资讯
12英寸氮化镓，新辅助？(2024-09-10)
（Substrate）是产业链的源头。从制备难度上看，不同于Si和SiC芯片，GaN的外延片通常用的是异质衬底，蓝宝石、碳化硅、硅等是氮化镓外延片主流的异质衬底材料。相对于常规半导体材料，GaN单晶......
中科半导体氮化镓外延片及单晶衬底材料研发生产项目落户赣州经开区(2021-08-23)
中科半导体氮化镓外延片及单晶衬底材料研发生产项目落户赣州经开区;近日，据赣州经济技术开发区招商引资消息，8月17日上午，赣州经开区举行2021年第9批招商引资项目线上集中签约仪式，此次签约共有6个项......
专注四代半，杭州镓仁半导体开业(2024-01-04)
专注四代半，杭州镓仁半导体开业;据萧山经开区消息，1月2日，杭州镓仁半导体有限公司正式开业。
资料显示，杭州镓仁半导体有限公司是一家专注于氧化镓等第四代超宽禁带半导体单晶衬底材料研发、生产......
吴越半导体完成数亿元A轮融资，深耕氮化镓自支撑衬底技术(2022-02-19)
及器件的研发、生产、销售，以及半导体制造设备的设计研发与制造。 据悉，该公司主要从事第三代半导体材料氮化镓（GaN）自支撑衬底的研发、生产和销售，是国际上少数具有完全自主知识产权的氮化镓自支撑衬底......
国内首条6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工！(2024-09-14)
的产业化工作，主要从事氧化镓单晶材料生长、氧化镓衬底及外延片研发、生产和销售工作，产品主要应用于功率器件、微波射频及光电探测等领域。
据称，富加镓业是国内目前唯一一家同时具备6英寸单晶生长及外延的公司，开工......
又一家氮化镓企业被合并，10年内营收提升至15亿(2022-08-10)
化学品部门。
合并后，住友表示计划在10年内将GaN单晶衬底的销售额提高到300亿日元以上（约15.2亿人民币），约为当前的3倍以上。
同时并将投资100亿日元（约5亿元人民币），在2024年前后建立扩张4英寸氮化镓衬底......
史上最全第三代半导体产业发展介绍(2017-07-27)
。
日本在氮化镓衬底方面研究水平也很高，其中住友电工(SEI)和日立电线(HitachiCable)已经开始批量生产氮化镓衬底，日亚(Nichia)、Matsushita、索尼(Sony......
募资10.03亿元 中图半导体叩响科创板大门(2021-03-26)
12月，是一家面向蓝宝石上氮化镓（GaN on Sapphire）半导体技术的专业衬底材料供应商。目前，该公司主要产品包括2至6英寸图形化蓝宝石衬底（PSS）、图形化复合材料衬底（MMS），主要......
镓仁半导体成功研制氧化镓超薄6英寸衬底(2024-09-13)
显示，镓仁半导体成立于2022年9月，是一家专注于氧化镓等超宽禁带半导体单晶衬底及外延材料研发、生产和销售的科技型企业。镓仁半导体开创了非导模法氧化镓单晶生长新技术，突破了国际市场对氧化镓材料的垄断，可提供具有完全自主知识产权的氧化镓单晶衬底材料......
拟上科创板！砷化镓衬底厂商通美晶体已进行上市辅导(2021-06-07)
拟上科创板！砷化镓衬底厂商通美晶体已进行上市辅导;6月6日，据北京监管局披露，海通证券发布关于北京通美晶体技术股份有限公司（简称“通美晶体”）首次......
中国研发再突破！15亿美元的氧化镓市场如何引发多国博弈？(2022-05-12)
及其功率器件产业化的高新企业，专注于新型超宽禁带半导体材料氧化镓的高质量单晶与外延衬底、高灵敏度日盲紫外探测器件和高频大功率器件等产业化高新技术的研发。
目前，铭镓半导体已实现量产2英寸氧化镓衬底材料，突破4英寸......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
结构不同决定的部分特性。此外，对氮化镓功率器件的外延工艺以及功率器件的工艺进行描述，加深对氮化镓功率器件的工艺技术理解。在理解氮化镓功率器件结构和工艺的基础上，对不同半导体材料的特性、不同衬底材料的氮化镓HEMT进行......
