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式交付客户。 消息显示，GS-M06Y将应用于半导体前道量测，主要针对硅外延/碳化硅外延层厚度进行测量。GS-M06Y设备采用了盖泽半导体自主研发的高精算法、Load Port、控制软件以及FTIR光路系统。据悉......
表面处或附近的表面缺陷 正如我们熟知的那样，晶体缺陷包括基面位错 (BPD)、堆垛层错 (SF)、螺纹刃位错 (TED)、螺纹位错 (TSD)、微管和晶界等。 SiC 的外延层生长参数对晶片的质量非常关键。生长过程中的晶体缺陷和污染可能会延伸到外延层和......
设计和生产创新性半导体材料的企业，Soitec从1992年公司成立直到现在都在使用一种称为Smart CutTM的技术，对硅、碳化硅、蓝宝石衬底（生长外延层的洁净单晶薄片）等各......
GaN外延层中位错密度难以降低，并且需要在界面生长缓冲层以调控应力。 基于半绝缘GaN自支撑衬底的GaN高迁移率晶体管(GaN-on-GaN HEMTs)可避免衬底和外延层的热失配和晶格失配，简化外延层......
链从我们位于新罕布什尔州哈德逊的工厂生长单晶SiC粉材料开始。在衬底上生长一层很薄的外延层，然后经过多个复杂的器件加工步骤生产出芯片，然后将芯片来封装成最终产品。整个制造流程端到端垂直整合，具有......
链从我们位于新罕布什尔州哈德逊的工厂生长单晶SiC粉材料开始。在衬底上生长一层很薄的外延层，然后经过多个复杂的器件加工步骤生产出芯片，然后将芯片来封装成最终产品。整个制造流程端到端垂直整合，具有......
生长一层或多层硅单晶薄膜的材料，用于制造半导体分立器件和集成电路。根据衬底片的掺杂浓度不同，分为轻掺杂衬底外延片和重掺杂衬底外延片。前者通过生长高质量的外延层，可以提高CMOS栅氧......
亲水晶圆键合工艺暂时融合两个晶圆，然后退火导致注入的氢膨胀，分裂供体衬底，从而使器件层和掩埋氧化物保留在基础衬底上。经过高温退火以实现永久键合后，CMP 抛光完成 SOI 晶圆。剩余......
错的有效抑制手段非常有限。近期，研究团队采用远程外延，实现了氮化物外延层中刃位错的有效降低，在原子尺度上研究了应力释放和位错密度降低的物理机制。研究发现无极性的石墨烯缓冲层可以削弱源于衬底的晶格势场，使得外延层......
子浓度是一个重要的技术参数。目前，行业普遍使用电容电压（CV）法来测量同质外延层的载流子浓度。该方法可直接在半导体上形成肖特基势垒测得外延层的载流子浓度，也可以形成MOS电容结构对CVD工艺等进行监控，从而有效评估各类半导体材料制造工艺中外延层的载流子浓度以及外延层......
炉中，先于1000～1400℃下进行热处理，再升高温度进行气相沉积以于所述第一碳化硅缓冲层上形成第二碳化硅缓冲层；（IV）于所述第二碳化硅缓冲层上外延生长出预定厚度的外延层。本发明的碳化硅外延......
半导体本次募投项目为“8英寸功率半导体制造项目（一期）”，将新建生产8英寸普通硅外延片和8英寸超结MOSFET外延片的产能，建成后公司将： （1）采购硅衬底片等原材料，自主完成外延层......
一款量产设备，该机种基于FTIR红外光谱技术，可以精准测量晶圆中多层外延层的厚度，提供高精度的量测结果。设备装配了双臂洁净机械手和全新设计的Stage平台，以及自主研发的光路系统及算法，能更......
-SOI。 FD-SOI与传统的bulk CMOS不同。例如，在bulk CMOS逻辑中，硅芯片制造商开发未加工的芯片。然后在衬底上生长薄的外延层，产生外延片。 相比之下，SOI涉及到由Soitec......
定由威科仪器申请的“通过化学汽相沉积在晶片上生长外延层的无基座式反应器（专利号 018225507.1）”发明专利无效。 而威科仪器对国家知识产权局审理的专利无效决定感到不满，并向......
器平台具有读出速度快、暗电流低等特点，客户还能够在该平台选择多种不同的外延层厚度从而实现针对不同应用场景的图像传感器。除此之外，通过BSI工艺，客户还可选择添加ARC层，并可以根据不同的特殊应用要求进行调整。随附的X......
