昨日，据上交所科创板上市委2021年第65次审议会议结果显示，山东天岳先进科技股份有限公司（下称“山东天岳”）科创板IPO成功过会。

第三代化合物半导体的主要材料是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），凭借其更宽的禁带宽度、高温、高压、高频率和大功率等优异性能，近年来产业迅猛增长。

据机构预测，第三代半导体市场规模预计将从2020年的10亿美元增长至2025年的35亿美元，年复合增长率超过20%。

这一系列政策和数字的背后，是行业需求、供应链提升和改进、以及相关技术的巨大进步。

山东天岳成立于2011年，是国内碳化硅龙头企业，集各类半导体晶体及衬底材料的研发设计、生产制造与销售为一体，主要产品包括碳化硅产品及蓝宝石产品，并提供蓝宝石晶片加工服务。

山东天岳作为全球第四家碳化硅材料量产的企业，已经能够供应2英寸~6英寸的单晶衬底，公司在半绝缘型碳化硅衬底领域已进入行业第一梯队。

值得注意的是，山东天岳是华为哈勃进军第三代半导体领域的第一步。据悉，2019年8月，华为哈勃投资入股山东天岳，获得10%股份。

据招股说明书显示，2018-2020年，山东天岳实现营业收入为1.36亿元、2.69亿元、4.25亿元，对应的净利润分别为-0.43亿元、-2.01亿元、-6.42亿元。三年内，山东天岳的收入规模稳步上涨，净利润却逐年下降，主要系2019年和2020年实施股权激励所致，另外则是由于SiC材料的持续研发需要大量资金投入。

毛利率方面，报告期内公司综合毛利率分别为 25.57%、37.68%和 35.28%，其中主营业务SiC衬底毛利率分别为8.45%、26.62%和34.94%，呈上升趋势，主要系产品单价提高的同时单位成本降低。

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