3月20日,杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”)宣布,公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室,采用自主开创的铸造法于今年2月成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓(β-Ga2O3)单晶,并加工获得了6英寸氧化镓衬底片。
镓仁半导体指出,此次制备6英寸氧化镓衬底采用的铸造法,具有以下显著优势:第一,铸造法成本低,由于贵金属Ir的用量及损耗相比其他方法大幅减少,成本显著降低;第二,铸造法简单可控,其工艺流程短、效率高、尺寸易放大;第三,铸造法拥有完全自主知识产权,中国和美国专利已授权,为突破国外技术垄断,实现国产化替代奠定坚实基础。
镓仁半导体表示,基于上述成果,公司成为了国内首个掌握6英寸氧化镓单晶衬底制备技术的产业化公司。
资料显示,镓仁半导体成立于2022年9月,是一家专注于氧化镓等宽禁带半导体材料研发、生产和销售的科技型企业。公司开创了氧化镓单晶生长新技术,拥有国际、国内发明专利十余项。
封面图片来源:拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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