三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体(2023-08-07)
一步增加耗能。
（2）衬底材料生长层面，据简单测算，在良率为理想情况下，常用的导模法生长一片 4 英寸氧化镓衬底约消耗 100kW.h 电能，而物理气相传输法（PVT）生长一片 4 英寸......
完全自主产权 中国第四代半导体新突破！(2024-03-22)
自主开创的铸造法，成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片。
杭州镓仁半导体，也成为国内首个掌握6英寸氧化镓单晶衬底制备技术的产业化公司。
据介绍，氧化镓......
三菱电机投资氧化镓功率半导体(2024-04-03)
等下一代功率半导体、材料和产品的回收利用、可再生能源等绿色领域的研发。
据了解，2023年7月，该公司宣布已投资Novel Crystal Technology（NCT），后者是一家生产用于功率半导体的氧化镓衬底......
山东：重点发展第三代半导体、光刻胶等新材料(2025-01-09 12:31:27)
方面，研究大尺寸碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料制备技术和装备，突破碳化硅、氮化镓衬底超精密高效加工核心技术。攻克超宽禁带金刚石单晶、氮化铝生长及器件技术，突破大口径高质硅单晶、高端......
3家半导体厂商正式闯关科创板(2022-01-11)
电信、AT&T等国内外知名运营商网络中，已成为国内领先的光芯片供应商。
北京通美：规划实现新产品8英寸砷化镓衬底量产
招股说明书显示，北京通美此次拟募集资金11.67亿元，扣除发行费用后将按轻重缓急顺序投资砷化镓半导体材料......
国内6英寸铸造法氧化镓单晶研制获得成功(2024-03-21)
自主开创的铸造法于今年2月成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓(β-Ga2O3)单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片。
镓仁半导体指出，此次制备6英寸氧化镓衬底采用的铸造法，具有......
TI推出其首款带集成驱动器、内部保护和有源电源管理的车用GaN FET(2020-11-10)
电源磁性器件的尺寸减少59%。TI利用其独有的GaN材料和在硅（Si）基氮化镓衬底上的加工能力开发了新型FET，与碳化硅（SiC）等同类衬底材料相比，更具成本和供应链优势。更多......
中国第三代半导体厂商扎堆“出海”(2025-01-03)
，英诺赛科氮化镓出货量成功突破10亿颗！
天岳科技拟赴港上市 冲刺A+H
12月27日，碳化硅衬底厂商天岳先进发布公告称，根据公司总体发展战略及运营需要，公司拟在境外发行股份（H 股）并在......
芯生代项目获1500万元投资 涵盖第三代半导体领域(2021-11-23)
国内市场处于应用产品发展初期，尚无成熟的氮化镓外延和功率芯片产品，严重依赖国外进口，国产化意义重大。
报道称，芯生代是一家专注硅（Si）基氮化镓（GaN）等第三代半导体材料及功率芯片研发生产一体化的企业。氮化镓......
全球外延生长设备市场将在 2026 年达到 11 亿美元(2021-11-10)
的外延生长设备市场的增长趋势 资料来源于Yole Développement
在半导体衬底材料方面，氮化镓（GaN）材料是继硅衬底之后的主要外延市场，预计到2026年，GaN的市场规模将达到4.02亿美元，2026年，碳化......
从手机充电器到汽车充电器，氮化镓开启逆袭之路(2023-10-08)
在内的器件将成为发展主流。
氮化镓产业链一般划分为上游的材料即衬底和外延片、中游的器件和模组、下游的系统和应用。从各环节来看，欧美日企业发展较早，技术积累、专利申请数量、规模......