器平台具有读出速度快、暗电流低等特点，客户还能够在该平台选择多种不同的外延层厚度从而实现针对不同应用场景的图像传感器。除此之外，通过BSI工艺，客户还可选择添加ARC层，并可以根据不同的特殊应用要求进行调整。随附的X......
司将推动这些产品的开发和上市。 由于QST®基板的设计具有与GaN相同的热膨胀系数(CTE)，因此可以抑制GaN外延层的翘曲和裂纹，从而实现大直径、高质量的厚GaN外延生长。利用这些特性，该产......
SEMI SOI 国际产业联盟宣布新任领导层和理事会，并公布最新活动;SEMI（国际半导体产业协会）旗下的技术社区 SEMI SOI 国际产业联盟（SOIIC）正式宣布新任领导层和理事会成员。此外......
外延层。 GaN技术的一个重要里程碑 为了解决这些问题，美国Qromis公司开发了一种名为QST（Qromis Substrate Technology）的工程化衬底技术。 Qromis公司......
Resonac凭借在SiC单晶衬底上形成SiC外延层的技术优势，拥有非常可观的SiC外延片市场份额，并向高端市场供应SiC外延片。Resonac开发的8英寸产品与其供应给高端市场的6英寸SiC外延......
突破大尺寸低成本碳化硅衬底制备技术，先进碳化硅外延层制备工艺，碳化硅MOSFET、JBS、JFET、IGBT、PiN二极管等功率器件核心技术，以早日实现全产业链国产化，满足下游市场迫切需求。 Carbontech......
最大聚氯乙烯制造企业。信越化学主要产品包括半导体、有机硅、化学品、加工及服务、功能性材料、电子与功能材料；信越化学的半导体硅片产品主要包括半导体硅抛光片（含SOI硅片）、半导体硅外延......
单片 RGB 显示的最常用方法。这种向下转换方法目前在可实现最大亮度和器件寿命方面受到限制，因为 QD 寿命会随着泵浦通量密度和 结温的增加而显著降低。 JBD 声称，基于外延的三色集成技术，例如多色外延层......
领先还计划增资扩产，投资50多亿元用于外延片、SOI等新产线建设。今年5月，中环股份宣布公司已经启动集成电路用大直径硅片项目二期工程。 宜兴发布介绍，中环领先集成电路用大直径硅片二期项目总投资15亿美......
再从另一外角度分析一下，碳化硅（SiC）的外延片，它的价格发展趋势如何？ 碳化硅（SiC）外延片指的是在碳化硅（SiC）衬底上生长了一层有一定要求的与衬底晶相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅（SiC）片。从价......
节点和内存芯片的关键材料。 密苏里州圣彼得斯(St. Peters, Missouri)：建立新工厂生产300毫米绝缘硅片（SOI）晶圆，这些晶圆在恶劣环境下的性能显著提高，常用......
产业基础高级化、产业链现代化。 碳化硅相较于传统半导体硅材料，在耐高压、耐高温、高频等方面具备碾压优势，是材料端革命性的突破。碳化硅被称为第三代半导体核心材料，碳化硅材料主要以在导电型碳化硅衬底上外延生长碳化硅外延层......
通电阻中各部分电阻比例分布也不同。 比如耐压30V的MOS管，其外延层电阻仅为总导通电阻的29%，耐压600V的MOS管的外延层电阻则是总导通电阻的96.5%。想要获得高阻断电压，就必须采用高电阻率的外延层......
设备也在不断地进步。 今年年初，盖泽半导体表示其自主研发生产的SiC外延膜厚测量设备GS-M06Y已正式交付客户，该设备主要是针对硅外延/碳化硅外延层厚度进行测量，具有兼容性强，可基......
 Soitec 的 300-mm  SOI 晶圆总产能最终将达到 270 万片/年。 Pasir Ris 的扩建还包括额外的更新和外延产能。 [1] EBITDA 是指未计折旧、摊销、与股......
光成质地平整的圆片，此时抛光片既可以直接经过光刻刻蚀制造芯片，也可以充当外延片和SOI片的“衬底”；外延片就是在抛光片“外延”上再生长出一层的圆片；SOI片就是在顶层和衬底之间引入氧化物绝缘埋层。   金刚......
产替代正在进行中，公司6英寸导电型碳化硅衬底已通过外延厂商和下游终端客户认证。 针对下游MOS和SBD应用场景，上游碳化硅衬底端几乎没有区别，只有极少几个参数，差别主要在外延层结构。公司......
