件频率,与体硅相比SOI器件的频率提高20-35% 2),由于减少寄生电容。降低漏电流,SOI器件的功耗下降35-70% 3),消除了闩锁效应(Latch up 是指CMOS......
Diodes推出省空间、高电压、双输出、符合汽车规格的霍尔效应传感器; 【导读】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出新款高灵敏度的霍尔效应......
SiC MOSFET的短沟道效应;Si IGBT和SiC沟槽之间有许多电气及物理方面的差异，Practical Aspects and Body Diode Robustness......
欲提高现有库存水位来稳定自身的 DRAM 需求。 此波的抢货作战产生的连锁效应，使得服务器用内存也呈现涨价，集邦科技预估，服务器内存自第三季以来有约 10% 的上涨，移动式内存则在 NAND 产品......
桥输出无法对输入转换做出响应。这种情况下，上桥栅极驱动器的电平转换器将缺少工作电压余量。需要注意的是，大多数事实证明上桥通常不需要在一个开关动作之后立即改变状态。 图8  信号丢失情况下的波形 考虑闭锁效应 最完......
导体市场产生负面影响。 Gartner指出，目前半导体产业由消费者、企业驱动的市场呈现两极化，其中消费市场受通货膨胀、升息等因素影响，造成消费者可支配所得下降，支出优先考虑旅游及休闲娱乐等，对电子产品采购产生负面连锁效应......
如何用万用表测试MOSFET;介绍： MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）晶体管是一种广泛用于电子设备中开关和放大电子信号的半导体器件。 MOSFET 是一种四端子器件，具有......
动车的交流电电动机的输出控制。 传统的BJT导通电阻小，但是驱动电流大，而MOSFET的导通电阻大，却有着驱动电流小的优点。IGBT正是结合了这两者的优点：不仅驱动电流小，导通电阻也很低。 这种晶体管结合了金属氧化物半导体场效应......
必看！IGBT基础知识汇总！; 01 是什么？本文引用地址： ，绝缘栅双极型，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET......
太阳能系统的 IGBT 安森美提供用于住宅太阳能系统的 600 V 和 650 V IGBT。这些 IGBT 采用了窄台面、宽沟槽 Field Stop 4 (FS4) 技术，提供闩锁抗扰度和更小的栅极电容。场截......
成黑色、热稳定、玻璃纤维增强液晶聚合物主体。将iButton插入DS9098P时，将iButton的轴与固定器紧密对齐。然后，固定器会将iButton的法兰锁住。拆卸时，限制固定器闩锁的偏转，仅使......
。 2 高阈值电压 - 阈值电压如果太低，米勒效应感应出的寄生电压就很容易超过阈值，从而引起寄生导通。这一条对于IGBT不是问题，绝大部分IGBT的阈值在5~6V之间，有一定的抗寄生导通能力。但SiC......
％。 需要注意的是， 尽管SEMI在报告给出了乐观的预测，但新冠疫情大流行仍然有潜在的影响。如疫情引发相关的裁员，仅美国（截至5月）就有超过4000万名工人处于无业状态，而公司倒闭也恐在消费市场及可支配支出等方面触发连锁效应......
一体”为代表的高阶自动驾驶功能的规模化、差异化落地，有赖于更多节点创新所驱动的“连锁效应”。地平线机器人凭借在ADAS高级辅助驾驶及NOA高速领航辅助驾驶领域的丰富量产积累，充分......
2024年面世 法国格勒诺布尔 –  – 2022年12月5日 - 今日宣布推出8 GB宇航级DDR4存储器，作为其边缘计算解决方案的一部分。该公告是在所有内部去风险化活动（包括辐射/栓锁效应......
了 HFWorks 处理的配置。 结果 图 6 给出了每种配置的模拟回波损耗 S11。显然，弯曲角度对天线的谐振频率有连锁效应。 图 6 - 每种配置的模拟回波损耗 S11。 弯曲......
市面上大部分IGBT都会在数据手册中标出短路能力，大部分在5~10us之间，例如英飞凌IGBT3/4的短路时间是10us，IGBT7短路时间是8us。 而 大 部 分 的 SiC 都 没 有 标 出 短 路......
。在这里预测了功率区间的选择，我们可以重点探讨下，是否是有可能实现的： ◎  400V系统：650V IGBT 55%，采用WBG的（SiC+GaN）占45% ◎  800V系统：1200V......
会上800V。在这里预测了功率区间的选择，我们可以重点探讨下，是否是有可能实现的： ◎  400V系统：650V IGBT 55%，采用WBG的（SiC+GaN）占45% ◎  800V系统......
) ◆ 静电放电带电期间模式(CDM) ◆ 闩锁效应(LU) ◆ 电分配(ED) ◆ 故障等级(FG) ◆ 特性描述(CHAR) ◆ 热电效应引起闸极漏电(GL) ◆ 电磁兼容(EMC) ◆ 短路......
分析，IGBT大缺货有二大原因，首先是当前太阳能逆变器采用IGBT的比重大幅提升，其次是目前半导体产业正处于调整期，不仅产能有限，而且许多产能都被电动车厂抢走，在排挤效应下，导致IGBT大缺......
元。这些政府指令带动了强劲发展势头，正在整个地区产生有利的连锁效应。” ......
氢能联盟还预测中国氢能产业产值在2025年前将会超过1,500亿美元。这些政府指令带动了强劲发展势头，正在整个地区产生有利的连锁效应。” ......
告是在所有内部去风险化活动（包括辐射/栓锁效应测试和初步工业化检查）圆满结束之后发布的。随着对小巧、高密度存储器的需求激增，Teledyne e2v强调......
告是在所有内部去风险化活动（包括辐射/栓锁效应测试和初步工业化检查）圆满结束之后发布的。随着对小巧、高密度存储器的需求激增，Teledyne e2v强调......
e2v今日宣布推出8 GB宇航级DDR4存储器，作为其太空边缘计算解决方案的一部分。该公告是在所有内部去风险化活动（包括辐射/栓锁效应测试和初步工业化检查）圆满结束之后发布的。随着对小巧、高密......
+/-6KV ●   问题描述 USB功能失灵，不良率约为0.1%，USB上的TVS uClamp3311T阻抗降为KΩ 级 01 整改分析     整改分析（I） 闩锁分析: 测试......
) 具有正温度系数效应，器件之间紧密的参数分布有助于简化设计，并轻松并联多个 IGBT管，以满足高功率应用需求。 该系列先期推出的两款器件 25A STGWA25IH135DF2 和 35A......

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