GaN在射频功率领域会所向披靡吗？(2017-08-01)
产品，可提供其他出色特性，可确保其在最苛刻的环境下使用。
金刚石衬底氮化镓： 将这两种东西结合在一起是很难的，但是好处也是巨大的：在世界上所有材料中工业金刚石的热导率最高(因此......
一期投资100亿元 广东光大科研制造中心项目开工(2022-04-26)
目投资方为东莞本土大型民营企业广东光大集团，以宽禁带半导体材料为基础，先后成立中镓、中图、中晶、中麒等公司，重点发展第三代半导体产业，已实现氮化镓衬底、芯片、外延片、先进显示等项目产业化。
封面......
氧化镓商业化脚步临近，或将与碳化硅直接竞争(2023-09-22)
杂的块状单晶。
具体而言，氧化镓是一种多变的半导体材料，它有六种不同的晶相，其中最稳定的是β相。β相氧化镓可以通过熔融法生长出大尺寸的单晶衬底，这对......
持股10%，华为再投资一家半导体设备公司(2022-02-15)
、砷化镓、磷化铟等化合物半导体衬底材料、半导体器件、先进封装、MEMS等领域。
微信公众号“顺义人才”此前报道，碳化硅衬底领域，特思迪半导体的产品单面抛光机技术水平和同类型进口设备相当，已取......
“半导体口粮”出口管制影响多大？上市公司回应来了(2023-07-05)
使芯片输出激光的效率更高，更适用于制作激光器芯片。因此砷化镓在激光器光芯片衬底中居于主流。
该机构认为，未来国内砷化镓衬底外延、原材料等或将降价，而海外砷化镓衬底、原材料或出现涨价且供应紧缺，对海外衬底厂商的压力增大。
百川......
2021年江苏省重大项目清单出炉 无锡先导电子等多个项目入列(2021-03-05)
值超300亿元上市公司。拟引进无锡吴越半导体大尺寸氮化镓衬底及射频芯片、江苏微导纳米装备高端精密镀膜装备基地等8家项目，投资达180亿元。
图片来源：无锡高新区在线
封面图片来源：拍信网......
除了功率和射频，化合物半导体还有哪些发展契机？(2021-03-29)
领域“半导体照明”和“第三代半导体材料”重点专项。目前国内已形成完整的LED产业链，LED产能稳居世界前列。
LED衬底主要包括蓝宝石衬底(Al2O3)和砷化镓衬底(GaAs)，蓝宝石衬底......
氮化镓激光芯片终于实现国产，氮化镓正在向快充以外的市场进军(2023-08-29)
凭借其优越性、实用性和战略性，被许多发达国家已经列入国家计划，进行全面部署，包括氮化镓在内的器件将成为发展主流。
氮化镓产业链一般划分为上游的材料即衬底......
半导体贵族砷化镓，蠢蠢欲动(2024-09-29)
。资料指出，先导科技集团是全球最大稀散金属生产企业，在半导体衬底领域，公司砷化镓衬底材料出货量全球第一，该公司还可生产磷化铟衬底和锗衬底。
8月3日，格创......
中金岭南韶关冶炼厂成功自主合成砷化镓多晶(2023-06-09)
中金岭南韶关冶炼厂成功自主合成砷化镓多晶;据广东国资消息，近日，广晟集团控股上市公司中金岭南所属韶关冶炼厂在稀贵金属绿色回收与提取实验室半导体衬底材料中试团队的努力下，韶冶厂成功自主合成第一炉砷化镓......
盘点！2021年第一季度化合物半导体主要项目汇总(2021-04-12)
月24日上午，苏州纳维举行总部大楼奠基仪式。项目占地面积超1.4万平方米，总建筑面积超3.4万平方米，建成后，年产氮化镓单晶衬底及外延片可达5万片。
③宽禁......
珠海：力争打造全国规模最大的光刻胶产业集群(2025-01-07)
展半导体集成电路及分立器件用电子化学品领域，珠海将重点发展8英寸、12英寸硅片，碳化硅、氮化镓、磷化铟等新一代化合物半导体衬底材料及外延片；前瞻布局氧化镓、锑化镓、锑化铟等第四代半导体材料；匀胶......
