Nexperia公司做了一份报告《Application Specific MOSFETs and GaN Solutions for the Automotive Market》，主要从GAN的视角来看，里面一些内容值得我们仔细讨论下。

从全球来看，豪华电动汽车趋向于采用800V系统，核心优势是电流小（铜线少）、更低的传导损耗和更快的充电速度。芝能认为2025年，中国的15万在研产品都会跟进800V系统，我们能看到60kWh以上，价位段20-30万主力区间都是800V。

也就是说，从目前来看，围绕成本优势来看，短期内大家想用性能来冲击原有格局的，一定会上800V。在这里预测了功率区间的选择，我们可以重点探讨下，是否是有可能实现的：

◎  400V系统：650V IGBT 55%，采用WBG的（SiC+GaN）占45%

◎  800V系统：1200V IGBT占10%，也就是特殊调整的IGBT产品；1200V的SiC会占800V的85%

Nexperia的技术探索

Nexperia公司的介绍重心偏向于其产品。

在技术细节方面，每个通道在线性模式下的电流可能引发局部加热。若Cell Pitch设置得过近，这种加热效应可能触发故障。因此，选择较大的Cell间距并确保优质的源金属对于控制这种加热效应至关重要，这也有助于获得最佳的SOA（安全操作区域）评级。

● 欧洲GAN的应用案例（触发MOSFET的雪崩效应）

主要是用在传统车上，取代传统的器件。

● GAN的应用案例（半桥模块）

主要应用在功放，功率电源，DCDC和车载充电机上，也可以尝试下驱动逆变器。

在这个领域我们需要持续观察，因为确实功率器件的投资比较大，进步也比较快，对整个功率电子的影响挺大。

小结：从器件层面，特别是产能和成本的角度来看，是会让一些具备尝试想法的车企，选用最新的设计。汽车电子整个底层架构就是从这些器件累积起来的。