今年2月，杭州镓仁半导体有限公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用自主开创的铸造法成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓(β-Ga2O3)单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片，成为国内首个掌握6英寸氧化镓单晶衬底制备技术的产业化公司。氧化镓(β-Ga2O3) 是目前最受关注的超宽禁带半导体材料之一，主要用于制备功率器件、射频器件及探测器件。

据悉，铸造法是由杨德仁院士团队自主研发，用于生长氧化镓单晶的新型熔体法技术。2022年5月，团队采用铸造法成功生长出2英寸氧化镓单晶。随后由杭州镓仁半导体持续迭代、不断创新，于2023年5月成功生长出4英寸氧化镓单晶。2024年2月就突破了6英寸氧化镓单晶的生长，并实现小批量生产。

铸造法具有以下显著优势：第一，铸造法成本低，由于贵金属Ir的用量及损耗相比其他方法大幅减少，成本显著降低；第二，铸造法简单可控，其工艺流程短、效率高、尺寸易放大；第三，铸造法拥有完全自主知识产权，中国和美国专利已授权，为突破国外技术垄断，实现国产化替代奠定坚实基础。