镓仁半导体氧化镓二期工厂正式启用(2024-11-20)
）氧化镓单晶衬底的自主量产，打破了国际垄断；7月，镓仁半导体成功制备出了3英寸晶圆级（010）氧化镓单晶衬底；9月上旬，镓仁半导体宣布成功研制超薄6英寸氧化镓衬底，衬底厚度小于200微米。......
华为哈勃加持，这家碳化硅龙头离上市一步之遥！(2021-09-09)
内碳化硅龙头企业，集各类半导体晶体及衬底材料的研发设计、生产制造与销售为一体，主要产品包括碳化硅产品及蓝宝石产品，并提供蓝宝石晶片加工服务。
山东天岳作为全球第四家碳化硅材料量产的企业，已经能够供应2......
镓仁半导体新突破：6英寸铸造法氧化镓单晶产业化(2024-03-25 14:52)
英寸非故意掺杂及导电型氧化镓(β-Ga2O3)单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片，成为国内首个掌握6英寸氧化镓单晶衬底制备技术的产业化公司。氧化镓(β-Ga2O3) 是目前最受关注的超宽禁带半导体材料......
从手机快充到电动汽车，氮化镓功率半导体潜力无限(2022-03-21)
功率器件是有助于减少功率损失的方法之一，且开发下一代功率器件需要更高质量和更大尺寸的氮化镓衬底，以实现更高的生产效率和降低生产成本。
结语
第三代半导体材料中，目前电动汽车市场碳化硅功率半导体备受青睐，氮化镓......
抢夺赛位，第三代半导体战局激烈(2024-07-04)
年产值3亿元；冠岚新材料年产1600吨碳化硅衬底材料项目签约，该公司主要产品为大尺寸、高纯度、低成本第三代半导体SiC原材料、SiC镀膜，目前国产化原材料产品已验证完成，获国内外多家客户认证；总投资50......
奥趋光电成功制备出高质量3英寸氮化铝单晶(2022-12-23)
光电核心专注于第三代/第四代超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料、蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝/氮化铝钪薄膜模板、全自动氮化铝PVT气相沉积炉及其相关产品的研发、制造与销售，核心产品被列入《中国制造2025》关键战略新材料......
全自动金刚石生长炉研发成功，晶盛机电破解“终极半导体”材料(2022-03-08)
了目前人工培育钻石过程中质量控制和规模化生产的瓶颈。
图片来源：晶盛机电
作为碳化硅、氮化镓之后具有代表性的新一代半导体材料，金刚石晶体又称钻石，被誉为“终极半导体”材料，此次金刚石晶体生长炉成功研制，标志......
铭镓半导体预计2023年底完成扩产计划，将建成氧化镓完整产业线(2022-08-04)
产业集约、集聚、集群发展。
据介绍，铭镓半导体成立于2020年，是专业从事超宽禁带半导体氧化镓材料开发及应用产业化的高科技公司。腾退的989平方米的厂房将用于扩大氧化镓加工线及洁净室。预计扩大后2英寸氧化镓衬底......
总投资420亿元，东莞天域半导体、光大半导体等60个重大项目动工(2023-03-21 15:25)
后主要生产制造2-4英寸氮化镓衬底、2-6英寸GaNonGaN/Si器件、4英寸MiniLED外延芯片。......
年产5万片GaN单晶衬底及外延片 苏州纳维科技总部大楼奠基(2021-01-27)
工业园区发布
资料显示，苏州纳维科技成立于2007年5月，致力于第三代半导体产业核心关键材料氮化镓（GaN）单晶衬底的产业化开发。
据介绍，苏州纳维科技完成了从材料生长设备的自主研发到氮化镓单晶衬底......
宽禁带功率半导体的竞争格局及趋势分析(2022-02-24)
制成的晶圆片，外延是指在衬底上生长新单晶薄膜的过程，是半导体器件制造的基础原材料。
外延在GaN产业链中最为关键，GaN外延片采用几种衬底技术——GaN-on-Si（硅基氮化镓......
