9月11日，杭州镓仁半导体有限公司（下文简称“镓仁半导体”）宣布，公司今年8月在氧化镓衬底加工技术上取得突破性进展，成功研制超薄6英寸衬底，衬底厚度小于200微米。

镓仁半导体指出，氧化镓（β-Ga2O3）具有禁带宽度大、击穿场强高、Baliga品质因数大等优势，在高压、大功率、高效率、小体积电子器件方面具有巨大的应用潜力，能够极大地降低器件工作时的电能损耗，有望成为未来半导体电力电子领域的主力军。

但是，氧化镓热导率较低，会加重器件的自热效应，大量热量积累在器件内部，会导致器件性能退化，使其在高功率领域的应用受到极大的限制。

减薄衬底厚度，能够使器件产生的热量通过衬底散出，增强器件的散热能力，提高器件性能。超薄6英寸衬底为高性能器件的制备提供了一种新选择，满足功率器件领域的科研与生产需求，促进业内产学研协同合作。

资料显示，镓仁半导体成立于2022年9月，是一家专注于氧化镓等超宽禁带半导体单晶衬底及外延材料研发、生产和销售的科技型企业。镓仁半导体开创了非导模法氧化镓单晶生长新技术，突破了国际市场对氧化镓材料的垄断，可提供具有完全自主知识产权的氧化镓单晶衬底材料。

技术进展方面，此前，镓仁半导体联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用杨德仁院士团队自主开创的铸造法成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓（β-Ga2O3）单晶衬底。

今年4月，镓仁半导体推出了新产品2英寸晶圆级（010）氧化镓半绝缘单晶衬底，并实现了2英寸（010）氧化镓单晶衬底的自主量产，打破了国际垄断。6月底，镓仁半导体与苏州迈姆思半导体科技有限公司签订合作协议，双方将协作实现碳化硅和氧化镓的键合，用碳化硅出色的散热性能来弥补氧化镓散热性能的不足，同时通过氧化镓和硅的键合，大幅度降低成本，推动氧化镓作为功率器件的量产化。7月，镓仁半导体成功制备出了3英寸晶圆级（010）氧化镓单晶衬底。

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