低器件性能并影响良率。BPD 可以从晶圆衬底传播到制造器件的外延层厚度。BPD 也可以在高温离子注入制造过程中产生。在商用晶圆中，超过 95% 的衬底 BPD 在通过 CVD 离轴生长的外延层中传播为相对“良性”的螺......
目前可提供的半导体硅片产品类型涵盖300mm抛光片及外延片、200mm及以下抛光片、外延片以及200mm及以下的SOI硅片。 沪硅产业称，公司200mm及以下硅片（含SOI硅片）产能......
培育单晶碳化硅材料，然后在其上添加一层薄的外延层。接下来，完成多个器件处理步骤和封装，以生产出最终产品。 安森美生产基地的端到端能力有助于进行最全面的测试并支持根本原因分析。其目......
功研发出8英寸N型碳化硅晶体。2023年11月，公司正式进入了碳化硅衬底片项目的量产阶段。目前公司碳化硅衬底片已通过多家下游企业验证，并实现批量销售。 同时，晶盛机电相继推出了6英寸双片式碳化硅外延......
将在技术支持和资金支持两方面为切入点，优化碳化硅SiC产业链三大环节，即碳化硅SiC衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场。 技术层面，中汇环球利用现有产业优势，为碳化硅SiC芯片拓展生产经营；资金层面，中汇......
区的流动范围以降低导通电阻，是 JFET 区掺杂结构设计的核心目标。JFET 区掺杂主要存在 2 种实现方式：1）JFET 区注入，即在 P-well 区颈部进行大于外延层浓度的 N 型掺......
年在欧洲成立。Diamfab 合成并掺杂在其他基板上生长的金刚石外延层，以期用金刚石制造卓越的功率器件。” 封面图片来源：拍信网......
 厂 (Bernin 4) 配备首批碳化硅生产工具 (150 和 200-mm)，助力贝宁 4 厂提升 300-mm SOI 的更新产能，以及在新加坡工厂进一步扩充 300-mm SOI 的产能，包括更新和外延......
集成电路用大直径硅片扩能项目，已累计完成投资78.6亿元，计划今年上半年实现外延晶圆达产、年底实现SOI晶圆达产。 封面图片来源：拍信网......
（全耗尽绝缘体上硅）工艺研发线、RF-SOI（射频绝缘体上硅）工艺生产线。 布局发展宽禁带半导体。支持碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体衬底、外延、设计及制造全产业链发展，支持龙头企业发展IDM（垂直......
采用了级联结构并优化了器件相关参数，Nexperia的氮化镓场效应管无需复杂的驱动和控制，应用设计大为简化；使用标准的硅MOSFET 驱动器也可以很容易地驱动它们。   新的氮化镓技术采用了贯穿外延层的过孔，减少......
离硅片、 SOI 绝缘体上硅、 RPW 再生抛光硅片。 在高纯抛光硅片、退火晶片和外延片方面可以提供 300mm 大尺寸产品，SOI 硅片可以提供 200mm 尺寸产品。 （3）台湾......
更名为Soitec Belgium N.V.。EpiGaN是Soitec一年前收购的氮化镓（GaN）外延硅片材料供应商。加入Soitec后，EpiGaN 成为旗下氮化镓业务部门，进一......
晶圆厂。其子公司Resonac Corporation已开始在山形县东根市的山形工厂建造SiC晶圆（衬底及外延层）新生产大楼，奠基仪式于9月12日举行。该新工厂建筑面积为5,832平方米，预计......
的功夫包含以下几种： 1、PT：以高浓度的P+直拉单晶硅为起始材料，先生长一层掺杂浓度较高的N型缓冲层(N+buffer层)，然后再继续淀积轻掺杂的N-型外延层作为IGBT的漂移区，之后再在N-型外延层的表面形成P......
的大直径基板，因此无法从增加材料直径中获益。上述的300毫米QST基板具有与GaN相同的热膨胀系数，可实现大直径的高质量厚GaN外延生长，并抑制SEMI标准厚度的QST衬底上GaN外延层的“翘曲”或......
展稳健的工业与商业渠道，以加速Soitec创新技术的应用，从而进一步巩固行业地位。近期，我们与应用材料公司启动联合研发项目，致力于开发下一代碳化硅衬底，这正是我们蓬勃发展的有力证明。本次合作项目正如收购氮化镓外延......

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