第四代半导体氧化镓蓄势待发！(2024-08-26)
，北京铭镓半导体有限公司实现了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，推出多规格氧化镓单晶衬底并首发4英寸(100)面单晶衬底参数。
今年3月，镓仁半导体联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料......
安徽、山东接连发利好政策，发展第三代半导体！(2022-04-12)
语音、智能电动汽车、下一代显示技术、精准医疗等领域，巩固提升合肥、池州现有半导体材料优势地位，重点发展大尺寸硅片等第一代半导体材料，高纯磷化铟（InP）衬底材料、氮化镓材料等第二/三代半导体材料以及封装测试材料......
黑科技！“超薄柔性玻璃(UTG)一次成型技术”项目斩获一等奖(2022-12-15)
荣获二等奖;在明日之星组中，“巨印科技——突破MicroLED显示瓶颈的巨量微转移技术”项目荣获一等奖，“高纯镓及氮化镓衬底材料产业化”项目、“基于柔性微电极阵列的自研脑电设备及产业应用”项目......
江苏无锡多个半导体项目开工(2021-03-02)
产业集群，总产值达200亿元，培养2-3家市值超300亿元上市公司，实现利税总额50亿元。拟引进无锡吴越半导体大尺寸氮化镓衬底及射频芯片、江苏......
相关企业
manufacturing in Taiwan.
; EPC设计，开发，市场，销售基于氮化镓的电源管理设备，采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换，利用优越的半导体材料，EPC是率先推出增强型氮化镓
;东莞中和光电有限公司;;本产品采用树脂封装，材料采用氮化镓（GaN），结构为电解出型，封装形式为直插型，型号有3mm,5mm,8mm,10mm及其他特殊型号，形状有圆头，椭圆，草帽，钢盔，方形
;山东天岳先进材料科技有限公司;;山东天岳先进材料科技有限公司是专业从事蓝宝石和碳化硅单晶生长加工的高新技术企业。公司的主要产品有2-6英寸蓝宝石和2-4英寸碳化硅单晶衬底，其产
子体 (PDP)显示荧光粉、氮化镓基白光二级管光源材料，新型太阳能光源等新型环保节能产品的研发生产。
;东莞市亚库电子有限公司;;亚库电子独家代理台湾竹路应用材料股份有限公司的氮化铝粉和氮化铝导热塑胶。 竹路应材的前身为元诚科技，成立于2003年，从事被动组件的制造与营销；公司为追求创新，跨足新材料
(GaAs)、氮化镓 (GaN)、声表面波 (SAW) 和体声波 (BAW)技术设计、开发和生产先进的高性能射频解决方案，满足全球客户需求。我们是市场领导者，专门为移动设备，3G和4G蜂窝基站，WLAN
等测试机,加上台湾光宝,美国德洲仪器的技术管理.产品以显示屏,交通号志及白光照明用LEDLAMP为主, 二.芯片后半段制造；兰宝石衬底氮化镓，纯兰纯绿芯片不同于其他红黄材料，其减薄，划片，测试，分检
;杭州特种冶金材料有限公司;;杭州特种冶金材料有限公司原是国家重点铁合金企业―浙江横山铁合金厂下属的科研机构，2000年改制为有限责任公司。是一家专业生产铬系铁合金粉末；氮化铬铁,氮化锰铁，氮化
;上海来彩;;来彩电子材料有限公司成立於2008年，专业为中国地区微电子、纳米制造、半导体、LED、液晶显示及特种镀膜等领域的客户提供系统解决方案。 我们在LED行业的产品涵盖上游晶棒、衬底、图形衬底
;深圳市中涛光电有限公司;;本公司是台湾广镓光电集团有限公司驻大陆的销售总代理.现主要提供以下产品：高功率散片板-先进奈米散热板:传统的产品,因其的绝缘层所用的材料是环氧树脂或玻璃纤维,只能